使用导电原子力显微镜（Conductive Atomic Force Microscopy，CAFM）对电压应力作用下HfO2栅介质薄膜局域漏电点的形成和产生机制进行了研究，结果表明，在电压应力作用下，HfO2介质层中的缺陷被驱动和聚集形成导电通道，产生漏电点。漏电点产生的数量、漏电流大小均受电压应力和作用时间的影响。HfO2栅介质层中晶界处的缺陷密度高于晶粒处，导致晶界处更容易产生漏电通道。在栅介质击穿过程中，电压应力在诱发漏电流产生的同时产生焦耳热，对HfO2介质表面造成热损伤，导致击穿后HfO2介质表面出现凹陷。
