郑安生
- 作品数：30 被引量：26H指数：4
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划河北省科技计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>
- 制备单晶用的带过滤器的坩埚
- 本实用新型设计了一种特别适合制备GaSb单晶体用的坩埚。这种坩埚由坩埚主体和过滤器组成。过滤器的底部有若干小孔，端部有挂把，在使用中可方便地将过滤器放入主体内及从主体内提起取出。为了提高过滤的效果，还可在过滤器的底部加设...
- 邓志杰武希康郑安生屠海令
- 文献传递
- Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶材料发展动态
- ＜正＞ GaAs等Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料在微电子学和光电子学方面的应用日益重要,尤其是发光二极管（LED）、激光二极管（LD）及微波高频器件,如异质双极晶体管（HBT）,高电子迁移率晶体管（HEMT）,单片微波集成电路...
- 郑安生钱嘉裕韩庆斌邓志杰
- 文献传递
- 直径2英寸非掺<111>磷化镓单晶片抛光工艺
- 本发明涉及半导体单晶片的抛光工艺。本工艺是将直径2英寸非掺<111>磷化镓单晶片浸入化学预处理液中进行化学预处理;再进行镓面的抛光,最后进行磷面的抛光。本工艺解决了在同一抛光液中镓面抛光速度慢,磷面的抛光速度...
- 樊成才郑安生宋文会李忠义龙彪
- 文献传递
- 水平磁场中 GaSb 单晶的生长被引量：1
- 1993年
- GaSb 单晶是制备三、四元含锑化合物、Ⅲ-Ⅴ族合金及超晶格等材料的重要衬底材料。用 GaSb 单晶为衬底研制的 GaAs/GaSb 迭层太阳能电池转换效率超过30%,是目前转换效率最高的太阳能电池。
- 邓志杰郑安生武希康屠海令
- 关键词：单晶GASB磁场
- 半绝缘GaAs单晶材料发展现状
- 2002年
- 一、前言 GaAs是目前工艺最成熟、生产量最大的化合物半导体材料。它具有直接跃迁较大带隙、电子迁移率高、易于制成半绝缘单晶(其电阻率可达10~9Ωcm,是理想的微波传输介质,在IC加工中不必另外制作绝缘隔离层,既简化了IC加工过程又降低了寄生电容从而更有利于提高器件工作速度)等优良性能(表1)。
- 邓志杰郑安生俞斌才
- 关键词：半绝缘晶体生长位错密度电阻率
- 掺锌(100)GaSb单晶的生长被引量：4
- 2001年
- 采用LEC方法研制出掺锌 (10 0 )GaSb单晶 ;用霍尔测量法算出的锌掺杂浓度计算得出锌的有效分凝系数keff约为 0 84± 0 0 1,沿晶体生长方向随着锌浓度的提高 ,位错密度缓慢增加 ,数值约为 (2～ 3.2 )× 10 3cm-2 ,当掺锌浓度大于 3× 10 19cm-3 以后 ,GaSb发生简并 ,载流子浓度随掺锌浓度的增加缓慢提高。采用重掺锌母合金作掺杂剂 ,可减少锌的损失 。
- 黎建明屠海令郑安生邓志杰罗志强
- 关键词：位错密度简并掺杂锑化镓晶体生长
- 计算机闭环控径制备φ2.0英寸<111>GaP单晶
- 用高压液封直拉法(LEC法)制备单晶,关键问题是解决直径控制,其直径控制的精度,直接影响到单晶的完整性和位错密度.本文阐述了LEC法制备GaP单晶过程中,用计算机来控制单晶直径的原理,及用计算机闭环控径制备GaP单晶的初...
- 尹士平俞斌才郑安生
- 关键词：单晶计算机发光二极管直拉法
- 文献传递
- LEC < 111 > 磷化镓晶片缺陷的观察被引量：1
- 1999年
- 使用 Ｓ Ｔ Ｅ Ｍ、 Ｓ Ｅ Ｍ 观察了磷化镓晶片在切割、研磨等工艺过程中引入的损伤。切片损伤层深度约３０３ μｍ ， 磨片损伤层深度小于２０ μｍ 。还观察到一些磷化镓单晶锭局部表面布满麻坑， 认为这是单晶生长时， 磷挥发造成的。同时离晶体表面１００ ～１５０ μｍ 范围内有镓凝聚物， 是磷挥发后造成镓过剩并聚集在一起形成的。
- 陈坚邦郑安生
- 关键词：扫描电镜磷化镓
- 计算机闭环控径制备Φ2.0英寸<111>aP单晶
- 用高压液封直拉法(LEC 法)制备单晶,关键问题是解决直径控制,其直径控制的精度,直接影响到单晶的完整性和位错密度。本文阐述了LEC法制备GaP 单晶过程中,用计算机来控制单晶直径的原理,及用计算机闭环控径制备GaP 单...
- 尹士平俞斌才郑安生
- 关键词：单晶计算机直径
- 文献传递
- GaAs窗口晶体位错分布及其对红外透射的影响
- LEC法生长的轻掺铬高阻GaAs 晶体熔融KOH腐蚀坑SEM观察结果表明,轻掺Cr-GaAs晶体位错的径向分布呈“W”型。这是由于GaAs单晶生长过程中,晶体中的热弹应力的“W”分布和位错大量增殖时所需的临界应力共同作用...
- 黎建明屠海令郑安生
- 关键词：GAAS晶体SEM位错分布
- 文献传递
