罗志勇
- 作品数：58 被引量：155H指数：9
- 供职机构：中国计量科学研究院更多>>
- 发文基金：国家科技支撑计划国家科技部专项基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：机械工程一般工业技术理学交通运输工程更多>>
- 阿伏加德罗常数项目中的硅球表面层测量新进展
- 本文介绍了国际阿伏加德罗常数项目最新进展以及中国计量科学研究院在该研究领域所取得的最新成果。对目前阿伏加德罗常数研究所遇到的主要问题，即硅球表面层结构状态研究进行了分析、展望，提出了今后研究的方向和预期效果。
- 陈赤刘文德罗志勇
- 关键词：阿伏加德罗常数测量不确定度
- 液化石油气加气机计量标准装置的研制
- ＜正＞ 一、装置介绍（一）技术方案实现对加气机的检测,常用的基本方法是容量比较法、流量计法和称重法,根据资料分析,容量比较法具有结构简单、便于操作、适合现场检测的特点。结合我国的实际情况,我们设计了
- 刘子勇罗志勇
- 文献传递
- 一种机械扫描式精密相移测长方法
- 2012年
- 以相移干涉测长为应用背景,提出了一种基于"机械扫描"的相移测长方法。利用超高弹性石英材料研制出了干涉测长所需的单体3路相移装置,并利用该相移装置建成了相移测长装置,成功地将位移传感器的量值在线溯源到光学频率标准,从而实现了对3路相移的准确测量。介绍了一种引入步长控制误差的"新五幅相移"实现相位解算方法,算法准确度达到0.01%。对不确定度的定量分析结果表明,基于该机械扫描式相移技术构建的绝对长度测量系统准确度可达0.5nm。
- 罗志勇顾英姿陈朝晖
- 关键词：光学设计压电传感器标准具
- 高斯光束对标准硅球直径测量的影响分析被引量：3
- 2008年
- 针对高精度硅球直径测量系统的特点,分析平面波反射光的多光束干涉和双光束干涉,以及正入射时高斯光束反射光中心的多光束干涉和双光束干涉,对不同条件下的高斯光束反射光中心的干涉光强进行了数值模拟。对采用五步相移算法时高斯多光束干涉的影响进行了研究,给出了特定参数条件下不同束腰ω0和传播距离z时的最大相位误差,当ω0=5mm,z=2000mm时的最大相位误差达0.08%。
- 康岩辉邾继贵罗志勇叶声华
- 关键词：光学测量高斯光束多光束干涉
- 基于光谱椭偏术的Si球表面氧化层厚度测量被引量：1
- 2011年
- 为改善X射线晶体密度法测得的阿伏伽德罗常数的标准不确定度,研制了一种基于光谱椭偏术和二维Si球扫描机构的Si球表面氧化层厚度自动扫描测量系统,用于测量直径约93.6 mm、质量约1 kg的单晶Si球表面氧化层平均厚度。用本文系统对标准Si球表面进行400点扫描测量实验,得到氧化层厚度分布,且测得其平均厚度为6.00(22)nm。测量结果可将由氧化层导致的阿伏伽德罗常数测量相对不确定度降低至2.5×10-8。
- 吴学健张继涛李岩罗志勇尉昊贇
- 关键词：氧化层
- 液体静力称量法液体密度测量及其不确定度评定被引量：20
- 2006年
- 介绍了液体静力称量法测量液体密度的原理并给出液体密度的计算公式,对影响测量结果的各种因素作了详细的分析,并对各个分量所引入的不确定度进行了数值计算,得出液体密度最终测量结果的合成标准不确定度。
- 顾英姿陈朝晖许常红罗志勇
- 关键词：不确定度
- 硅球密度绝对测量被引量：3
- 2012年
- 单晶硅球密度的绝对测量是阿伏加德罗常数测量的关键技术,是目前国际热点研究领域.本文综述了包括我国在内的国际单晶硅球密度测量的最新进展,涉及硅球密度测量的技术原理、测量领域、影响因素、测量装置及最佳测量能力等,分析了硅球密度测量的主要难点和关键技术,预测了相关研究的技术前景及发展趋势.
- 罗志勇赵克功张继涛陈赤
- 关键词：阿伏加德罗常数氧化层厚度
- 一种密度精密测量方法研究被引量：6
- 2010年
- 采用数学推导和次级参量近似相结合的方法，提出了一种玻璃浮计高准确度测量方法。将浮计主体浸入液体至干管待测刻线，利用刻线对准比位置估读更易于实现的特点，避免了干管读数误差，实现了利用一种介质即可进行全量程测量，实现了密度测量全自动功能。提高TN量准确度及工作效率，降低了测量成本。
- 罗志勇陈朝晖顾英姿代佳林
- 关键词：计量学玻璃浮计
- ANSYS有限元法在测长绝热真空腔二维热分析中的应用被引量：1
- 2012年
- 针对测长绝热真空腔内温度场测量困难的特点，提出应用ANSYS有限元仿真与实验研究相结合的方法进行二维热分析。详细介绍了真空腔的ANSYS有限元建模、参数确定、网格划分、施加载荷和求解过程。仿真结果表明外界环境温度变化1℃，绝热真空腔内温度将变化0．085oC。对仿真结果进行了实验验证，实验结果证明利用该仿真技术可准确、可靠地分析绝热真空腔内的温度场，并且提高实验效率的同时降低了实验成本。
- 杨丽峰罗志勇徐爱华
- 关键词：计量学
- 单晶硅球密度的绝对测量被引量：5
- 2012年
- 单晶硅球密度的绝对测量是阿伏加德罗常数测量的关键技术。综述了单晶硅球密度测量的最新进展，包括硅球密度测量的技术原理、测量领域、影响因素、测量装置及最佳测量能力等等，分析了硅球密度测量的主要难点和关键技术，预测了相关研究的技术前景及发展趋势。
- 罗志勇
- 关键词：计量学阿伏加德罗常数
