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赵玲莉

作品数：9 被引量：29H指数：3
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家科技部专项基金国家科技攻关计划更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇机械工程

主题

  • 5篇光刻
  • 5篇X射线光刻
  • 5篇LPCVD
  • 4篇氮化硅
  • 3篇氮化
  • 3篇氮化硅薄膜
  • 3篇掩模
  • 3篇硅薄膜
  • 2篇室温
  • 2篇可见光发射
  • 2篇光发射
  • 2篇光刻技术
  • 2篇发光
  • 2篇X射线光刻技...
  • 1篇氮化硅膜
  • 1篇亚微米
  • 1篇射线
  • 1篇深亚微米
  • 1篇碳化硅
  • 1篇退火

机构

  • 8篇中国科学院微...
  • 2篇中国科学院
  • 2篇中国科学技术...
  • 1篇中国科学院研...
  • 1篇信息产业部

作者

  • 9篇赵玲莉
  • 8篇叶甜春
  • 5篇胥兴才
  • 5篇谢常青
  • 5篇陈大鹏
  • 4篇孙宝银
  • 4篇李兵
  • 3篇刘渝珍
  • 3篇陈梦真
  • 3篇石万全
  • 3篇韩敬东
  • 2篇韩一琴
  • 2篇刘世祥
  • 2篇陈朝晖
  • 1篇杨清华
  • 1篇朱樟震
  • 1篇张菊芳
  • 1篇赵静
  • 1篇韩劲东
  • 1篇刘训春

传媒

  • 2篇Journa...
  • 2篇发光学报
  • 2篇第十一届全国...
  • 1篇半导体情报
  • 1篇半导体技术
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2003
  • 3篇2001
  • 3篇2000
  • 1篇1999
  • 1篇1997
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
同步辐射x射线光刻实验研究被引量：1
1997年
采用侧墙工艺技术研制深亚微米ｘ射线掩模，并在北京同步辐射装置光刻束线上进行了同步辐射ｘ射线曝光实验。
谢常青陈梦真赵玲莉孙宝银韩敬东朱樟震张菊芳
关键词：X射线光刻X射线掩模
0.1-0.3μm X射线光刻技术在GaAs器件制作中的应用
2000年
对同步辐射X射线光刻及在GaAsPHEMT器件制作中的应用进行了研究,并制作出栅长0.15μm的AlGaAs/InGaAs/GaAsPHEMT晶体管。研究结果表明,X射线光刻在剥离图形及T型栅结构制作工艺中具有极好的光刻图形质量，在混合光刻工艺中，抑止GaAs合金点的形成是取得良好对准标记的关键。
叶甜春谢常青李兵陈大鹏陈朝晖赵玲莉胥兴才刘训春张绵赵静
关键词：X射线光刻PHEMTT型栅
碳化硅X射线光刻掩膜初步研究
本文报到了采用LPCVD方法制备碳化硅薄膜的初步结果,经XRD分析和背腐蚀成膜实验,获得了面积达20×30mm<'2>的薄膜窗口.此种方法可用于X射线光刻掩模衬基制备.
陈大鹏叶甜春李兵韩劲东赵玲莉胥兴才
关键词：碳化硅LPCVDX射线光刻光刻掩模
文献传递
深亚微米同步辐射x射线光刻技术被引量：1
2000年
报道了我们制作深亚微米 x射线掩模的工艺和同步辐射 x射线曝光工艺 ,并报道了我们在北京同步辐射装置 (BSRF) 3B1 A光刻束线所获得的深亚微米
谢常青叶甜春陈大鹏赵玲莉胥兴才
关键词：X射线光刻深亚微米
RTA对氮化硅薄膜发光光谱的影响被引量：1
2003年
在 5 0eV的激光激发下 ,在室温下富硅的LPCVD氮化硅薄膜可发射六个PL峰 ,其峰位分别为 2 97,2 77,2 5 5 ,2 32 ,2 10 ,1 9eV。经 90 0～ 110 0℃在N2 气氛下快速退火 (RTA)处理后 ,样品的六个PL峰变为3 1,3 0 ,2 85 ,2 6 ,2 36 ,2 2eV。本文对退火前后PL峰的产生和变化机制进行了初步探讨。
刘渝珍石万全赵玲莉孙宝银叶甜春
关键词：发光光谱LPCVD氮化硅薄膜快速退火RTA
X射线光刻技术研究
作者对同步辐射X射线光刻技术,包括掩膜、对准技术、光刻工艺及模拟、器件与电器制作进行了研究,已建立起一套较为完整的深亚微米X射线光刻技术,并研制出0.15微米的GaAs PHEMT器件与0.25微米的GaAs实验电路.
叶甜春谢常青陈大鹏李兵胥兴才赵玲莉韩敬东胥俊鸿陈朝晖孙加兴杨清华
关键词：X射线光刻掩模光刻工艺
文献传递
LPCVD制备纳米硅镶嵌结构氮化硅膜及其内应力被引量：18
2001年
报道了在采用 L PCVD法制备的富硅 Si Nx 膜中发现的部分晶化的硅镶嵌微结构 .视生长条件和工艺不同 ,该结构的尺度范围从数十到几百纳米不等 .利用不同条件下生长的 Si Nx 膜的应力测试结果和透射电镜观测结果 ,分析了富硅型 Si Nx 膜的微结构的成因及其与膜内应力之间的相互影响 ,对富硅型 Si Nx 膜的 L PCVD生长工艺进行优化 ,大大降低了膜的张应力 ,无支撑成膜面积可达 4 0 m m× 4 0 mm.通过这一研究结果 ,实现了 L PCVD可控制生长确定张应力的 Si Nx
陈大鹏叶甜春谢常青李兵赵玲莉韩敬东胥兴才
关键词：LPCVD氮化硅
LPCVD氮化硅薄膜室温高强度可见光发射被引量：6
1999年
在５．０ｅＶ的激光激发下，在室温下ＬＰＣＶＤ氮化硅薄膜可发射高强度可见荧光，其峰位位置分别为２．９７，２．７７，２．５５，２．３２，２．１０和１．９０ｅＶ的六个ＰＬ峰，建立了其可见荧光发射的能隙态模型，并初步讨论了其发光机制．
刘渝珍石万全刘世祥姚德成刘金龙韩一琴赵玲莉孙宝银叶甜春陈梦真
关键词：LPCVD氮化硅室温激光激发
LPCVD氮化硅薄膜的室温可见光发射被引量：4
2000年
在 4.66e V的激光激发下 ,在室温下 LPCVD氮化硅薄膜可发射高强度可见光 ,其峰位位置分别为 2 .97,2 .77,2 .55,2 .32 ,2 .1 0和 1 .90 e V的 6个 PL峰 ,建立了可见光发射的能隙态模型 。
刘渝珍石万全韩一琴刘世祥赵玲莉孙宝银叶甜春陈梦真
关键词：LPCVD光致发光
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