邓婉玲
- 作品数：37 被引量：61H指数：4
- 供职机构：暨南大学信息科学技术学院更多>>
- 发文基金：广东省科技计划工业攻关项目广东省教育部产学研结合项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学电气工程更多>>
- 一种应用于DC‑DC转换器的新型电感电流检测电路
- 本发明公开了一种应用于DC‑DC转换器的新型电感电流检测电路，可分别用于检测PMOS功率管和NMOS功率管的电流，适用于DC‑DC转换器的不同拓扑结构，包括功率管电流检测模块，用于采样功率管上的电流，并按比例分配至电流检...
- 邓婉玲饶远黄君凯
- 文献传递
- 一种基准电压源及其工作方法
- 本发明公开了一种基准电压源，包括：依次相连的启动电路、一阶补偿电路、用于减小基准电压的温度系数的高阶补偿电路和用于降低基准电压的电源电压调整率的ICTAT电流生成器电路；通过利用一阶补偿电路的第二N型场效应管MN2、第三...
- 邓婉玲张振李强立马晓玉黄君凯
- 文献传递
- 一种无运放低压低功耗CMOS带隙基准电压源的设计
- 2011年
- 采用无运放电路结构,通过改进反馈环路和调整电阻的方法,设计了一种低电压低功耗的带隙基准电压源。相比传统有运放结构,电路芯片面积更小和具有更低的电流损耗,并且大部分电流损耗都用于产生输出电压。基于CSMC 0.5μm CMOS工艺对所研制带隙基准电压源进行流片,测试结果表明,当电源电压大于0.85 V时,能够产生稳定的输出电压;在1 V电源电压下,-20～100°C温度范围内的温度系数为16.7×10-6/°C;当电源电压在0.86～2 V之间变化时,输出电压的偏差为1.46 mV,电源调整率为1.28 mV/V;1 V电源电压下电流损耗仅为2.4μA。
- 杨帆邓婉玲黄君凯
- 关键词：带隙基准电压源运放低电压低功耗
- 基于物理并适用于电路仿真的多晶硅薄膜晶体管薄层电荷模型(英文)被引量：1
- 2008年
- 本文利用薄层电荷理论,建立了一个基于表面势的、物理的多晶硅薄膜晶体管(Polysilicon Thin-Film Transistors ,poly-Si TFTs)的电流模型,且该模型适用于电路仿真。推导了poly-Si TFTs表面势的近似解法,该求解法非迭代的计算大大地提高了计算效率,且精确度高并得到实验验证。基于物理的迁移率方程考虑了晶界势垒高度,和由于声子散射与表面粗糙散射引起的迁移率退化。基于Brews的薄层电荷模型和上述非迭代计算表面势,本电流模型同时考虑了漏致势垒降低(DIBL)效应、kink效应和沟道长度调制效应。对不同沟长的器件实验数据比较发现,提出的模型在很广的工作电压内与实验数据符合得非常好。同时本模型的所有方程都具有解析形式,电流方程光滑连续,适用于电路仿真器如SPICE。
- 邓婉玲郑学仁陈荣盛吴为敬
- 关键词：多晶硅薄膜晶体管表面势
- 有机/无机杂化钙钛矿太阳能电池S形电流扭结的集总参数等效电路模型被引量：2
- 2022年
- 提出一种改进的太阳能电池集总参数等效电路模型,可以实现对S形电流电压曲线的准确拟合。该改进模型使用四个二极管,采用分区和Lambert W函数方法建立结点电压显式算法,获得电流-电压显式方程。与具有多个子电路的电路模型比较,改进模型中加入分流电阻,结构上更加完整。此外,该模型可以描述S形曲线,对较大正向电压下I-V特性第一象限的指数型曲线可实现良好拟合。基于该模型解析求解算法,可避免长时间数值迭代计算,获得满足误差要求的计算结果,利于仿真电路和模型参数提取。
- 刘竞贤陈考铭马韵涵黄君凯邓婉玲
- 多晶硅薄膜晶体管的电流和电容分析模型(英文)被引量：1
- 2007年
- 提出一种用于电路模拟的基于表面势的多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFTs)的电流和电容分析模型.采用非迭代方法计算poly-Si TFTs表面势随端电压的变化,从而大大地提高了上述模型的计算效率.基于表面势的解析计算和薄层电荷方法,提出了包括小尺寸效应和翘曲效应的电流电压模型.同时,文中还提出了基于电荷的电容模型.电流和电容模型在线性区和饱和区都是连续和准确的,不需要没有物理意义的光滑处理.与实验数据的比较发现,模型和实验数据符合得较好,这也证明了所提出模型的准确性.并且,该模型适用于电路仿真器.
