王震东
- 作品数：26 被引量：20H指数：3
- 供职机构：南昌大学更多>>
- 发文基金：江西省自然科学基金国家自然科学基金江西省教育厅科学技术研究项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术自动化与计算机技术电子电信更多>>
- 基于带晶界的铅盐半导体薄膜的室温超快红外探测器及其探测方法
- 本发明公开了基于带晶界的铅盐半导体薄膜的室温超快红外探测器及其探测方法，包括基底、半导体薄膜、两个电极，基底贴合在半导体薄膜下方，半导体薄膜上左右两端各有一电极，半导体薄膜为单晶且有晶界的铅盐半导体薄膜，半导体薄膜形成光...
- 王启胜王立吴形吴识腾王震东
- 文献传递
- 基于大气压低温等离子射流处理的材料亲水性实验教学研究被引量：2
- 2015年
- 通过大气压下低温等离子体射流对材料表面进行处理,可以极大地提高材料表面的亲水性。该方法有别于传统的共混、表面接枝和界面聚合等方法对膜材料亲水性改性,利用悬浮电极射流源产生的等离子体化学活性强、气体温度低,而且操作简单、成本低廉。通过水接触角测量仪测量射流处理前后材料表面的水接触角,从而表征材料表面亲水性改性。该实验可以吸引学生的注意力,帮助学生加深了解材料及物理等交叉学科基本知识,培养学生运用材料物理基础理论知识和实验技能进行材料研究开发的基本能力,可为中国大学材料及物理相关专业的本科实验教学提供参考和启示。
- 钱沐杨吕燕马鹏江远辉刘三秋王震东龚江宏
- 关键词：大学实验教学
- 一种二维/三维半导体异质结及其普适性制备方法
- 本发明公开了一种二维/三维半导体异质结及其普适性制备方法，属于半导体异质结材料制备领域。本发明的半导体异质结例如MoS<Sub>2</Sub>/FeS,MoS<Sub>2</Sub>/CoS,MoS<Sub>2</Sub...
- 王立秦立云王启胜吴识腾王震东王剑宇
- 文献传递
- 基于带晶界的铅盐半导体薄膜的室温超快红外探测器及其探测方法
- 本发明公开了基于带晶界的铅盐半导体薄膜的室温超快红外探测器及其探测方法，包括基底、半导体薄膜、两个电极，基底贴合在半导体薄膜下方，半导体薄膜上左右两端各有一电极，半导体薄膜为单晶且有晶界的铅盐半导体薄膜，半导体薄膜形成光...
- 王启胜王立吴形吴识腾王震东
- 一种虹吸式流体比热容测量方法
- 本发明公开了一种虹吸式流体比热容测量方法，该测量方法所采用的装置包括用于容纳混合流体的混合容器、用于盛装待测流体的流体容器、对流体容器进行加热恒温的控温加热机构、雾化喷头、与雾化喷头进口连通的两组进管、各单元的测温元件以...
- 王震东王剑宇王立
- 文献传递
- 一种调控半导体腐蚀区域的方法
- 本发明提供了一种调控半导体腐蚀区域的方法，属于纳米半导体材料技术领域；包括：将氢氟酸和金属盐溶液混合，得到沉积液；将氢氟酸和氧化剂混合，得到腐蚀液；将半导体衬底浸入沉积液中进行沉积；沉积后得到的衬底进行处理，使得衬底表面...
- 胡正光王立赵勇王震东王仲平王剑宇刘峰良
- 文献传递
- 基底温度对磁控溅射制备氮化钛薄膜的影响被引量：6
- 2007年
- 在不同的基底温度下,采用直流磁控反应溅射法在硅基底上制备了氮化钛(TiNx)薄膜,研究了基底温度对薄膜结晶取向、表面形貌和导电性能的影响。实验结果表明:基底温度较低时,薄膜主要成分为四方相的Ti2N,具有(110)择优取向,当基底温度升高到360℃时薄膜中开始出现立方相的TiN。TiNx薄膜致密均匀,粗糙度小。随着基底温度的升高薄膜的电阻率显著减小。
- 蒋雅雅赖珍荃王震东黄奇辉
- 关键词：磁控溅射TIN薄膜基底温度
- 一种可连续进样生长过渡金属硫属化合物晶体的实验装置
- 本实用新型提供了一种可连续进样生长过渡金属硫属化合物晶体的实验装置，包含反应腔体，所述反应腔体分为左右两部分，左边为低温区，右边为高温区，所述反应腔体低温区固定有格子支架，所述格子支架将反应腔体分成若干独立空间，所述格子...
- 王立王震东王剑宇张思鸿
- 文献传递
- 二硫化钨/石墨烯垂直异质结阵列构筑实验方法
- 2021年
- 提出了一种垂直堆垛异质结阵列构筑的实验方法,有望实现二维垂直异质结的宏量制备。该方法首先利用光刻技术形成Pt/Ti金属阵列的诱导作用,使用化学气相沉积法生长二维WS_(2)晶体阵列,然后用热剥离转移法将WS_(2)晶体阵列整体转移到石墨烯连续膜上,形成垂直堆垛的WS_(2)/石墨烯异质结阵列。扫描电子显微镜测试显示WS_(2)晶体围绕金属点生长,透射电子显微镜证实生长的WS_(2)晶体具有良好的结晶性能。对通过转移方法形成的异质结样品使用Raman光谱测试发现WS_(2)晶体被成功地转移在石墨烯膜上。
- 王震东王剑宇王立
- 关键词：石墨烯化学气相沉积
- 一种过渡金属硫属化合物二维材料图形化生长的方法
- 一种过渡金属硫属化合物二维材料图形化生长的方法。通过引入图形化金属阵列，在Si基底的金属点位上生长出结构完整的二维过渡金属硫属化合物材料。该方法具有操作简单、产量高、重复性强的优点，对于工业化生产尺寸可控、厚度可调的大面...
- 王立王震东陈鹏
