邢华
- 作品数：24 被引量：34H指数：4
- 供职机构：吉林大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学医药卫生更多>>
- 采用溶胶-凝胶法制备nc-Si/SiO_2薄膜被引量：2
- 2003年
- 溶胶 凝胶方法是近年发展起来的一种新型的材料制备技术,被广泛的应用于薄膜、均匀超细粉末和陶瓷涂层的制备中。本文以正硅酸乙酯(TEOS)为原料,在乙醇共溶剂和盐酸催化剂条件下,采用溶胶 凝胶方法制备含有纳米晶硅(nc Si)的SiO2胶体溶液,通过旋涂法使溶剂迅速挥发而迅速凝胶化,经过适当温度的干燥和烧结制备了nc Si/SiO2薄膜。探讨了胶体粘度、盐酸催化剂浓度、旋涂速度和时间对成膜质量的影响。给出了nc Si/SiO2薄膜的扫描电镜图像和表征nc Si/SiO2薄膜组分的能谱图。
- 王蓟李剑邢华宁永强王立军
- 关键词：溶胶-凝胶法旋涂法二氧化硅
- 溶胶凝胶光诱导制作列阵波导光栅的方法
- 本发明属溶胶凝胶光诱导折射率变化法制作掺锡SiO<Sub>2</Sub>/Si基列阵波导光栅的方法。以单晶硅为衬底，在其上顺次生长下包层、波导芯层、上包层；在波导芯层，经调制溶胶—旋涂—烧结—掩膜—光诱导过程制作AWG图...
- 张玉书邢华吴远大李爱武
- 文献传递
- 紫外写入制作列阵波导光栅的方法
- 本发明属一种列阵波导光栅(AWG)的紫外写入的制作方法。以单晶硅为衬底(1),用火焰水解法顺次在衬底(1)上淀积SiO<Sub>2</Sub>膜材料的下包层2、掺杂GeO<Sub>2</Sub>的SiO<Sub>2</S...
- 张玉书吴远大邢华张乐天
- 文献传递
- 火焰水解法制作SiO_2平面波导材料被引量：6
- 2001年
- 采用火焰水解法在Si基上淀积SiO2 /GeO2 :SiO2 预制材料 ,然后在真空中 /空气气氛中高温处理 ( 1380℃ )后 ,制得玻璃化的SiO2 /GeO2 :SiO2 膜材料。该材料膜厚适中 ( 10～ 30μm)、平整度好、光滑透明和适合制作单模、多模列阵平面波导光栅。利用XRD ,SEM和台阶仪等仪器对SiO2
- 吴远大邢华张乐天韦占雄郑伟刘国范张玉书
- 关键词：火焰水解法二氧化硅
- 波导材料二氧化硅厚膜的快速生长被引量：1
- 2002年
- 采用火焰水解法 (FHD)在Si片 (4 .5cm )上快速淀积疏松多孔的SiO2 厚膜材料 ,淀积速率达 8μm/min。然后将该材料分别在真空 /空气气氛中高温致密化处理 ,获得了各种形态的二氧化硅厚膜。其中包括平整度好、光滑透明的玻璃态SiO2 厚膜 ,该膜厚度达到 4 0 μm以上 ,完全适合制作平面光波导器件。最后 ,利用XRD、SEM、光学显微镜等仪器对SiO2 膜的表面和膜厚进行了测试分析 ,并讨论了影响致密化SiO2
- 吴远大邢华张乐天李爱武郑伟刘国范张玉书
- 关键词：波导材料火焰水解法致密化薄膜生长
- 二氧化硅厚膜材料的快速生长及其致密化处理被引量：4
- 2001年
- 采用火焰水解法 ( FHD)在 Si片上快速淀积出 Si O2 厚膜材料 ,材料膜厚 40 μm以上 ,生长速率 8μm/ min.将该材料分别在真空中和空气中高温致密化处理 ,获得各种形态的二氧化硅厚膜材料 .利用 XRD,SEM,电子显微镜等仪器对 Si O2
- 吴远大邢华卓仲畅余永森郑伟刘国范张玉书
- 关键词：火焰水解法玻璃态半导体
- 溶胶-凝胶制备Sn-SiO<sub>2</sub>光波导材料的基础研究
- 本论文的主要工作是用溶胶-凝胶法制备SiO 2 波导材料和Sn-SiO<sub>2</sub> 波导材料,研究了Sn-SiO<sub>2</sub> 对248nm准分子激光的光敏现象及机理。首先介绍了SiO<sub>2<...
- 邢华
- 关键词：光波导材料溶胶折射率改变准分子激光集成光学
- 硅基二氧化硅厚膜材料的快速生长
- 本文采用火焰水解法(FHD)在Si片上快速淀积SiO厚膜材料,材料膜厚达到40μm以上,生长速度率达8nm/分钟,然后将该材料分别在真空中/空气气氛中高温致密化处理,获得了各种形态的二氧化硅厚膜材料,包括平整度好、光滑透...
- 吴远大邢华郑伟刘国范张玉书
- 文献传递
- 蛋白芯片法检测乳管液肿瘤标志物的临床研究
- 邢华
- 关键词：乳管镜肿瘤标志物乳管扩张症蛋白芯片
- 文献传递
- 火焰水解淀积Si02膜的退火研究
- 2002年
- 本文采用火焰水解法在Si衬底上淀积了用于光波导下包层材料的SiO2膜，然后将其放入高温炉在空气中进行不同温度的退火处理。我们利用原子力量微镜（AFM）、X射线光电子能谱（XPS），X射线衍射仪（XRD）及可变入射角椭圆偏振仪（VASE）对SiO2膜进行了测试分析。当退火温度达到1400℃时，SiO2膜致密均匀，适合用作波导的下包层。
- 张乐天王昕吴远大邢华李爱武郑伟张玉书
- 关键词：SIO2膜淀积波分复用系统二氧化硅膜
