罗青山
- 作品数：7 被引量：11H指数：2
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- 相关领域：一般工业技术理学更多>>
- 不同能量密度对脉冲激光沉积纳米硅晶粒尺寸的影响
- 2012年
- 在室温条件下保持Ar环境气体压强不变,采用脉冲激光沉积(PLD)技术,通过改变激光能量密度,在与烧蚀羽辉轴线垂直放置的衬底上沉积了一系列纳米硅晶薄膜,利用扫描电子显微镜(SEM)和拉曼(Raman)散射光谱对样品进行特性分析.结果表明,在能量密度为2～4J/cm2时,衬底上沉积的纳米硅晶粒尺寸和面密度基本不变.结合纳米晶粒成核生长动力学,对结果进行了定性解释.
- 邓泽超罗青山丁学成褚立志王英龙
- 关键词：脉冲激光沉积能量密度晶粒尺寸
- 与靶平行的衬底对PLD制备纳米Si晶粒成核区位置的影响
- 褚立志邓泽超陈超罗青山王世俊
- 该项研究通过引入外加电场对带电烧蚀粒子和纳米Si晶粒施加一个竖直向下的电场力，并通过调节电场强度的大小来控制带电晶粒所受电场力的大小，结合烧蚀粒子的动力学过程列出一系列动力学方程组，并通过数值模拟对其求解，进而比较准确的...
- 关键词：
- 关键词：纳米晶材料
- 外加氦气流下脉冲激光沉积制备纳米硅晶粒成核区宽度的计算被引量：1
- 2011年
- 在室温、10 Pa氦气氛围中,采用脉冲激光沉积(PLD)技术,通过在烧蚀羽辉正上方距靶面不同位置垂直引入一束氦气流,在烧蚀点正下方与烧蚀羽辉轴线平行放置的衬底上沉积了一系列纳米Si晶薄膜。扫描电子显微镜(SEM)、拉曼(Raman)散射光谱和X射线衍射(XRD)谱检测结果均表明,纳米Si晶粒在距靶一定的范围内形成,其尺寸随与靶面距离的增加先增大后减小。在分析衬底上的晶粒尺寸及其位置分布的基础上,结合流体力学模型、成核分区模型、热动力学方程以及晶粒形成后的类平抛运动,计算得出了纳米Si晶粒的成核区宽度为56.2 mm。
- 邓泽超罗青山丁学成褚立志梁伟华陈金忠傅广生王英龙
- 关键词：纳米SI晶粒脉冲激光沉积类平抛运动
- 外加气流对脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒尺寸分布的影响被引量：2
- 2010年
- 提出一种控制脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒尺寸分布的新方法。在10Pa的Ar环境中,采用脉冲激光烧蚀高阻抗单晶硅靶沉积制备了纳米Si晶薄膜。在羽辉正上方2.0cm,距靶0.3～3.0cm范围内的不同位置引入氩气流,在烧蚀点正下方2.0cm处水平放置单晶Si(111)衬底来收集制备的纳米Si晶粒。利用扫描电子显微镜观察样品表面形貌,并对衬底不同位置上纳米Si晶粒进行统计。结果表明:在不引入气流时,晶粒的尺寸随靶衬间距的增加先增大后减小,晶粒尺寸峰值出现在距靶1.7cm处;引入气流后,晶粒尺寸分布发生变化,在距靶1.7cm引入气流时晶粒尺寸峰值最大,在距靶3.0cm引入气流时晶粒尺寸峰值最小,且出现晶粒尺寸峰值的位置随着引入气流位置的增加而增大。
- 王英龙罗青山邓泽超褚立志丁学成梁伟华陈超傅广生
- 关键词：纳米SI晶粒脉冲激光烧蚀环境气体气流
- 不同能量密度下脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒成核生长动力学研究被引量：4
- 2011年
- 在室温、10 Pa氩气环境下,采用脉冲激光烧蚀(PLA)技术,通过改变激光能量密度,在烧蚀点正下方、与烧蚀羽辉轴线平行放置的衬底上沉积制备了一系列纳米Si晶薄膜。采用SEM、Raman散射谱和XRD对纳米Si晶薄膜进行了表征。结果表明:沉积在衬底上的纳米Si晶粒分布在距靶一定的范围内,晶粒尺寸随与靶面距离的增加先增大后减小;随着激光能量密度的增加,晶粒在衬底上的沉积范围双向展宽,但沉积所得最大晶粒尺寸基本保持不变,只是沉积位置随激光能量密度的增加相应后移。结合流体力学模型、成核分区模型和热动力学方程,通过模拟激光烧蚀靶材的动力学过程,对纳米Si晶粒的成核生长动力学过程进行了研究。
- 邓泽超罗青山胡自强丁学成褚立志梁伟华陈金忠傅广生王英龙
- 关键词：脉冲激光烧蚀能量密度
- 脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒成核气压阈值及动力学研究被引量：4
- 2011年
- 采用脉冲激光烧蚀技术,在室温、低压Ar气条件下通过改变气体压强及靶与衬底间距,对纳米Si晶粒成核的气压阈值进行了研究.根据扫描电子显微镜图像、拉曼散射谱和X射线衍射谱对制备样品的表征结果,确定了在室温、激光能量密度为4J/cm2、靶与衬底间距为3cm条件下形成纳米Si晶粒的阈值气压为0.6Pa.结合流体力学模型和成核分区模型,对纳米晶粒的成核动力学过程进行了分析.通过Monte Carlo数值模拟,表明在气相成核过程中,烧蚀Si原子的温度和过饱和密度共同影响着纳米晶粒的成核.
- 邓泽超罗青山丁学成褚立志梁伟华陈金忠傅广生王英龙
- 关键词：脉冲激光烧蚀成核MONTE
- 衬底加温和后续热退火法形成纳米硅晶粒成核势垒的比较被引量：2
- 2010年
- 在真空环境中,采用脉冲激光烧蚀技术,分别在衬底加温和室温条件下沉积制备了纳米Si薄膜.对在室温条件下制备得到的非晶Si薄膜,采用后续热退火实现其晶化.通过扫描电子显微镜、Raman散射仪和X射线衍射仪对制备的薄膜形貌、晶态成分进行表征,得到两种情况下纳米Si晶粒形成的阈值温度分别为700℃和850℃,通过定量计算比较了两种情况下晶粒成核势垒的大小,并从能量角度对阈值温度的差别进行了理论分析.
- 邓泽超罗青山褚立志丁学成梁伟华傅广生王英龙
- 关键词：脉冲激光烧蚀
