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赛小锋

作品数:111 被引量:144H指数:8
供职机构:中国科学院西安光学精密机械研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国科学院知识创新工程更多>>
相关领域:电子电信理学电气工程自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 76篇专利
  • 31篇期刊文章
  • 3篇科技成果
  • 1篇会议论文

领域

  • 22篇电子电信
  • 14篇理学
  • 8篇电气工程
  • 7篇自动化与计算...
  • 5篇机械工程
  • 1篇天文地球
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇核科学技术

主题

  • 36篇光电
  • 20篇探测器
  • 19篇光电阴极
  • 16篇倍增管
  • 14篇光电倍增管
  • 13篇电子倍增器
  • 12篇光学
  • 10篇光电探测
  • 10篇分辨率
  • 9篇阳极
  • 9篇时间分辨率
  • 9篇像管
  • 9篇像增强器
  • 9篇变像管
  • 8篇半导体
  • 7篇信号
  • 7篇阴极
  • 7篇微通道板
  • 7篇聚焦电极
  • 7篇激光

机构

  • 111篇中国科学院
  • 6篇中国科学院研...
  • 5篇中国科学院大...
  • 3篇长安大学
  • 3篇西北大学
  • 2篇吉林大学
  • 2篇山西大学
  • 1篇亳州师范高等...
  • 1篇西北核技术研...
  • 1篇西安石油大学

作者

  • 111篇赛小锋
  • 74篇韦永林
  • 56篇田进寿
  • 44篇刘虎林
  • 42篇王俊锋
  • 41篇徐向晏
  • 38篇赵宝升
  • 36篇卢裕
  • 30篇盛立志
  • 29篇刘永安
  • 29篇温文龙
  • 27篇王兴
  • 26篇陈萍
  • 19篇汪韬
  • 14篇曹希斌
  • 14篇鄢秋荣
  • 14篇高贵龙
  • 13篇高鸿楷
  • 11篇李晓婷
  • 11篇赵卫

传媒

  • 14篇光子学报
  • 4篇物理学报
  • 2篇Journa...
  • 2篇激光与光电子...
  • 2篇光学学报
  • 2篇应用光学
  • 2篇真空科学与技...
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇电子工艺技术
  • 1篇高速摄影与光...
  • 1篇中国有色金属...

