聂竹华
- 作品数：7 被引量：11H指数：2
- 供职机构：合肥工业大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划安徽省自然科学基金安徽省高校省级自然科学研究项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 直流/射频反应磁控溅射法制备W掺杂VO_X薄膜的工艺和性能被引量：1
- 2011年
- 用直流/射频反应磁控共溅射法分别在玻璃和单晶硅片基底上制备VOX薄膜和W掺杂VOX薄膜,经退火后,对薄膜进行电阻-温度特性、XRD、表面形貌等测试。结果表明:当溅射气压为1.5 Pa、氧氩比为0.8:25 sccm、V靶采用100 W直流电源、W靶10 W射频电源共溅射制备的W掺杂VOX薄膜,经Ar气氛中450℃退火2 h后,薄膜相变温度由未掺杂时的68℃降低到40℃左右。XRD衍射结果表明部分W原子进入了VOX晶格;另外单晶硅片上制备的VOX薄膜的电阻温度系数和电阻值均大于玻璃基片上制备的薄膜。
- 聂竹华李合琴都智储汉奇宋泽润
- 关键词：直流射频磁控共溅射相变温度
- CLAM钢表面硬质薄膜的制备与性能研究
- 2011年
- 采用射频反应磁控溅射法在中国低活化马氏体(CLAM)不锈钢表面制备了单层A12O3、SiC、W薄膜以及SiC/A12O3、W/A12O3双层膜。对所制备的薄膜进行了XRD结构分析、AFM表面形貌测试和显微硬度测试。结果表明:单层SiC薄膜表面出现了部分脱落,而SiC/A12O3双层膜表面完整光滑。W/A12O3双层薄膜表面平整光滑,均方根粗糙度为4.28 nm。W单层薄膜和W/A12O3双层薄膜经氩气中800℃退火2 h后硬度最高,分别达到了34.4 GPa和31.3 GPa。
- 储汉奇李合琴都智聂竹华
- 关键词：射频反应磁控溅射CLAM钢SIC薄膜
- 磁控溅射法制备Cox薄膜的工艺及性能研究
- VO2作为一种热敏功能材料,具有半导体-金属相变特性,在68℃会发生由单斜结构半导体相向金红石结构金属相的可逆转变。相变时的电阻率、磁化率、对光透射率和反射率等都会发生突变,其中薄膜形态VO2的电阻变化幅度可高达4到5个...
- 聂竹华
- 关键词：磁控溅射杨氏模量
- 文献传递
- 奥氏体不锈钢上功能梯度SiC薄膜的制备和性能被引量：4
- 2012年
- 用磁控溅射法在奥氏体不锈钢基片上制备了SiC单层膜和Ti/TiN双层膜以及Ti/TiN/SiC功能梯度薄膜。采用XRD和显微硬度计对薄膜的结晶质量和硬度进行表征;用AFM和SEM对薄膜的表面和截面形貌进行了表征。结果表明:Ti/TiN双层膜在氩氮流量比为15∶15时,薄膜的结晶质量最好,硬度最高,达到15.6 GPa,最适合作为钢基SiC薄膜的缓冲层。另外,功能梯度SiC薄膜比SiC单层膜的结晶质量好;不同退火温度下功能梯度SiC薄膜的硬度高于SiC单层膜,同时功能梯度SiC薄膜的表面结晶质量也优于SiC单层膜。
- 李合琴都智储汉奇聂竹华
- 关键词：SIC薄膜奥氏体不锈钢显微硬度计
- Al_2O_3薄膜的发光性能及其结构研究被引量：1
- 2010年
- 以高纯铝为靶材,在不同氧氩比例下,采用直流反应磁控溅射法制备了Al2O3薄膜。用F-4500型荧光分光光度计测量其荧光光谱,观察到416 nm和438 nm处的光致发光发射谱(PL),是由于氧空位充当的色心所致,且随着氧氩比例的增加,峰的位置基本不变,强度先上升后下降,这是由于氧氩比例的改变导致氧空位浓度变化引起的。通过对未退火及不同温度退火样品的XRD分析发现:室温沉积的Al2O3薄膜为非晶态,400℃退火开始有晶体出现,且退火温度越高,结晶性能越好。
- 储汉奇李合琴聂竹华都智朱景超
- 关键词：AL2O3薄膜直流反应磁控溅射光致发光光谱氧空位XRD
- 磁控溅射工艺对VO_x薄膜结构和性能的影响被引量：2
- 2010年
- 以高纯氧和高纯氩为气源,通过改变薄膜的制备工艺,用直流磁控溅射法在玻璃和单晶硅片上制备了VO_x薄膜,并对其进行了退火处理。借助LCR测试仪和X射线衍射仪,对VO_x薄膜的电阻温度系数、晶体结构进行了检测。结果表明,当溅射气压为1.5Pa,功率为100W,时间为1h,氧氩比为0.8:25时,经450℃退火后,玻璃基片上制备的薄膜的电阻温度系数(TCR)超过-0.02/℃,其结构和性能最好。同时对比了玻璃和单晶硅基片对VO_x薄膜的生长、性能和结构的影响。当氧氩比为0.8:25时,单晶硅片上制得的VO_x薄膜的质量和性能最好。
- 聂竹华李合琴储汉奇都智宋泽润
- 关键词：直流磁控溅射退火电阻温度系数
- 退火温度对磁控溅射SiC薄膜结构和光学性能的影响被引量：3
- 2010年
- 首先采用射频磁控溅射法在单晶Si(100)衬底上沉积制备了SiC薄膜,然后将所制备的薄膜试样分别在600,800和1 000℃氩气氛中退火120 min;采用X射线衍射仪和红外吸收光谱仪分析了薄膜的结构随退火温度的变化,采用荧光分光分度计研究了薄膜的发光性能随退火温度的变化。结果表明:室温制备的SiC薄膜为非晶态,经600℃退火后薄膜结晶,且随着退火温度的升高,薄膜的结晶程度越来越好,并且部分SiC结构发生了由α-SiC到β-SiC的转变;所制备的SiC薄膜在384和408 nm处有两个发光峰,且两峰的强度均随退火温度的升高逐渐变强,其中384nm处的峰源自于SiC的发光,408 nm处的峰源自于碳簇的发光。
- 都智李合琴聂竹华储汉奇朱景超
- 关键词：SIC薄膜射频磁控溅射退火温度光致发光
