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文献类型

  • 4篇期刊文章
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  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇化学工程
  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 5篇先驱体
  • 5篇聚硅烷
  • 5篇硅烷
  • 3篇双键
  • 3篇陶瓷
  • 2篇三氯
  • 2篇三氯硅烷
  • 2篇四氢
  • 2篇四氢呋喃
  • 2篇陶瓷先驱体
  • 2篇呋喃
  • 2篇烯丙基
  • 2篇氯硅烷
  • 2篇甲基
  • 2篇甲基三氯硅烷
  • 2篇复合材料
  • 2篇丙基
  • 2篇复合材
  • 1篇电化学
  • 1篇电化学合成

机构

  • 7篇上海大学
  • 2篇安徽建筑工业...

作者

  • 7篇范雪骐
  • 6篇任慕苏
  • 6篇吴市
  • 6篇孙晋良
  • 6篇陈来
  • 5篇张峰君
  • 2篇张家宝
  • 1篇田玲

传媒

  • 1篇高分子材料科...
  • 1篇固体火箭技术
  • 1篇上海大学学报...
  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 1篇2009
  • 4篇2007
  • 2篇2006
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
聚甲基硅烷/二乙烯基苯的交联和裂解被引量:4
2006年
本文研究了在不同的交联制度下,不同配比的聚甲基硅烷(PMS)/二乙烯基苯(DVB)对凝胶含量、陶瓷产率、陶瓷显微结构的影响。结果表明:随保温温度的升高,交联体系凝胶含量、陶瓷产率逐渐增大。PMS/DVB配比越小,陶瓷显微结构的缺陷越多。PMS/DVB配比为1/0.2,保温温度为300℃时,陶瓷产率较高,达到80%。XRD分析表明所得陶瓷为β-SiC。
范雪骐陈来吴市张峰君张家宝任慕苏孙晋良
关键词:先驱体二乙烯基苯交联陶瓷
陶瓷先驱体含硼聚硅烷的合成及陶瓷化研究
本文对陶瓷先驱体含硼聚硅烷的合成及陶瓷化进行了探讨。本研究合成了陶瓷先驱体含硼聚硅烷,利用聚合物浸渗裂解法制备了C/C-B-SiC复合材料,改进了C/C复合材料的抗氧化性能。较系统地研究了合成含硼聚硅烷的影响因素,探索了...
范雪骐
关键词:复合材料陶瓷化
文献传递
含双键聚硅烷的合成方法
本发明涉及一种含双键聚硅烷的制备方法。本发明方法采用电化学合成法,用镁块作阴阳极,将甲基三氯硅烷与烯丙基氯在四氢呋喃溶液中进行聚合,合成出带有双键的聚硅烷。本发明方法得到的含双键聚硅烷且本发明方法反应条件温和,易控制,操...
吴市陈来张峰君范雪骐任慕苏孙晋良
文献传递
陶瓷先驱体聚硅烷的合成与表征被引量:6
2006年
以甲基氢二氯硅烷为单体,利用超声波条件下Wurtz聚合的方法,合成了可溶性聚硅烷,研究了对二溴苯和萘对反应的影响,并用红外光谱(IR)、凝胶渗透色谱(GPC)、X射线衍射(XRD)对产物进行了表征.结果表明:对二溴苯和萘均能使聚合反应平稳进行;在含有对二溴苯的反应体系中,所得聚硅烷的分子量较大,聚硅烷的陶瓷产率较高.对聚合机理作了初步探讨.
张峰君陈来孙晋良任慕苏吴市范雪骐
关键词:聚硅烷陶瓷先驱体
电化学合成的含双键聚硅烷被引量:7
2007年
采用电化学合成法,将甲基三氯硅烷与烯丙基氯进行聚合,合成出带有双键的聚硅烷,通过FT-IR,UV,1H-NM R,GPC表征了其结构,测定了产物的双键含量,并对产物进行了交联固化和高温裂解实验。结果表明,产物中双键保留率为8.2%,双键的引入使聚硅烷获得了很高的质量保留率及较高的陶瓷产率。
吴市陈来张峰君范雪骐任慕苏孙晋良
关键词:聚硅烷双键电化学合成
含双键聚硅烷的合成方法
本发明涉及一种含双键聚硅烷的制备方法。本发明方法采用电化学合成法,用镁块作阴阳极,将甲基三氯硅烷与烯丙基氯在四氢呋喃溶液中进行聚合,合成出带有双键的聚硅烷。本发明方法得到的含双键聚硅烷且本发明方法反应条件温和,易控制,操...
吴市陈来张峰君范雪骐任慕苏孙晋良
文献传递
C/C-B-SiC复合材料的烧蚀性能研究被引量:8
2007年
采用聚合物浸渗裂解法制备了C/C-B-S iC复合材料,用H2-O2焰法对其烧蚀性能进行了研究,并推测了C/C-B-S iC复合材料的烧蚀机理。结果表明,C/C-B-S iC复合材料的烧蚀率随材料密度ρ的增加呈下降趋势,ρ=1.50 g/cm3的C/C-B-S iC复合材料的线烧蚀率相当于ρ=1.86 g/cm3的C/C复合材料的61%,烧蚀时间为60 s时的质量烧蚀率相当于ρ=1.77 g/cm3的C/C复合材料。C/C-B-S iC复合材料在H2-O2焰条件下的烧蚀机制是热化学烧蚀(氧化和升华)和机械冲刷的综合作用。
田玲范雪骐陈来吴市张家宝任慕苏孙晋良
关键词:烧蚀抗氧化
共1页<1>
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