年份

  • 5篇2024
  • 3篇2022
  • 5篇2021
  • 2篇2020
  • 7篇2019
  • 12篇2018
  • 9篇2017
  • 3篇2016
  • 7篇2015
  • 7篇2014
  • 6篇2013
  • 8篇2012
  • 1篇2011
  • 4篇2010
  • 5篇2009
  • 6篇2008
  • 2篇2007
  • 2篇2006
  • 3篇2005
  • 1篇2004
111 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
高分辨紫外电子轰击互补金属氧化物半导体器件的实验研究被引量:13
2018年
基于真空紫外光电阴极和背照式互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器研制了紫外光响应的电子轰击CMOS(EBCMOS)器件,实现了EBCMOS器件在40 mlx光照度环境下的高分辨探测,电子图像灰度随电子能量的变化呈现出极好的线性关系.对器件成像分辨率测试的结果表明,在电场强度为5000 V/mm时,器件的空间分辨率可以达到25 lp/mm,与国际相关报道水平相当.研制的EBCMOS器件可直接在紫外弱光探测领域应用,如天文观察、高能物理、遥感测绘等,同时也可为下一步研制可见光和近红外敏感的EBCMOS器件提供参考.
刘虎林王兴田进寿赛小锋韦永林温文龙王俊锋徐向晏王超卢裕何凯陈萍辛丽伟
关键词:互补金属氧化物半导体微光成像紫外探测
一种日盲紫外像增强器空间分辨率测试装置及方法
本发明提供了一种色差小、球差小、加工简单、易装调、结构紧凑、操作简单的日盲紫外像增强器空间分辨率测试装置,解决了现有装置球差较大,非球面镜加工、检验比较困难,系统装调难度较大的问题。测试装置包括依次设置的紫外光源、毛玻璃...
韦永林赛小锋田进寿卢裕王兴徐向晏刘虎林
位敏阳极探测器及其制作方法
本发明涉及光子计数成像探测技术领域,具体涉及一种位敏阳极探测器及其制作方法,该探测器包括带有光电阴极的阴极窗、MCP电子倍增器、位敏阳极和管状壳体,位敏阳极包括阳极绝缘衬底以及设置在阳极绝缘衬底上的金属膜阳极,金属膜阳极...
韦永林赛小锋刘永安盛立志
文献传递
一种超小型条纹变像管
本实用新型涉及一种超小型条纹变像管,包括球面阴极、预聚焦电极、聚焦电极、阳极、偏转板及球面荧光屏,球面阴极、预聚焦电极、聚焦电极、阳极中依次相邻的两个电极之间通过陶瓷壳连接,两个电极之间陶瓷壳的宽度依据两个电极之间的设定...
卢裕田进寿赵卫王俊峰赛小锋惠丹丹徐向晏
文献传递
高温处理工艺对低压MOCVD外延GaAs/Ge太阳电池的影响被引量:1
2003年
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP MOCVD设备 ,在Ge衬底 (10 0 )面向 (111)偏9°外延生长出GaAs电池结构 ,对电池材料进行了X射线衍射分析 另外 ,对由此材料制成的太阳电池进行了性能测试 ,测试结果表明 ,Ge衬底的高温处理工艺对GaAs/Ge太阳电池的电流电压特性有一定的影响 试验表明 ,在 6 0 0~ 70 0℃之间高温处理效果较好 。
李晓婷汪韬赛小锋高鸿楷
关键词:LP-MOCVDGAAS/GE太阳电池
GaSb衬底上外延InAs_xSb_(1-x)材料的LP-MOCVD研究被引量:4
2005年
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备,在(100)面GaSb单晶衬底上外延生长了InAsSb材料.用X射线双晶衍射、光学显微镜和扫描电镜、电子探针能谱仪等对材料特性进行了表征,分析研究了生长温度、Ⅴ/Ⅲ比、过渡层等对外延层的影响.并且获得了与GaSb衬底晶格失配度较低的表面光亮的晶体质量较好的InAsSb外延层.
李晓婷王一丁汪韬殷景致王警卫赛小锋高鸿楷张志勇
关键词:LP-MOCVDGASBINASSB生长温度
一种用于电子组装故障检测的X射线检测装置
本实用新型涉及一种用于电子组装故障检测的X射线检测装置,包括微焦斑X射线发生装置、二维调节操作台、高分辨率X射线像增强器和CCD摄像机,高分辨率X射线像增强器包括铝窗、可伐合金环、对X射线敏感的反射式光电阴极、微通道板、...
曹希斌赵宝升赛小锋王俊锋韦永林邹玮董改云
文献传递
用于时间分辨光子计数成像的采集卡
本发明涉及用于时间分辨光子计数成像的采集卡,包括光子到达定时信号产生电路、脉冲峰值同步采集单元、开始信号产生电路、恒温晶振时钟电路、可编程逻辑器件、数字信号处理器、时间数字转换器芯片和通信接口电路,脉冲峰值采集单元的输入...
鄢秋荣赵宝升刘永安盛立志韦永林赛小锋
文献传递
一种自适应扩展光电倍增管动态范围的方法
为解决目前通用型光电倍增管由于电子倍增以及传输过程中电子总数过大,而制约光电倍增管动态范围的问题,本发明提供一种自适应扩展光电倍增管动态范围的方法。本发明根据探测光强度自适应调整进入到电子倍增系统的电子数目,使得电子倍增...
刘虎林温文龙吕沛徐向晏田进寿赛小锋韩彪何凯何建平王俊锋韦永林卢裕王兴陈萍高贵龙辛丽伟
文献传递
一种电真空器件熔封装置及方法
本发明提出一种电真空器件熔封装置及方法,能够减少不可控的工艺环节以及手工操作,提高零件组件产品的一致性和互换性,从而提高电真空光电器件制作的效率及成品率。该熔封装置包括台架、工作台、上模板、升降导柱、火头以及电控单元;所...
卢裕赵卫田进寿王俊锋徐向晏赛小锋韦永林刘虎林温文龙辛丽伟段东平郭军杰张铁何建平
文献传递
共12页<12345678910>
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