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耿继国

作品数:17 被引量:29H指数:3
供职机构:泰山学院物理与电子工程学院更多>>
发文基金:泰山学院科研资助山东省教育科学“十一五”规划课题国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学机械工程一般工业技术文化科学更多>>

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 13篇理学
  • 6篇机械工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信
  • 1篇核科学技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 9篇晶体
  • 9篇光子
  • 9篇光子晶体
  • 8篇一维光子晶体
  • 3篇氮化硼
  • 3篇氮化硼纳米管
  • 3篇折射率
  • 3篇缺陷模
  • 3篇纳米
  • 3篇纳米管
  • 2篇带结构
  • 2篇增益
  • 2篇透射
  • 2篇密度泛函
  • 2篇密度泛函理论
  • 2篇禁带
  • 2篇禁带结构
  • 2篇教学
  • 2篇泛函
  • 2篇泛函理论

机构

  • 11篇泰山学院
  • 4篇北京工业大学
  • 4篇曲阜师范大学
  • 1篇山东科技大学
  • 1篇昆明物理研究...
  • 1篇中国石油大学...

作者

  • 17篇耿继国
  • 4篇石宗华
  • 3篇闫珂柱
  • 3篇宫衍香
  • 2篇杨兆华
  • 2篇李峰
  • 2篇隋曼龄
  • 2篇吴晓梅
  • 1篇李长富
  • 1篇孙海滨
  • 1篇史衍丽
  • 1篇王振东
  • 1篇崔其霞
  • 1篇马传涛
  • 1篇张超
  • 1篇刘婷婷
  • 1篇郑家奎
  • 1篇胡承忠
  • 1篇刘镇洋
  • 1篇王宽

传媒

  • 3篇泰山学院学报
  • 2篇量子光学学报
  • 1篇光谱实验室
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇核技术
  • 1篇物理与工程
  • 1篇电子显微学报
  • 1篇山东师范大学...
  • 1篇长春师范学院...
  • 1篇2012年全...
  • 1篇2013年全...

