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芦鹏

作品数:62 被引量:69H指数:5
供职机构:长春理工大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金吉林省科技发展计划基金国防基金更多>>
相关领域:电子电信理学机械工程建筑科学更多>>

文献类型

  • 42篇专利
  • 20篇期刊文章

领域

  • 23篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇建筑科学

主题

  • 37篇激光
  • 34篇激光器
  • 31篇半导体
  • 27篇半导体激光
  • 27篇半导体激光器
  • 17篇光电
  • 15篇光电子
  • 13篇腔面
  • 11篇半导体光电
  • 9篇电子器件
  • 9篇光电子器件
  • 8篇半导体光电子...
  • 8篇波导
  • 7篇光束
  • 7篇发散角
  • 6篇电梯
  • 6篇电梯设备
  • 6篇亮度
  • 6篇功率半导体
  • 6篇发光

机构

  • 62篇长春理工大学
  • 3篇吉林大学
  • 1篇中国科学院长...

作者

  • 62篇芦鹏
  • 44篇刘国军
  • 36篇曲轶
  • 32篇乔忠良
  • 27篇薄报学
  • 26篇高欣
  • 26篇李再金
  • 24篇李特
  • 23篇李辉
  • 23篇李占国
  • 20篇李林
  • 19篇王玉霞
  • 17篇李梅
  • 14篇邹永刚
  • 14篇赵英杰
  • 13篇马晓辉
  • 12篇王勇
  • 10篇王勇
  • 9篇郝永芹
  • 9篇郝二娟

传媒

  • 5篇长春理工大学...
  • 2篇中国激光
  • 2篇强激光与粒子...
  • 2篇发光学报
  • 1篇半导体技术
  • 1篇太阳能学报
  • 1篇Journa...
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇光子学报
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇科技创新导报

年份

  • 2篇2016
  • 3篇2015
  • 8篇2014
  • 13篇2013
  • 6篇2012
  • 12篇2011
  • 7篇2010
  • 6篇2009
  • 2篇2007
  • 1篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2003
62 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种带有模式滤波器的高亮度条形半导体激光器
一种带有模式滤波器的高亮度条形半导体激光器属于半导体光电子器件技术领域。该领域已知条形半导体激光器不足之处是输出光束发散角大、发光亮度低等缺点,限制了此类器件在相关领域中的应用。本发明之一种带有模式滤波器的高亮度条形半导...
乔忠良薄报学张斯玉高欣曲轶芦鹏李占国李辉刘国军李梅王玉霞
一种超晶格波导半导体激光器结构
本发明属于光电子技术领域,是一种超晶格波导半导体激光器结构,从下到上依次包括:N型砷化镓衬底,该衬底用于在其上外延生长激光器各层材料;N型砷化镓缓冲层,主要用以调节晶格适配度;N型下限制层,为铟镓砷磷四元化合物材料,用来...
李特张月李再金郝二娟邹永刚芦鹏曲轶刘国军马晓辉
文献传递
一种高亮度超辐射发光二极管
超辐射发光二极管属于半导体光电子器件技术领域。现该领域已知超辐射二极管不足之处是输出功率低、光谱窄等缺点,严重限制了这类器件在相关领域中的应用。本发明之一种高亮度超辐射发光二极管,是通过在传统半导体激光器外延片P面上,经...
乔忠良薄报学高欣么艳平李梅王玉霞芦鹏张斯玉邓敏刘国军李占国
一种抑制传能光纤包层模式传播的方法
本发明涉及一种抑制传能光纤包层模式传播的方法,属于激光技术领域。该领域已知技术难以有效抑制传能光纤包层模式激光的传播,可使传能光纤由于包层模式激光的涂覆层吸收而损坏。同时,包层模式激光的传播也降低了光纤耦合激光输出的光束...
薄报学高欣乔忠良芦鹏王玉霞
文献传递
ZnSe光学薄膜对GaAs表面特性的影响
2013年
GaAs基半导体激光器芯片在空气中解理后,解理腔面会被空气氧化形成腔面缺陷,在腔面形成的缺陷严重影响了器件的寿命。用GaAs衬底表面模拟半导体激光器的解理腔面,研究了不同的光学薄膜对GaAs表面特性的影响。研究结果表明暴露在大气中的GaAs表面会形成Ga2O3、As2O3和As2O5缺陷。在表面镀含氧光学膜的GaAs表面上会形成少量Ga2O3缺陷,不形成As2O3和As2O5缺陷,在表面镀ZnSe光学薄膜的GaAs表面没有形成Ga2O3缺陷,也没有形成As2O3和As2O5缺陷。在GaAs表面上蒸镀ZnSe光学薄膜能有效地抑制GaAs表面缺陷的形成,提高半导体激光器的寿命。
李再金李特芦鹏王勇李林曲轶薄报学刘国军马晓辉
关键词:半导体激光器GAAS表面ZNSE
一种双靶射频磁控共溅射超硬、高效导热、低吸收Al<Sub>x</Sub>Si<Sub>y</Sub>N膜的方法
本发明之一种双靶射频磁控共溅射超硬、高效导热、低吸收Al<Sub>x</Sub>Si<Sub>y</Sub>N膜的方法属于薄膜技术领域。该领域已知同类薄膜不足之处是硬度低、导热差、光吸收大等缺点,限制了相关领域中的应用。...
乔忠良薄报学高欣张斯玉徐扬张秀曲轶芦鹏李辉李占国刘国军
自绝缘氧化限制型850nm垂直腔面发射激光器
2011年
介绍了一种制作氧化限制型垂直腔面发射激光器的新途径,自绝缘工艺。采用该工艺制作了氧化限制型850nm VCSELs。详细地介绍了自绝缘器件的工作原理和制作流程,并对侧氧化相关参数进行了实验研究。在此基础上,制备了不同出光孔径的850nm VCSELs器件,测得出光孔径12μm的器件最大输出功率达到10mW,微分量子效率达到43%。对不同出光孔径的器件输出特性进行了对比,并分析了产生输出特性差异的原因。
李特郝二娟王勇芦鹏李再金李林曲轶刘国军
关键词:NM功率
一种钝化非晶InGaAs薄膜材料的方法
非晶InGaAs薄膜材料属于光电子材料技术领域。非晶InGaAs薄膜材料主要应用于红外探测器材料。以往磁控溅射制备该种材料的不足之处在于其内部缺陷过多,难以达到应用水平。本发明之一种钝化非晶InGaAs薄膜材料的方法,通...
乔忠良么艳平薄报学高欣陈甫魏勇平李梅王玉霞芦鹏李辉曲轶李占国刘国军
文献传递
一种采用应变工程原理和图形衬底结合技术定位生长低密度InAs量子点的MBE外延方法
单光子在理想情况下是由单个量子点发光实现的,因此能够有效隔离单个量子点就变得相当重要。当前,用来制作实现量子点单光子发射器件的InAs/GaAs量子点主要是通过自组织生长方法获得,它们在生长表面上随机分布并且点密度很高,...
刘国军李联合李占国李林李梅尤明慧芦鹏李辉乔忠良高欣曲轶
文献传递
一种长波长锑化物半导体激光器结构
本发明是一种长波长锑化物半导体激光器结构,属于半导体激光器新型材料的外延结构领域。本发明针对锑化物激随波长增加,功率、效率等变差的问题和缺点,提出一种长波长锑化物半导体激光器结构,该激光器结构能够减小因自由载流子吸收等引...
李占国尤明慧刘国军高欣李林李辉芦鹏王勇邹永刚乔忠良李梅曲轶薄报学
共7页<1234567>
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