章浩
- 作品数：8 被引量：11H指数：2
- 供职机构：清华大学信息科学技术学院自动化系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 分片线性逼近在电厂机组负荷分配中的应用被引量：4
- 2008年
- 机组负荷优化分配是电厂提高经济效益的一种重要手段,已经成为经济调度领域内非常受关注的研究课题.针对该问题中机组发电费用为凸函数的特点,利用分片线性逼近技术建立了一种新的0-1线性混合整数规划模型.该模型既保证了求解的精度,又避免了非线性混合整数规划问题难以确定全局最优解的缺点.文章最后用一个具体的数值仿真例子说明该方法的有效性.
- 章浩王书宁
- 关键词：电力系统混合整数规划
- GCS法及多晶区量子效应的集约建模(英文)
- 2004年
- 提出了一种新的建立集约模型的方法 ,即栅电容修正法 .此方法考虑了新型效应对栅电压的依赖关系 ,且可以对各种效应相对独立地建模并分别嵌入模型中 .另外 ,利用该方法和密度梯度模型建立了一个多晶区内量子效应的集约模型 .该模型与数值模拟结果吻合 .模型结果和模拟结果均表明 ,多晶区内的量子效应不可忽略 ,且它对器件特性的影响与多晶耗尽效应相反 .
- 张大伟章浩田立林余志平
- 关键词：纳米级
- 纳米级MOSFET多晶区量子修正解析模型被引量：1
- 2005年
- 利用ISE8.0的DESSIS,对多晶区量子力学效应进行了摸拟。结果表明,纳米级MOSFET多晶区内的量子效应不可忽略,且它对器件特性的影响与多晶耗尽效应相反。从密度梯度模型,简化得到多晶区量子效应修正,并建立了多晶区内量子效应的集约模型。该模型与数值模拟结果吻合。
- 章浩张大伟余志平田立林
- 关键词：量子力学效应
- 考虑二维量子力学效应的MOSFET解析电荷模型被引量：1
- 2005年
- 在亚 5 0 nm的 MOSFET中 ,沿沟道方向上的量子力学效应对器件特性有很大的影响。基于 WKB理论 ,考虑MOSFET中该效应对垂直沟道方向上能级的影响 ,引入了其对于阈电压的修正。在此基础上 ,对沟道方向的子带作了抛物线近似 ,从而建立了一个考虑二维量子力学的电荷解析模型。根据该模型 ,得到二维量子力学修正和沟道长度以及其他工艺参数的关系。与数值模拟结果的比较表明 ,该解析模型的精度令人满意 ,并且得出以下结论 :二维量子力学效应使阈电压下降 ,并且在亚 5 0 nm的 MOSFET中 ,这个修正不可忽略。
- 张大伟章浩余志平田立林
- 关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管
- 基于分片线性逼近的非线性系统建模与优化
- 章浩
- 关键词：非线性规划全局优化函数逼近经济负荷分配
- 基于超立方体分割的分片线性逼近被引量：4
- 2008年
- 为了解决复杂非线性系统的建模问题,提出一种基于超立方体分割的分片线性逼近模型。该模型将定义域分割成超立方体,在每个超立方体内用一个线性函数描述原来的非线性函数。再借助格表示形式,通过选择合适的连接得到由这些局部线性函数构成的连续分片线性函数。证明对于任何二阶可导的非线性函数,该模型都能任意精度逼近。因为不用再把每个超立方体都分割成单纯形,该模型有助于构造出更加简单的连续分片线性函数,并能处理复杂的高维问题。
- 章浩王书宁
- 关键词：非线性函数逼近复杂系统
- 三维连续分片线性函数紧凑表示模型
- 2005年
- 为了解决三维分片线性函数的表示问题,提出一个基于三维基函数的绝对值表示理论,建立了一个紧凑绝对值表示模型并构造性地证明了其一般表示能力。因为基函数是比最小退化交更基本的结构函数,所以该模型可以视为建立在最小退化交基础上的Chua模型的修正和推广。该模型给出三维绝对值表示模型中绝对值嵌套层数的下界,这为建立高维表示理论提供了新的理论依据。三维表示模型与"找链接算法"相结合,可以构造一种新的三维非线性函数逼近算法。
- 温成涛王书宁孙旭昇李峰章浩
- 关键词：非线性函数逼近
- 亚100nm体硅MOSFET集约I-V模型被引量：1
- 2005年
- 利用“局域化”的概念和二维泊松方程的解析解,建立了沟道方向上二维量子效应对阈电压的修正模型.基于密度梯度理论,建立了多晶硅栅内量子效应对阈电压的修正模型.在此基础上,结合弹道理论,开发了一个适用于亚100nm MOSFET的集约I V模型.通过与 TSMC提供的沟长为 45nm实际器件测试结果[1],以及与三组亚100nm MOSFET的数值模拟结果的比较,证明了该模型具有良好的精度(平均误差小于8%)和可延伸性.
- 张大伟章浩朱广平张雪莲田立林余志平
- 关键词：量子力学效应