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2010
  • 5篇2008
  • 4篇2007
  • 2篇2006
17 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
双缺陷光子晶体禁带结构特性研究被引量:12
2006年
用特征矩阵法研究了带有双缺陷的一维光子晶体的禁带结构特性。由于两缺陷间存在相互作用,其禁带结构的性质受到两缺陷间隔光学厚度及缺陷层折射率的影响。定义了描述两缺陷间相互作用强弱的关联系数,进而分析了关联系数与两缺陷层间相隔光学厚度及缺陷层折射率的关系。通过数值计算和计算机模拟,确定了光子晶体结构的特征间隔光学厚度。
耿继国石宗华闫珂柱
Rh原子填充氮化硼纳米管性质的理论研究
本文采取密度泛函方法研究了Rh原子填充氮化硼纳米管的几何结构和电子学特性,并对其做了比较和分析。首先对初始结构进行了优化,得到了所建构型的稳定结构。计算其构型的结合能分别为(a)1.10 eV,(b)2.01 eV,(c...
耿继国隋曼龄
关键词:氮化硼纳米管电子学特性
文献传递
一维光子晶体的折射特性研究
2007年
利用光子晶体的完全色散关系,研究了一维光子晶体中折射角与入射角之间的关系.结果表明,对于一维光子晶体,在第一能带内,存在反常折射现象.当频率越接近能带边缘,且入射角越接近敏感区时,折射角对入射角和频率的变化越敏感.而且,敏感区随频率的增大有向小角度移动的趋势.
耿继国王振东马传涛
关键词:光子晶体
一维光子晶体的折射谱线特性分析被引量:3
2008年
利用光子晶体的完全色散关系,研究了一维光子晶体中折射角与入射角之间的关系。结果表明,对于一维光子晶体,在第一能带内,存在反常折射现象。当频率越接近能带边缘,且入射角越接近敏感区时,折射角对入射角和频率的变化越敏感。而且,敏感区随频率的增大具有向小角度移动的趋势。
张超耿继国
关键词:光子晶体
InAs/GaSbⅡ型超晶格的锯齿形解理
2013年
本文利用高分辨透射电子显微技术及高分辨像几何相位分析技术,对分子束外延方法生长在GaSb(001)面上的InAs/GaSbⅡ型超晶格材料进行了界面显微结构和解理特征的研究。众所周知,InAs和GaSb都是立方硫化锌结构,具有平行于{110}面的六组完全解理面,然而,本工作中发现InAs/GaSb超晶格的解理面发生改变,平行于{111}面解理,并在InAs/GaSb界面处发生扭折,呈现锯齿状解理边缘。而在InAs盖帽层即非超晶格区域内,解理面依然平行于{110}面。通过建立超晶胞模型与计算分析表明,在超晶胞中由于共格应力的对称性降低,(110)面的电中性发生改变,导致解理面从电中性的{110}面转变为面网密度最大的{111}面。界面两侧应力分布分析结果表明,锯齿状{111}解理边缘是Ga-As型界面与In-Sb型界面所受应力作用不同的结果。
崔其霞耿继国刘镇洋史衍丽隋曼龄
关键词:INAS解理HRTEM
碳掺杂氮化硼纳米管吸附气体小分子的DFT计算被引量:1
2016年
采用密度泛函理论研究了氮化硼纳米管(Boron nitride nanotubes,BNNTs)及碳掺杂氮化硼纳米管对O2、NO2、F2气体小分子的气敏特性。计算了三种气体小分子吸附在氮化硼纳米管及碳掺杂氮化硼纳米管表面不同位置时的吸附能、相互作用距离,同时还计算得到了气体分子分别吸附在碳掺杂BNNTs不同位置时的电子态密度。研究结果表明,氮化硼纳米管对O2、NO2、F2气体分子比较敏感,碳掺杂氮化硼纳米管可以明显地改变其表面的化学反应活性,增强气体分子与氮化硼纳米管之间的相互作用。
耿继国王宽
关键词:气体分子密度泛函理论
一维光子晶体的折射率研究被引量:2
2007年
对于一维光子晶体反常折射的研究大都基于光子晶体的色散关系解析解,文章作者认为,在光线非正入射时上述方法是不适用的,有必要使用更加合适的方法对一维光子晶体的折射规律加以系统研究,从而对一维光子晶体器件的设计起到些指导作用。文章将一维光子晶体作为二维问题来考察,使用数值方法(平面波展开法)来计算光线在光子晶体中沿各个方向传播时的色散关系,进而得到了折射角与入射角和频率的关系。结果表明:对于一维光子晶体,考查在第一能带范围内的频率,当频率越接近能带边,且入射角越接近敏感区时,折射角对入射角和频率的变化越敏感。而且,敏感区随频率的增大有向小角度移动的趋势。
石宗华耿继国闫珂柱
关键词:光子晶体敏感区
一维双缺陷光子晶体的反射谱特性研究
<正>采用光学传输矩阵法,研究了一维双缺陷光子晶体的反射谱特性.做出了在一定结构下,两缺陷间隔光学厚度与两缺陷模式关联系数之间的关系曲线,每一种光子晶体结构都会存在一个对应的特征间隔光学厚
耿继国
文献传递
含负折射率材料的一维光子晶体缺陷模式的研究被引量:4
2007年
采用光学传输矩阵方法,研究了由正折射率材料和负折射率材料交替组成的一维光子晶体中带有缺陷层时的光学传输特性。计算了含有普通电介质插层和有吸收的介质插层两种情况下的透射谱。结果表明,在正入射时,对于普通电介质插层,随插层厚度的增大,缺陷模的个数增多;对于有吸收特性的介质插层,随插层厚度的增大和吸收特性的增强,缺陷模式并没有出现,而是表现为对透射峰的明显增益。
石宗华耿继国闫珂柱
关键词:光子晶体负折射率材料缺陷模增益
含负折射率材料的一维光子晶体光学传输特性研究
2010年
采用光学传输矩阵方法,研究了由正折射率材料和负折射率材料交替组成的一维光子晶体中带有缺陷层时的光学传输特性.计算了含有普通电介质插层和有吸收的介质插层两种情况下的透射谱.结果表明,在正入射时,对于普通电介质插层,随插层厚度的增大,缺陷模的个数增多;对于有吸收特性的介质插层,随插层厚度的增大和吸收特性的增强,缺陷模式并没有出现,而是表现为对透射峰的明显增益.
耿继国李峰石宗华杨兆华宫衍香
关键词:光子晶体负折射率材料缺陷模增益
共2页<12>
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