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郑丰
作品数:
64
被引量:146
H指数:6
供职机构:
中国科学院金属研究所
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国家自然科学基金
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相关领域:
化学工程
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合作作者
梁勇
中国科学院金属研究所
杨柯
中国科学院金属研究所
张炳春
中国科学院金属研究所
肖克沈
中国科学院金属研究所
李亚利
中国科学院金属研究所
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作者
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郑丰
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梁勇
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张炳春
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2001
2篇
2000
2篇
1999
1篇
1998
1篇
1997
共
64
条 记 录,以下是 1-10
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被引量排序
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纳米非晶原位合成氮化硅晶须
一种制备Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>晶须的方法,其特征在于:以Si/N/C粉为原料,在氮气氛下经热解形成Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>晶须;其特征反应式为:;Si/N/C...
梁勇
李亚利
郑丰
肖克沈
文献传递
改善生物医用可降解镁合金心血管支架使用性能方法
本发明属于生物材料技术领域,具体为一种改善生物医用可降解镁合金心血管支架使用性能的方法。首先,将镁合金心血管支架预压握至最终压握直径的1.05至1.25倍;然后,将支架进行完全退火处理,退火处理后对支架进行表面处理或涂覆...
李军雷
谭丽丽
郑丰
杨柯
文献传递
热处理过程中纳米非晶Si-N-C粉的晶化及微结构变化研究
被引量:5
1996年
本文在1473~1972K温度范围内对激光合成的、平均粒径为30nm的非晶Si-N-C粉进行热处理(latm.N2,1h);研究了粉体的晶化及微结构变化,结果表明,纳米非晶Si-N-C粉具有短程有序的亚稳结构,此亚稳结构在>1523K发生稳定团相分离,在1773K开始形成α-Si3N4;β-SiC,此时粒子间出现明显的表面扩散形成粒子簇;到1873K晶化加剧,α-Si3N4和β-SiC明显增多,并有少量的石墨碳形成。在1773~1873K,由固相分离形成α-Si3N4/β-SiC纳米复合结构。
李亚利
梁勇
郑丰
肖克沈
胡壮麒
关键词:
晶化
纳米粉
氮化硅
复合陶瓷
激光诱导硅烷气相合成纳米硅粉研究
被引量:3
1994年
采用高功率CO2激光诱导高纯硅烷气相反应,制备出粉体平均粒径为10~120um,晶粒度与平均粒径比为0.3~0.7的各种纳米结晶硅粉。制备出的硅粉粒度均匀,粒子呈球形,但部分粒子间出现烧结。粉体粒径随激光功率、反应压力的增加而增加,随硅烷流量、稀释Ar气的增加而减小。晶粒度对硅烷流量和反应压力的变化不敏感,但随激光功率的降低和混合Ar气的增加而明显减小。Si粒子的形成经历了单晶粒子的生长和这些粒子间的碰撞生长过程。
李亚利
梁勇
肖克沈
郑丰
胡壮麒
关键词:
硅烷
气相合成
激光
牙用磁性固位体
本发明属于口腔医学修复和医疗器械技术领域,具体为一种牙用磁性固位体,解决现有技术中存在的潜在危害、固位体组件结合强度低和易脱落等问题。无镍耐蚀铁素体软磁不锈钢做成的T型杯状磁轭,稀土钕铁硼永磁体置于磁轭内,与磁轭凹处底部...
张炳春
徐孝荣
战德松
郑丰
肖克沈
姚国兰
文献传递
一种抗凝血不锈钢冠动脉支架及其应用
本发明涉及医疗器械,具体地说是用优良血液相容性的高氮无镍奥氏体不锈钢材料加工而成的抗凝血不锈钢冠动脉支架,所述支架为网格表面的管状结构,网格表面为一种单元图形在管的侧表面沿圆周和轴向的有序排列构成,起主支撑作用的为沿轴向...
任伊宾
杨柯
张炳春
肖克沈
杨慧宾
郑丰
文献传递
一种义齿磁性固位体
本实用新型公开了一种口腔义齿磁性固位体,属于口腔医学修复和医疗器械技术领域。该磁性固位体由T型杯状磁轭密封体和嵌入牙根内的软磁铁素体抗菌不锈钢衔铁紧密贴合而成;T型杯状磁轭密封体包括T型杯状软磁铁素体抗菌不锈钢磁轭、柱状...
张炳春
杨柯
徐孝荣
郑丰
文献传递
有机硅烷激光气相合成硅基超细粉
一种激光气相合成硅基超细粉的方法,其特征在于:以有机硅烷为主体反应物,以氢和/或氨为附加反应气,在下述工艺条件下:激光功率密度(P):500~6000W/cm<Sup>2</Sup>,反应压力(Pe):0.2~1atm,...
梁勇
李亚利
郑丰
肖克沈
线全刚
文献传递
牙用磁性固位体
本实用新型属于口腔医学修复和医疗器械技术领域,具体为一种牙用磁性固位体,解决现有技术中存在的潜在危害、固位体组件结合强度低和易脱落等问题。无镍耐蚀铁素体软磁不锈钢做成的T型杯状磁轭,稀土钕铁硼永磁体置于磁轭内,与磁轭凹处...
张炳春
徐孝荣
战德松
郑丰
肖克沈
姚国兰
文献传递
纳米非晶Si_3N_4粉的晶化及粒子长大行为研究
被引量:11
1994年
本文对激光气相合成的非晶纳米Si3N4粉在1200~1700℃进行热处理,用TEM、XRD及BET对粉的结晶转变及粒子生长过程进行了表征.实验发现,粉体从1250℃开始晶化,有少量的β-Si3N4形成,到1300℃有α-Si3N4形成,在晶化初期非晶粒子靠表面扩散发生硬团聚.在1400~1600℃晶化加速,α相急增,此阶段粒子快速生长,在1700℃粉体发生碳化,与炉中CO反应形成部分β-SiC,同时,发生Si3N4的α-β转变.
李亚利
梁勇
郑丰
胡壮麒
关键词:
氮化硅
晶体
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