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蒋恒

作品数:3 被引量:27H指数:3
供职机构:北京科技大学材料科学与工程学院材料学系更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:金属学及工艺电气工程更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程

主题

  • 2篇铝箔
  • 1篇点蚀
  • 1篇点蚀行为
  • 1篇电解电容器
  • 1篇电容
  • 1篇电容器
  • 1篇偏聚
  • 1篇微观结构
  • 1篇微量元素
  • 1篇位错
  • 1篇划痕
  • 1篇高纯铝
  • 1篇纯铝

机构

  • 3篇北京科技大学

作者

  • 3篇毛卫民
  • 3篇蒋恒
  • 2篇冯惠平
  • 2篇杨平
  • 1篇余永宁
  • 1篇李东

传媒

  • 1篇材料工程
  • 1篇中国有色金属...
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2005
  • 1篇2004
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
表面划痕对高纯铝腐蚀发孔的影响被引量:4
2009年
采用沙砾平均粒径分别为10~14(#600)和5~7μm(#1000)砂纸打磨高纯单晶铝(100)和(124)面的方法,模拟生成轧辊划痕,用含有盐酸、硝酸和氢氟酸的混合溶液在表面进行发孔腐蚀,研究了表面位错露头发孔与划痕之间的关系。结果表明:试样表面点蚀坑由畸变能较高、表面张应力梯度较大的位错露头发孔腐蚀形成,表面划痕与位错应力场作用提高了腐蚀发孔率。#1000细砂纸比#600粗砂纸打磨试样可更多地提高表面腐蚀发孔率。(124)面腐蚀孔密度增幅小于(100)面。
李东毛卫民蒋恒
关键词:高纯铝位错划痕
微观结构和微量元素对铝箔腐蚀结构的影响被引量:19
2004年
观察了经300℃退火并分别快冷和慢冷的铝箔表面的电化学腐蚀结构。利用二次离子质谱仪检测了铝箔表面区域Fe、Si、Cu、Mg等微量元素的分布。结果显示:Mg在铝箔外表面的富集高于铝箔内部4个数量级,Fe、Si的富集程度约高2个数量级,而Cu则不足1个数量级。退火后慢速冷却会造成富集于表面的微量元素偏聚于晶界和位错周围,从而会加重腐蚀结构的不均匀性并降低铝箔的比电容。
毛卫民蒋恒杨平冯惠平余永宁
关键词:铝箔微观结构电解电容器
低压阳极铝箔表面状态对铝箔点蚀行为的影响被引量:7
2005年
采用二次离子质谱仪分析了微量元素在低压电解电容器用阳极冷轧铝箔表层的浓度分布。用扫描电子显微镜观察了冷轧箔300℃和500℃真空退火1h后的腐蚀形貌,并检测了相应的比电容值。结果表明,微量元素会不同程度地偏聚在铝箔表层,并进一步富集于表层的位错、机械划痕等缺陷附近。300℃退火1h可以促使铝箔中的微量元素向表面位错附近的富集,但不足以实现向机械划痕区域的富集。500℃退火1h不仅可以实现微量元素向机械划痕区域的富集,而且还会降低缺陷区域平衡偏聚的浓度,使铝箔表面微量元素的分布趋于均匀化。在铝箔的腐蚀过程中点蚀优先在表面缺陷与微量元素相结合的部位出现。表面均匀分布的微量元素会减小点蚀孔坑的大小,并提高点蚀孔坑的密度和腐蚀箔的比电容。
蒋恒毛卫民杨平冯惠平
关键词:铝箔点蚀偏聚
共1页<1>
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