赵朝阳
- 作品数：7 被引量：22H指数：3
- 供职机构：中国科学技术大学核科学技术学院国家同步辐射实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程重要方向项目中国科学院知识创新工程更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 不同衬底材料的ZnO/Si异质结I-V及光电特性被引量：5
- 2008年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)技术和微电子平面工艺,用不同表面掺杂的Si作为衬底制备了ZnO/Si异质结,并且以p-Si(p-)为衬底制备了ZnO(含Mn0.2%)/Si异质结、包含SiC缓冲层的ZnO/SiC/Si和ZnO(含Mn0.2%)/SiC/Si结构,测试了样品的XRD曲线、I-V特性曲线和P-E(光电响应)特性曲线.结果发现ZnO/n-Si结有很低的反向暗电流,SiC缓冲层能提高反向击穿电压,ZnO/p-Si(p+)异质结能有较强的光电响应,ZnO/n-Si(n-)更适合作为大波段区间的光探测器.还发现波长470,480,490nm处类似于声子伴线的光谱结构.
- 刘峥嵘谢家纯郭俊福李雪白赵朝阳刘文齐傅竹西
- 关键词：ZNO脉冲激光沉积深能级
- N位十进密钥可控随机编码器研制及其应用研究
- 该文首先介绍了电码网络防伪的发展状况,对电码防伪系统的体系结构及关键技术进行了分析和阐述.在导师吕述望教授和刘振华教授多年从事的'具有密码学性质的短序列研究'的成果基础上,研制出N位十进密钥可控随机编码器,针对编码器设计...
- 赵朝阳
- 关键词：电码防伪分组密码
- 文献传递
- ZnO/Si(111)界面结构的同步辐射掠入射X射线衍射研究被引量：3
- 2007年
- 在不同的衬底温度下,用脉冲激光沉积(PLD)方法制备了c轴高度取向的ZnO薄膜.采用同步辐射掠入射X射线衍射(GID)技术研究了ZnO薄膜与Si(111)衬底的界面结构.GID结果表明:不管衬底温度是500℃还是300℃,在无氧气氛下用PLD方法制备的ZnO外延膜均处于压应力状态,且随着X射线探测深度的增加,应力增大.结合常规X射线衍射技术,计算了薄膜内的双轴应力;给出了样品的泊松比和c/a值,得出两样品均接近理想的六方密堆积结构,偏离标准的ZnO值.综合各方面实验结果,说明衬底温度控制在500℃时生长的ZnO薄膜具有较好的晶体质量.
- 赵朝阳李锐鹏孙柏徐彭寿张国斌潘国强
- 关键词：ZNOPLD
- SiC缓冲层对Si表面生长的ZnO薄膜结构和光电性能的改善被引量：3
- 2009年
- 用脉冲激光沉积(PLD)技术制备了ZnO/SiC/Si和ZnO/Si薄膜并制成了紫外探测器。利用X射线衍射(XRD),光致发光(PL)谱,I-V曲线和光电响应谱对薄膜的结构和光电性能进行了研究。实验结果表明:SiC缓冲层改善了ZnO薄膜的结晶质量和光电性能,其原因可能是SiC作为柔性衬底能够减少ZnO与Si之间大的晶格失配和热失配导致的界面缺陷和界面态。
- 康朝阳赵朝阳刘峥嵘孙柏唐军徐彭寿谢家纯
- 关键词：ZNO薄膜SI(111)衬底光电性能
- PLD制备的ZnO/SiC/Si薄膜的光电特性及Mn掺杂ZnO薄膜的结构和磁性研究
- ZnO半导体材料因其在光电子和自旋电子器件等方面的巨大应用潜力，已经引起了人们的广泛关注。
本论文利用PLD(Pulsed Laser Deposition)技术在覆盖有SiC缓冲层的Si衬底上制备出ZnO薄膜...
- 赵朝阳
- 关键词：光电特性ZNO薄膜磁性
- 文献传递
- Mn掺杂对ZnO薄膜结构和光学性质的影响被引量：8
- 2007年
- 利用脉冲激光淀积的方法在Si衬底上生长出了c轴高度取向的ZnO和Zn_(0.9)Mn_(0.1)O薄膜.光致发光结果显示了Mn的掺杂引起了薄膜的带边发射蓝移,强度减弱,紫光发射几乎消失,但绿光发射增强.利用X射线衍射,X射线吸收精细结构和X射线光电子能谱等实验技术对Mn掺杂的ZnO薄膜的结构及其对光学性质影响进行了研究.结果表明:Mn掺入到ZnO薄膜中形成了Zn_(0.9)Mn_(0.1)O合金薄膜,Mn以+2价的价态存在,这就导致了掺Mn以后的薄膜带隙变大,在发光谱中表现为带边发射的蓝移.同时由于掺入的Mn与薄膜中的填隙Zn反应,导致薄膜的结晶性变差,薄膜中的填隙Zn减少,O空位增多,引起带边发射和紫光发射减弱,绿光发射增强.
- 孙柏赵朝阳徐彭寿张国斌韦世强
- 关键词：脉冲激光淀积XAFSXPS
- 6H-SiC单晶表面ZnO薄膜的制备及其结构表征被引量：3
- 2008年
- 利用脉冲激光淀积(PLD)技术在6H-SiC单晶衬底上制备了ZnO薄膜.利用X射线衍射(XRD),反射式高能电子衍射(RHEED)和同步辐射掠入射X射线衍射(SRGID)Φ扫描等实验技术研究了ZnO薄膜的结构.结果表明:在单晶6H-SiC衬底上制备的ZnO薄膜已经达到单晶水平,不同入射角的SRGID结果,显示了ZnO薄膜内部不同深度处α方向的晶格弛豫是不一致的,从接近衬底界面处到薄膜的中间部分再到薄膜的表面处,α方向的晶格常数分别为0.3264、0.3272和0.3223nm.通过计算得到ZnO薄膜的泊松比为0.504,ZnO薄膜与单晶6H-SiC衬底在平行于衬底表面α轴方向的实际晶格失配度为5.84%.
- 孙柏李锐鹏赵朝阳徐彭寿张国斌潘国强陈秀芳徐现刚
- 关键词：脉冲激光淀积氧化锌碳化硅
