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许卫星

作品数:6 被引量:35H指数:4
供职机构:大连理工大学机械工程学院精密与特种加工教育部重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金辽宁省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 5篇激光
  • 5篇激光弯曲
  • 5篇硅片
  • 3篇脉冲
  • 3篇脉冲激光
  • 3篇激光弯曲成形
  • 2篇数值模拟
  • 2篇值模拟
  • 1篇应力
  • 1篇应力应变
  • 1篇图像
  • 1篇图像处理
  • 1篇温度场
  • 1篇路径规划
  • 1篇脉冲宽度
  • 1篇脉冲频率
  • 1篇金属管
  • 1篇金属管材
  • 1篇激光技术
  • 1篇激光清洗

机构

  • 6篇大连理工大学

作者

  • 6篇许卫星
  • 5篇吴东江
  • 5篇王续跃
  • 2篇郭东明
  • 2篇康仁科
  • 1篇许媛
  • 1篇徐云飞
  • 1篇徐文骥
  • 1篇赵福令
  • 1篇马广义
  • 1篇周秋菊
  • 1篇胡亚峰
  • 1篇司马媛
  • 1篇陶春华

传媒

  • 4篇光学精密工程
  • 1篇中国激光

年份

  • 3篇2008
  • 3篇2007
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
金属管材激光弯曲成形的扫描路径规划被引量:7
2008年
基于几何曲率方法,针对AISI304L不锈钢金属直管的激光平面弯曲成形和三维空间弯曲成形进行了路径规划的研究。对平面内弯曲成形,根据目标管形的极值点和拐点将管材分段,取极值点作为路径规划的初始位置,对各分段采用不同的扫描间距以确定加热扫描路径。对三维空间弯曲成形,采用投影分解的方法,把三维成形曲面投影分解为两个二维曲面,分别获取扫描路径和工艺参数,然后组合与简化,获取三维弯曲成形的扫描路径。实验采用Nd∶YAG固体激光器,以平面内正弦曲面弯曲和空间螺旋管弯曲两种形式为例,作为目标形状进行扫描路径规划与实验验证,扫描弯曲结果证明了扫描路径规划方法的有效性。
王续跃陶春华许卫星徐云飞吴东江
关键词:激光技术激光弯曲路径规划金属管材
利用图像处理技术评价硅片表面清洗率被引量:6
2007年
介绍了一种基于Matlab图像处理工具箱技术的评价硅片表面污染颗粒激光清洗率的新方法。借助Matlab图像处理工具箱,对清洗前后硅片表面光学显微镜照片进行处理,编写硅片表面激光干法清洗率的评价程序,统计清洗前后硅片表面评价区域的污染颗粒个数,对清洗效果进行定量评价。研究结果证明,利用此方法统计的颗粒数准确度达97.6%,得到的激光清洗率准确度达99.2%。结果表明,借助图像处理技术评定清洗效果是一种高效、快速、准确的新方法。
王续跃许卫星司马媛吴东江康仁科郭东明
关键词:激光清洗硅片图像处理
硅片激光弯曲成形的数值模拟与实验被引量:8
2008年
介绍了一种利用脉冲激光塑性化弯曲单晶硅片的新方法。在分析和描述光脉冲时空特性的基础上,运用有限元分析软件ANSYS对硅片弯曲过程进行了建模仿真,得到了脉冲激光弯曲过程中温度场与应力应变的仿真结果。描述了脉冲激光作用过程中温度场与应力应变的周期性瞬间变化特征,指出了脆性材料硅片的脉冲激光弯曲机理不属于简单意义上的温度梯度机理或屈曲机理,而是两种机理共同作用的结果。通过6次扫描实验,实现了对硅片的有效弯曲,弯曲角度达6.5°,仿真结果与验证性实验相符。
王续跃许卫星徐文骥吴东江康仁科郭东明
关键词:硅片脉冲激光数值模拟
基于吸收系数修正的硅片激光弯曲模拟与实验被引量:3
2008年
考虑热吸收系数随温度变化的因素,以硅为对象进行了激光弯曲模拟和实验。借助APDL语言编写了激光弯曲成形的仿真程序,对单脉冲作用过程进行模拟,以得到单点脉冲周期内的温度分布;采用NiCr/NiSi合金薄膜热电偶对单脉冲作用过程中的温度分布进行测量,对比上述的温度模拟与测量结果,修正硅材料的激光综合吸收系数为0.82。采用有限元分析软件实现了硅片的脉冲激光弯曲成形的仿真和模拟,并对硅片多次连续扫描的弯曲模拟与弯曲实验进行对比,误差仅为0.1°,验证了仿真程序的有效性,为硅片的激光弯曲成形提供了理论与实验依据。
王续跃胡亚峰许卫星吴东江
关键词:激光弯曲脉冲激光硅片
长脉宽脉冲激光硅片弯曲成形试验被引量:16
2007年
利用毫秒脉宽Nd:YAG激光对硅片进行了弯曲试验,给出了长脉宽脉冲激光弯曲硅片的能量阈值条件。研究了长脉宽Nd:YAG激光脉冲频率和脉冲宽度参数对硅片弯曲角度的影响,同时说明了脉冲频率和脉冲宽度参数对弯曲角度的影响可以转换成扫描速度和功率密度对弯曲角度的影响,并对试验结果进行了分析,引入了脉冲占空比来表征能量的时域分布对弯曲现象的影响。试验结果表明,采用毫秒量级脉冲激光可以对硅片进行弯曲加工,弯曲角度可达20°以上。
吴东江马广义周秋菊许卫星许媛王续跃赵福令
关键词:激光弯曲硅片脉冲频率脉冲宽度
硅片激光弯曲成形的数值模拟及试验
单晶硅作为主要的半导体材料,不但具有良好的电子特性,而且具有很好的机械性能,被广泛应用于各种领域。在MEMS中三维硅微结构元件主要通过刻蚀实现,因此都保留在原基体内部,但如果利用硅的塑性在高温下直接成形,则可将元件成形到...
许卫星
关键词:硅片激光弯曲成形温度场应力应变
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