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董和磊

作品数：66 被引量：0H指数：0
供职机构：天津大学更多>>
相关领域：一般工业技术电气工程化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 66篇中文专利

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 21篇电极
  • 18篇电容
  • 17篇压控
  • 14篇变容管
  • 12篇电容器
  • 12篇介电
  • 11篇电容量
  • 11篇温度系数
  • 11篇溅射
  • 10篇钛酸
  • 10篇介电常数
  • 10篇固相烧结
  • 10篇高介电常数
  • 9篇陶瓷
  • 9篇金属
  • 9篇金属电极
  • 8篇调谐
  • 8篇钛酸锶
  • 8篇钛酸锶钡
  • 8篇靶材

机构

  • 66篇天津大学

作者

  • 66篇董和磊
  • 66篇李玲霞
  • 63篇许丹
  • 53篇于仕辉
  • 4篇郑浩然
  • 1篇夏往所
  • 1篇宁平凡
  • 1篇张晓宇

年份

  • 2篇2017
  • 13篇2016
  • 10篇2015
  • 35篇2014
  • 4篇2013
  • 2篇2012
共 66 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
透明铌酸镁铋薄膜压控变容管的制备方法
本发明公开了一种透明铌酸镁铋薄膜压控变容管的制备方法：采用固相烧结法制备Bi<Sub>1.5</Sub>MgNb<Sub>1.5</Sub>O<Sub>7</Sub>靶材，烧成温度为1150～1180℃；再将清洁干燥的氧...
李玲霞于仕辉董和磊许丹金雨馨
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BST/BMN/BST多层复合薄膜的制备方法
本发明的公开了一种BST/BMN/BST多层复合薄膜，通过在两BST薄膜中间增加一层低损耗的BMN介质层从而降低薄膜介电损耗。首先制备钛酸锶钡及铌酸铋镁的前驱体溶胶，再分别将上述前躯体溶胶滴在基片上制备相应的薄膜，再于5...
李玲霞董和磊于仕辉金雨馨许丹
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一种全透型薄膜压控变容管及其制备方法
本发明公开了一种全透型薄膜压控变容管及其制备方法，在玻璃衬底(1)上依次设置有ITO薄膜(2)、BST薄膜(3)和ITO电极(4)；所述ITO薄膜(2)的化学式为Sn<Sub>x</Sub>In<Sub>1-x</Sub...
李玲霞于仕辉董和磊许丹金雨馨
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一种水溶性含铌化合物的制备方法
本发明公开了一种水溶性含铌化合物的制备方法，先将五氧化二铌加入氢氟酸中，其摩尔比为1:10，水浴加热至其全部溶解，再向其中加入氨水，生成铌酸沉淀，再经抽滤、洗涤去除F<Sup>-</Sup>与NH<Sub>4</Sub>...
李玲霞董和磊于仕辉金雨馨许丹
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一种柔性BMN薄膜压控变容管的制备方法
本发明公开了一种柔性BMN薄膜压控变容管的制备方法，首先采用固相烧结法制备BMN即Bi<Sub>1.5</Sub>MgNb<Sub>1.5</Sub>O<Sub>7</Sub>靶材和ZnO靶材，以铜箔为衬底，利用磁控溅射...
李玲霞于仕辉许丹董和磊金雨馨
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一种BMN介质薄膜微波压控电容器的制备方法
本发明公开了一种BMN介质薄膜微波压控电容器的制备方法，首先制备底电极，再通过旋涂-热处理的方法制备铌酸铋镁介质薄膜层，再对介质薄膜层图形化，并于其上制备顶电极；器件尺寸为(550～1200)×(250～600)μm<S...
李玲霞董和磊金雨馨于仕辉许丹
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一种高调谐压控透明氧化镍薄膜电容器的制备方法
本发明公开了一种高调谐压控透明氧化镍薄膜电容器的制备方法：首先清洗基片，再采用磁控溅射方法，以金属Ni为靶材，沉积得到NiO薄膜，再于500‑700℃进行后退火处理；最后以ITO为靶材，制备ITO薄膜顶电极，制得高调谐压...
李玲霞许丹于士辉董和磊金雨馨
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具有稳定电极结构的薄膜电容器及其制备方法
本发明公开了一种具有稳定电极结构的薄膜电容器及其制备方法，在基片的上面依次设置有钛过渡层、Pt/Ti合金层、铂电极层、阻挡层和功能薄膜。先将清洗干净后的基片放入磁控溅射仪真空室中，首先进行钛过渡层的溅射沉积，再进行钛和铂...
李玲霞许丹于士辉董和磊金雨馨
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高介电常数NP0型介质陶瓷及其制备方法
本发明公开了一种高介电常数NP0型介质陶瓷及其制备方法，化学式为(Bi<Sub>1.8</Sub>Zn<Sub>0.2</Sub>)(Zn<Sub>0.5</Sub>Nb<Sub>1.5-x</Sub>Snx)O<Sub...
李玲霞金雨馨董和磊于仕辉许丹
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共面插指电极结构的介质压控微波变容管及其制作方法
本发明公开了一种共面插指电极结构的介质压控微波变容管，在基底的上面依次设置有介质薄膜和插指电极；所述插指电极为Au、Pt或者Al金属制备而成；所述介质薄膜为(Ba<Sub>x</Sub>Sr<Sub>1-x</Sub>)...
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