过润秋
- 作品数：71 被引量：289H指数：10
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：陕西省自然科学基金陕西省科学技术研究发展计划项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信文化科学航空宇航科学技术更多>>
- 凹槽绝缘栅型栅－漏复合场板功率器件及其制作方法
- 本发明公开了一种凹槽绝缘栅型栅－漏复合场板功率器件及其制作方法，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、绝缘介质层(7)、绝缘槽栅(8)、钝化层(9)、栅场板(10)、漏场板(1...
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- 文献传递
- 基于IP组播数字视频监控系统设计被引量：2
- 2006年
- 文章提出一种以Trimedia(TM1300)数字处理器为核心的实时图像采集卡及PC机、视频切换矩阵和相应的网络技术构成的实时视频监控系统,并基于IP组播技术实现视频监控网络通信。利用Visual C++中的多线程设计思想和(WinSock套接字,实现网络通信软件的设计。
- 吴学勇过润秋
- 关键词：IP组播监控系统网络通讯WINSOCK
- MOCVD设备〖集散控制系统〗设计被引量：1
- 2003年
- 介绍了集散控制 MOCVD 系统的研究和应用。该设备是生长半导体材料 GaN 的关键设备。文中重点探讨了用 PLC 实现该设备的控制系统,并给出了硬件设计和工控软件的应用。
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- 关键词：MOCVD设备集散控制系统组态软件化学气相沉积GAN材料半导体材料
- AlteraEPLD系列器件EPM7128性能特点及应用被引量：15
- 1998年
- 本文介绍了Ａｌｔｅｒａ公司的ＥＰＬＤ系列产品的特点、内部结构、性能及ＭＡＸ＋ＰｌｕｓⅡ开发工具，并结合作者近期的科研成果，给出了ＥＰＭ７１２８ＳＬＣ８４的应用实例。
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- 关键词：ALTERA
- 源场板高电子迁移率晶体管
- 本发明公开了一种源场板高电子迁移率晶体管，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、栅极(6)、钝化层(7)、保护层(10)和源场板(8)，该源场板(8)与源极(4)电气连接，其中...
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- 文献传递
- Г栅异质结场效应晶体管及其制作方法
- 本发明公开了一种Γ栅异质结场效应晶体管及其制作方法，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、钝化层(6)、Γ栅(8)和保护层(10)，该钝化层(6)上开有凹槽(7)，其中，钝化层...
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- 文献传递
- 垂直式MOCVD中生长参数对GaN材料生长的影响被引量：2
- 2016年
- 为了更好地研究GaN材料生长过程,笔者对一种垂直喷淋式金属有机物化学气相淀积系统生长GaN材料过程中反应物的传递和反应过程进行了模拟.模拟结果表明,反应室压力和进入反应室的气流速度对GaN的生长速率和厚度均匀性均有影响.随着反应气体进入反应室的速度升高,反应室内预反应会增强,GaN生长速率升高,同时GaN厚度的不均匀性也会升高;在同样的进气速率下,反应室压强减小,可在一定范围内提高GaN生长速率,但同时增加衬底中央区域厚度,导致厚度不均匀增加.
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- 关键词：GAN金属有机物化学气相淀积生长速率反应动力学
- 基于IC-CIMS的虚拟制造结构及关键技术研究
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- 该项目为基于Internet的集成电路虚拟制造系统（软件）。系统完全模块化，包括：IC制造决策系统、IC成本决策、电路性能与成品率仿真和优化系统、工艺和器件模型参数相关性分析。工艺线数据库及管理、集成电路工艺统计控制与诊...
- 关键词：
- 关键词：集成电路虚拟制造
- 凹槽绝缘栅型源－漏复合场板高电子迁移率晶体管
- 本发明公开了一种凹槽绝缘栅型源－漏复合场板高电子迁移率晶体管，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、绝缘介质层(7)、绝缘槽栅(8)、钝化层(9)、源场板(10)、漏场板(12...
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- 文献传递
- 绝缘栅型源场板异质结场效应晶体管
- 本发明公开了一种绝缘栅型源场板异质结场效应晶体管，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、绝缘介质层(6)、绝缘栅极(7)、钝化层(8)、源场板(9)和保护层(11)，该源场板(...
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- 文献传递