- 郑学仁邓婉玲陈荣盛
- 关键词：多晶硅薄膜晶体管表面势电流模型
- 基于神经网络的金属氧化物薄膜晶体管器件模型
- 金属氧化物薄膜晶体管具有迁移率较高、可低温制备等优点，其应用范围已从显示面板电路扩大至柔性电路板上系统等。人工神经网络采用面向数据的方法，能够在短时间内实现高精度、泛化性好的紧凑模型。本文采用基于L-BFGS 算法的神经...
- 邓婉玲
- 关键词：粒子群算法人工神经网络
- 二维DCT\IDCT的FPGA实现及验证方法被引量：1
- 2005年
- 通过对图像编码的核心技术之一离散余弦变换算法的研究,实现了基于PCI总线的二维离散余弦(逆)变换芯核的设计。该设计采用查找表法和流水线技术来减少硬件开销和提高速度;通过改变1-D DCT/IDCT的算法结构来减少查找表占用内部存储器的空间。把设计的离散余弦(逆)变换芯核作为IP软核,在基于PCI环境的RTL仿真平台上进行功能仿真和综合,最后下载到FPGA中,在本单位研制的基于PCI总线的IP测试平台进行硬件验证。实验结果表明,该IP核在平台中工作的最高频率可以达到77MHz。
- 陈玲晶郑学仁范健民陈国辉邓婉玲
- 关键词：离散余弦变换PCI总线图像压缩
- 部分耗尽结构绝缘体上硅器件的低频噪声特性被引量：2
- 2015年
- 针对部分耗尽结构绝缘体上硅(silicon-on-insulator,SOI)器件低频噪声特性展开实验与理论研究.实验结果表明,器件低频噪声主要来源于Si O2-Si界面附近缺陷态对载流子的俘获与释放过程;基于此理论可提取前栅和背栅氧化层界面附近缺陷态密度分别为8×1017eV-1·cm-3和2.76×1017eV-1·cm-3.基于电荷隧穿机理,在考虑隧穿削弱因子、隧穿距离与时间常数之间关系的基础上,提取了前、背栅氧化层内缺陷态密度随空间的分布情况.此外,SOI器件沟道电流归一化噪声功率谱密度随沟道长度的增加而线性减小,这表明器件低频噪声主要来源于沟道的闪烁噪声.最后,基于电荷耦合效应,分析了背栅电压对前栅阈值电压、沟道电流以及沟道电流噪声功率谱密度的影响.
- 王凯刘远陈海波邓婉玲恩云飞张平
- 关键词：低频噪声缺陷态
- 一种新的四模式电荷泵电路的设计与实现被引量：1
- 2010年
- 提出了一种可应用于白光LED驱动芯片的1x/1.25x/1.5x/2x四模式电荷泵电路,采用三相开关时钟信号,从而获得四种电压转换模式。使用CSMC0.5μm工艺流片,分别对基于典型三模式和上述四模式电荷泵设计的白光LED驱动芯片进行比较,结果表明,基于所设计四模式电荷泵的白光LED驱动芯片,在输入电压2.8～3.4V范围内,以1.25x转换模式取代典型的1.5x转换模式,可使驱动芯片效率提高13%。
- 黄振杰邓婉玲黄君凯
