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郭昭乔

作品数:4 被引量:7H指数:2
供职机构:中国原子能科学研究院核物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学电子电信核科学技术更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇核科学技术

主题

  • 2篇探测器
  • 1篇性能研究
  • 1篇少子寿命
  • 1篇能量分辨率
  • 1篇温度相关
  • 1篇角分布
  • 1篇硅探测器
  • 1篇硅微条探测器
  • 1篇二极管
  • 1篇辐射探测器
  • 1篇PIN二极管
  • 1篇

机构

  • 4篇中国原子能科...
  • 1篇北京大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 4篇郭昭乔
  • 1篇刘诗美
  • 1篇张录
  • 1篇白希祥
  • 1篇李志宏
  • 1篇郭冰
  • 1篇田大宇
  • 1篇李大庆
  • 1篇宁宝俊
  • 1篇王宝祥
  • 1篇张秀凤
  • 1篇曾晟
  • 1篇连钢
  • 1篇颜胜权
  • 1篇张洁天
  • 1篇柳卫平
  • 1篇王玮
  • 1篇张太平

传媒

  • 2篇高能物理与核...
  • 1篇Journa...
  • 1篇原子能科学技...

年份

  • 1篇2005
  • 1篇2001
  • 2篇1993
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
平面工艺硅探测器的温度性能研究
1993年
平面工艺硅探测器有可能成为适合实际应用的X射线探测器。文章介绍了实验装置,系统地测量了-20℃到+50℃温度范围内探测器的温度性能,并对结果进行了初步的分析。
李大庆郭昭乔
关键词:能量分辨率探测器温度相关
平面工艺辐射探测器的研制被引量:3
2001年
使用高阻 Si材料 ,通过氧化、光刻、注入和退火工艺技术研制粒子探测器—— PIN二极管 .采取 HCl氧化、慢降温等工艺措施可减小 PIN二极管的暗电流 (反向电流 ) ,这对于提高器件性能起到了关键作用 .电压为 - 5 V时 ,探测器的暗电流可达 n A/ cm2 量级 .
张太平张录宁宝俊田大宇刘诗美王玮张洁天郭昭乔陈世媛
关键词:PIN二极管少子寿命辐射探测器
硅微条探测器的研制
1993年
本文介绍了利用"平面工艺"新技术研制成功的硅微条探测器。该探测器所用的硅材料为n型硅,电阻率为3kΩ·cm,晶向<111>。探测器的厚度为400μm,灵敏面积为18mm×12mm,条宽为20μm条间隔为20μm,共有300个微条。在反向偏压为100V时,其漏电流为5×10^(-9)A。用电荷收集分布方法测得该探测器的位置分辨为5.3μm。
毛裕芳郭昭乔张秀凤
关键词:硅微条探测器探测器
多环型半导体探测器的研制被引量:4
2005年
为了改进低能次级束逆运动学核反应角分布的测量,研制了空心的多环型半导体探测器,用来取代沿用多年的XY位置灵敏型半导体探测器.论述了多环型探测器的优越性,介绍了其制作过程和工艺,给出了已研制成功的十一环探测器的性能测试结果.
颜胜权郭昭乔连钢柳卫平李志宏白希祥曾晟王宝祥郭冰
关键词:角分布
共1页<1>
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