言智
- 作品数：39 被引量：49H指数：5
- 供职机构：上海工程技术大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金上海市高校选拔培养优秀青年教师科研专项基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信金属学及工艺电气工程更多>>
- Al掺杂量对Cu(In_(1-x)Al_x)S_2薄膜性能的影响
- 2016年
- 使用廉价的溶剂热法制备黄铜矿结构的Cu（In1-xAlx）S2薄膜，研究Al掺杂量对Cu（In1-xAlx）S2薄膜的晶体结构、形貌、粗糙度和光学性能的影响。结果表明：随着Al掺杂量的增加，Cu（In1-xAlx）S2薄膜的X射线衍射峰向高角度偏移，同时晶粒尺寸变小。CuInS2的原位变温XRD结果显示CuInS2在低于873K时可以稳定存在，当温度达到873K时CuInS2则开始分解为In2S3和Cu2S。AFM的测试结果展示薄膜表面的粗糙度随着Al掺杂量的增加而逐步降低。紫外分光光度计的测试结果呈现Cu（In1-xAlx）S2薄膜透过率随着Al含量的增加而逐步增加。Al／（Al＋In）的量在0-0．5变化时，Cu（In1-xAlx）S2薄膜的禁带宽度的相应变化为1．56～2．24eV。
- 邓卫之言智邓沛然王莹方亚林
- Cr5MoV冷作模具钢的亚温淬火工艺
- 本发明公开了一种Cr5MoV冷作模具钢的亚温淬火工艺，其特征在于，包括具体如下步骤：a）将Cr5MoV钢加热至680±10℃，在同一温度下保温2‑3小时；b）然后再将Cr5MoV钢加热至925±10℃，在同一温度下保温3...
- 邓沛然言智曹阳根刘淑梅李崇桂徐培全
- 文献传递
- 一种强韧耐磨高硼钢的制备方法
- 本发明公开了一种强韧耐磨高硼钢的制备方法，是首先对合金液进行变质处理，再在电磁搅拌下进行浇铸成型。本发明通过变质处理和在电磁搅拌下进行浇铸成型的复合处理，可以获得晶粒非常细化的组织，可将现有技术难以消除的晶界连续分布的F...
- 邓沛然言智马春伟李培耀徐培全
- 文献传递
- 低温度梯度中磁性材料的晶体取向生长控制方法
- 一种金属功能材料技术领域的静磁场诱导在低温度梯度的凝固过程实现晶体沿易轴取向的凝固方法，具体步骤如下：(1)长棒试样在炉内加热，长棒试样温度分布由低到高；(2)长棒试样的低端温度控制在固液相中固相成分小于5％的温度，保温...
- 邓沛然言智李崇桂闫华
- ZnO压电薄膜谐振器及BYFO多铁体研究
- 现代检测技术要求传感器微型化、单元化、集成化：对于生物传感器，微量、高灵敏和特异性检测是其发展方向。传统的石英晶体微天平受本身厚度和面积的限制，难以获得高谐振频率和高灵敏度。由此，探索新型压电薄膜谐振器来替代传统石英晶体...
- 言智
- 关键词：压电薄膜生物传感器谐振器铁电性能
- 文献传递
- 一种水陆空三用车
- 本实用新型涉及机械技术领域，提供了一种水陆空三用车，其特征在于，包含：一种水陆空三用车，包括驱动马达、外壳、前右轮、前左轮、后右轮、后左轮、仪表显示仪、方向手柄、车底盘、车座椅、油箱，其特征在于，还包括：设置于前端的进气...
- 李明宓一鸣言智季鑫宋诗高
- 文献传递
- 一种金属掺杂ZnO薄膜的制备方法
- 本发明涉及半导体材料领域，具体地是一种金属掺杂ZnO薄膜的制备方法，其特征在于步骤如下衬底清洗后放入磁控溅射装置室中，其反应室抽取成高洁净度真空；采用高纯度金属条为掺杂物及高纯度Zn为原料，将金属条按若干比例固定于Zn靶...
- 言智张恩霞周细应何佳于治水
- 文献传递
- 工艺案例在《微电子器件可靠性》中的运用与实践被引量：1
- 2014年
- 概括国内外可靠性课程与可靠性专业的整体布局和设置状况。简要介绍《微电子器件可靠性》课程的特点,分析《微电子器件可靠性》课程中的核心模块和有机联系。以企业中通用型CMOS晶体管的生产制作为例,以生产过程中注入工艺参数Dvt、DNF、DP执行、成品的阈值电压电参数Vtn、Vtp测试等进行体验式教学,将核心模块中数学、半导体物理、芯片制造、管理等串联起来,构建了《微电子器件可靠性》课程中工艺案例的运用与实践。
- 张霞于治水姚宝殿言智郑祺
- 关键词：电子器件可靠性CMOS
- 靶基距对柔性基底上脉冲激光沉积透明导电薄膜的影响被引量：3
- 2012年
- 采用脉冲激光沉积法,控制靶基距分别为4,6,8cm,在聚乙烯对苯二甲酸酯基底上沉积铟锌氧化物、铟锡氧化物和铝掺杂氧化锌薄膜,研究了靶基距对薄膜电学、光学、形态和结构特性的影响。结果表明:采用6～8cm靶基距制备的TCO薄膜,在可见光范围内的光学透光率超过90%,电阻率约为5×10-4Ω.cm;除了这些优良的电学和光学特性外,靶基距8cm制备的薄膜均匀、光滑、附着好,且无裂缝或任何其它扩展的缺陷,适用于光电设备。
- 李明宓一鸣言智季鑫
- 关键词：脉冲激光沉积透明导电氧化物
- 激光热冲击引起PZT压电薄膜铁电性能的变化被引量：8
- 2004年
- 应用高能量单脉冲激光作用在锆钛酸铅 (PZT)压电薄膜上 ,研究脉冲激光的热冲击对PZT薄膜性能产生的影响。发现在激光未烧熔薄膜的能量密度下 ,经过激光作用后 ,PZT薄膜的铁电性能发生变化 :在外加电压为 6V时 ,剩余极化强度值Pr 从 32 6 99μC/cm2 变到 2 6 316 μC/cm2 ;矫顽电场保持为 38 396kV/cm不变 ;疲劳性能变稳定 ,在循环 1 75× 10 9次时 Pr 衰变率由 4 4 3%变为 34 7%。最后讨论分析了产生这种现象的微观机理。
- 言智郑学军周益春
- 关键词：薄膜物理学压电薄膜脉冲激光热冲击
