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袁湘龙
作品数:
9
被引量:19
H指数:3
供职机构:
中国科学院上海硅酸盐研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
理学
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合作作者
沈定中
中国科学院上海硅酸盐研究所
殷之文
中国科学院上海硅酸盐研究所
邓群
中国科学院上海硅酸盐研究所
张黎星
中国科学院上海硅酸盐研究所
李培俊
中国科学院上海硅酸盐研究所
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1999
1篇
1997
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1995
3篇
1994
1篇
1992
共
9
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氟化钡晶体光学透射的伽马辐照诱导损伤效应
被引量:2
1992年
用脱氧剂非真空环境下 Stockbager 方法生长未掺和掺 La 的 BaF_2晶体.测量块状晶体光学透射的^(60)Co 的10~6radγ辐照损伤效应,提供辐照过程中色心形成和辐照后短期恢复信息,经退火和乙醇抛光后晶体透射已完全恢复到未辐照前的值.
沈定中
刘建成
苏伟堂
潘志雷
王效仙
袁湘龙
殷之文
关键词:
氟化钡
纯CsI晶体发光特性
被引量:4
1997年
测量了用Stockbager方法生长的纯CsI晶体的光学透射、X射线激发的发射谱、能谱特性和衰减时间特性.该晶体有二个闪烁分量,峰值位于310nm的发光分量是快分量(<40ns),450um处的发光分量是慢分量(~2.4μs).慢分量的发光强度不稳定,并受晶体中缺陷I-空位的影响较大.文中还给出快、慢发光强度比值91.8%.
沈定中
邓群
袁湘龙
张黎星
殷之文
关键词:
晶体缺陷
发光性
生长大尺寸、高质量氟化铅(PbF2)晶体的新技术
本发明给出在非真空、不加压、不通气氛的条件下,在普通的、自已能搭建的生长氧化物晶体的生长炉内用下降法生长出在高温下极易分解的PbF2晶体,生长出的晶体光学透光率好。;本发明使生长PbF2晶体的复杂的工艺条件变得非常简便,...
沈定中
殷之文
袁湘龙
洪虹
张黎星
李培俊
文献传递
大尺寸氟化铅晶体的生长
被引量:4
1995年
描述了不用高真空条件,在通常的Bridgman-Stockbarger炉中,用高温下的反应方法,消除了原料及生长炉内残存的O ̄(2-)及OH ̄-,生长出优质、大尺寸的β-PbF_2晶体。在晶体生长时,出现的主要问题是在晶体中的针状结构及开裂,但可通过控制工艺条件来解决。
沈定中
袁湘龙
张黎星
邓群
李培俊
殷之文
关键词:
晶体生长
PbF_2:Gd,Eu晶体X射线激发的发射光谱
被引量:3
1995年
用脱氧剂非真空环境下、Stockbarger方法生长未掺和掺钆和铕的、浓度范围在0.1~0.2wt%的PbF2:β晶体.本文报导X射线激发PbF2:Gd晶体的Gd3+发射.揭示了分别来自6P和6I多重态312.5和277.4nm发射带,而6D→8S发射被点阵再吸收.6I的发射强度低于6P,说明6P能级优先占据.室温下以X射线激发在368.9和814.5nm之间观察到14条Eu3+离子的荧光线,并指定这些立方Eu3+位荧光线.其中,△J=1磁偶极线非常强.PbF2:0.2wt%Gd2O3的总的发射强度稍高于PbF2:0.1wt%Gd2O3.但是,对于PbF2:0.2wt%Eu2O3和PbF2:0.1wt%Eu2O3,他们总的发射强度相近.
沈定中
刘建成
袁湘龙
邓群
殷之文
关键词:
晶体
X射线
发射光谱
铕
电磁量能器
下降法生长大尺寸碘化铯(CsI)晶体新技术
本发明关于坩埚下降法生长优质碘化铯晶体,属于晶体生长领域。用通常石英坩埚下降法生长大尺寸CsI晶体的主要问题是石英坩埚容易开裂,晶体应力大,多晶严重,容易开裂,性能也差。本发明的核心是减少大尺寸晶体应力及定向生长,主要技...
沈定中
殷之文
袁湘龙
张黎星
李培俊
邓群
文献传递
BaF_2:Ce,La,Eu晶体的光谱性质
被引量:7
1994年
用脱氧剂非真空环境下Stockbarger方法生长未掺和掺铈、镧、铕的浓度范围在100~5000ppmwt的BaF2晶体.脱氧剂生长方法具有设备简单,不用抽真空和批量生产透明大单晶的特点.测量了这些晶体在室温下透射、激发,以及X射线和紫外光激发的发射光谱.由X射线激发,掺杂1000ppm的Ce样品具有峰值在307nm和321nm二个发射带,被归为放没有其它邻近铈离子条件下Ce(3+)的5d-4f跃迁.对于掺杂5000ppm的Ce晶体,新的发射带出现在峰值为340nm的326~375nm范围.新的发射带仍是Ce(3+)离子5d-4f跃迁引起的,与其它邻近Ce离子相互作用,使5d能级朝着较低能量迁移.1000ppm的样品具有最大发光强度,以及闪烁波长>300nm具有封闭电子壳层外加阳离子La(3+)很少影响心一价带跃迁(CVT),但是降低慢分量(激子)发射强度.BaF2:1wt%La样品的快/慢分量比>纯的样品的快/慢分量比.镧杂质抑制慢分量,并保持未掺BaF2辐照硬度.X射线激发BaF2:100ppmEu发射光谱呈现二个部分:相对强的300nm本征慢分量发光,以及~430和590nmEu(2+)离子二个特征弱?
沈定中
刘建成
袁湘龙
殷之文
关键词:
氟化钡
铈
镧
铕
下降法生长大尺寸碘化铯(CSI)晶体新技术
本发明关于坩埚下降法生长优质碘化铯晶体,属于晶体生长领域。用通常石英坩埚下降法生长大尺寸CsI晶体的主要问题是石英坩埚容易开裂,晶体应力大,多晶严重,容易开裂,性能也差。本发明的核心是减少大尺寸晶体应力及定向生长,主要技...
沈定中
殷之文
袁湘龙
张黎星
李培俊
邓群
文献传递
BaF_2晶体的取向和入射束的剂量对溅射的影响
1994年
27keVAr ̄+离子束沿法向分别入射在BaF_2单晶(111),(100)和(110)的晶面上,用捕获器方法和Rutherford背散射分析法测定了Ba原子的溅射角分布和溅射产额。结果发现不同取向的晶体表面,它们的溅射产额有明显差异。当用剂量为5×10 ̄17ion/cm的Ar ̄+离子分别轰击这三种晶面时,其溅射产额的顺序Y_(100)>y_(111)>y_(110).对已被上述剂量辐照过的晶面再作相同剂量轰击时,测得的溅射产额明显增大。这些结果被认为是由于在离子辐照过程中表面晶格受损逐步增大所致。
陶振兰
王震遐
朱福英
章骥平
潘冀生
周祖尧
沈定中
袁湘龙
华素坤
关键词:
氟化钡晶体
溅射
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