赵琳娜
- 作品数：8 被引量：3H指数：1
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- 2-1-1级联连续时间型ΣΔ调制器系统设计
- 2012年
- 高阶连续时间型ΣΔ调制器提供了一种有效的获得高分辨率、低功耗模数转换器的方法.提出了一种新型的2-1-1级联的连续时间型ΣΔ调制器结构.采用冲激不变法将离散时间型ΣΔ调制器变换为连续时间型ΣΔ调制器,利用Simulink对该调制器进行系统级建模和仿真,峰值信噪比达到105dB.分析了电路的非理想因素对调制器行为的影响,以获得90dB信噪比为目标确定了电路子模块指标.仿真结果表明,该结构能有效降低系统功耗,并验证了电路的可行性.
- 沈琪王伟印顾晓峰赵琳娜于宗光
- 关键词：ΣΔ调制器级联结构非理想因素
- 自支撑衬底n-GaN肖特基接触的电流输运机制研究
- 2017年
- 在自支撑衬底n-GaN外延片上制备了圆形Ni/Au/n-GaN肖特基接触结构,测量和分析器件的变温电流-电压(I-V)特性,研究了其正向和反向电流的输运机制。结果表明:在正向偏压下,随着温度从300K增加至420K,器件的理想因子由1.8减小至1.2,表明在高温下复合机制逐渐被热发射机制替代;在反向小偏压下,漏电流表现显著的温度和电压依赖特性,且ln(I)-E^(1/2)数据满足较好线性规律,这表明肖特基效应的电子热发射机制应占主导;而在更高的反向偏压下,电流逐渐变成温度的弱函数,且数据遵循ln(I/E^2)-1/E线性依赖关系,该行为与Fowler-Nordheim隧穿特性一致。
- 牟文杰赵琳娜翟阳朱培敏陈雷雷闫大为顾晓峰
- 关键词：肖特基二极管肖特基效应
- 基于0.18μm CMOS RF工艺的有源电感设计与优化被引量：1
- 2012年
- 提出一种带负反馈的新型折叠共源共栅有源电感,对相关电路结构和参数进行了设计,分析了影响有源电感性能的各种因素。基于TSMC 0.18μm 1P6M CMOS工艺,利用CadenceSpectreRF对电路进行了仿真和优化,得到电感值最大为138nH,品质因子Q可达到59。
- 王伟印沈琪顾晓峰赵琳娜
- 关键词：有源电感折叠共源共栅品质因子
- 通用可编程接口IP核的设计与实现
- 2015年
- 为满足SoC外设接口高带宽、外部电路接口多样性的要求,利用可编程状态机和波形描述符存储器,设计了一种通用可编程接口IP核。分别从接口硬件连接设计、固件程序设计、波形描述符设计和仿真平台设计等方面对接口的设计流程进行了详述。以8051 CPU核为基础,利用所设计的接口IP核构建了仿真验证环境,对接口IP核编程后实现了对外部存储器的访问,并通过比较写出和读入的数据验证了设计的正确性。
- 胡小刚赵琳娜虞致国魏敬和顾晓峰
- 关键词：系统芯片通用可编程接口IP核数据传输
- 5.8GHz低噪声放大器的设计与优化
- 2013年
- 设计了一种低压、低功耗、输出阻抗匹配稳定的CMOS差分低噪声放大器。基于源极电感负反馈共源共栅结构,提出了基于MOS管中等反型区最小化Vdd.Id的方法,以优化功耗。在共栅晶体管处并联正反馈电容,以提升电路增益。对电路的噪声系数、输出阻抗稳定性、芯片面积等也进行了优化。仿真结果表明,当电源电压为1V,工作频率为5.8GHz时,设计的低噪声放大器的噪声系数为1.53dB,输入回波损耗为-22.4dB,输出回波损耗为-24.6dB,功率增益为19.2dB,直流功耗为4.6mW。
- 王伟印赵琳娜沈琪顾晓峰
- 关键词：低噪声放大器共源共栅
- 一种数模混合SoC的系统级后仿真验证平台被引量：1
- 2015年
- 针对传统大规模数模混合So C后仿真验证过慢的问题,提出了一种数模混合SoC系统级后仿真验证平台。该平台充分利用主流EDA工具,在传统Verilog-cdl后仿真验证平台的基础上,将原本网表中耗时长的模块用Verilog模型替换,使用Verilog-cdl-Verilog仿真方法,明显加快了仿真速度。从验证环境搭建、系统脚本设计、仿真接口设计3个方面详述了仿真平台的设计流程,并通过指令集功能的仿真实现,证明了平台的可行性和可靠性。该验证平台有助于缩短大规模数模混合SoC的开发周期。
- 胡小刚赵琳娜虞致国魏敬和顾晓峰
- 一种低杂散锁相环频率综合器被引量：1
- 2016年
- 基于SMIC 0.13μm CMOS工艺,设计了一种锁定频率范围为0.25-1.25GHz的低杂散锁相环频率合成器。该电路采用一种改进的高精度电荷泵,以减小电荷共享、电流失配等非理想效应,降低了相位误差,减少了输出信号的参考杂散;采用压控电阻器作为延迟单元,设计了一种输出频率广、相位噪声低的压控振荡器。Spectre仿真显示,输出电平在0.3-1.1V范围时,电荷泵的充放电电流失配仅为0.2%,锁相环锁定后的杂散小于-90dBm,满足了低杂散的设计要求。
- 吴江虞致国王亚军赵琳娜魏敬和顾晓峰
- 关键词：锁相环低杂散频率综合器电荷泵压控振荡器
- 基于镜像结构的改进型片上集成线性稳压器
- 2017年
- 基于镜像结构,设计了一种改进型片上集成线性稳压器。在NMOS源跟随器结构的后级单元中增加了低增益反馈回路,不仅继承了常规镜像结构良好的负载瞬态响应性能,而且获得了低的负载调整率。仿真结果表明,相比于常规镜像结构的线性稳压器,改进型线性稳压器的负载调整率降低了26.14%,静态电流为9.8μA,电源抑制比达到72.82dB。该线性稳压器可在10μs内实现0.1~100mA脉冲信号变化的快速响应,且过冲电压和欠冲电压均小于100mV。
- 梁思思虞致国赵琳娜顾晓峰
- 关键词：线性稳压器
