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王良咏

作品数：37 被引量：14H指数：2
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家重点实验室开放基金中国博士后科学基金更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 32篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 3篇金属学及工艺
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 13篇化学机械抛光
  • 13篇机械抛光
  • 12篇相变材料
  • 10篇氧化硅
  • 10篇存储器
  • 9篇相变存储
  • 9篇相变存储器
  • 8篇二氧化硅
  • 7篇抛光速率
  • 6篇溶胶
  • 6篇水性
  • 6篇水性介质
  • 6篇硅溶胶
  • 6篇硅酸
  • 5篇有机添加剂
  • 5篇抛光
  • 5篇离子
  • 4篇氧化硅薄膜
  • 4篇酸性
  • 4篇酸性介质

机构

  • 37篇中国科学院
  • 20篇上海新安纳电...
  • 2篇中国科学院研...
  • 1篇上海第二工业...
  • 1篇中芯国际集成...

作者

  • 37篇王良咏
  • 19篇宋志棠
  • 14篇封松林
  • 12篇刘波
  • 11篇刘卫丽
  • 5篇钟旻
  • 5篇张楷亮
  • 3篇何敖东
  • 2篇吴关平
  • 2篇俞磊
  • 2篇刘奇斌
  • 2篇闫未霞
  • 1篇谢华清
  • 1篇张磊
  • 1篇张泽芳
  • 1篇汪海波
  • 1篇邢星
  • 1篇张磊

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇上海第二工业...
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇第三届上海纳...
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 5篇2016
  • 3篇2015
  • 11篇2014
  • 4篇2013
  • 2篇2012
  • 5篇2011
  • 3篇2009
  • 1篇2007
  • 2篇2006
  • 1篇2005
共 37 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种水溶性聚苯乙烯-二氧化硅核壳型复合颗粒的制备方法
本发明涉及一种聚苯乙烯-二氧化硅核壳型复合颗粒的制备方法，为：（1）制备经表面活性剂表面改性的聚苯乙烯颗粒的水溶液；（2）制备用连接剂和硅酸的水溶液，用pH调节剂调节其pH值为碱性，制得经连接剂处理的硅酸的碱性水溶液；（...
邢星王良咏刘卫丽宋志棠谢华清
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CMP专用大粒径纳米二氧化硅研磨料的研究
低应力、低损伤CMP要求抛光压力有所降低,从而影响了抛光效率。为改善抛光效率,大粒径胶体二氧化硅成为CMP所急需的研磨料。本文以廉价的水玻璃为原料,采用离子交换一分水控制工艺,在分析其粒径生长机理基础上进行了工艺优化,并...
张楷亮王良咏宋志棠封松林
关键词：胶体二氧化硅水玻璃离子交换
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可控氧化硅去除速率的化学机械抛光液
本发明公开了一种用于氧化硅介电材料的化学机械抛光液，此化学机械抛光液以抛光液总重量为基准，包含下列重量百分比的原料组分：氧化硅抛光颗粒0.2-30wt％；表面活性剂0.01-4wt％；有机添加剂0.01-5wt％；pH调...
王良咏宋志棠刘波刘卫丽封松林
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一种蓝宝石衬底化学机械抛光浆液
本发明提供一种用于蓝宝石衬底的化学机械抛光浆液，此浆液包含pH调节剂、表面活性剂、水性介质及一种复合研磨颗粒。该复合研磨粒子是由基材颗粒碳化硼表面包覆一层粒子所构成。通过本发明提供的化学机械抛光浆液，蓝宝石衬底的抛光速率...
王良咏张楷亮宋志棠封松林
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一种相变存储器结构及其制备方法
本发明涉及一种相变存储器结构及其制备方法，制备的相变存储结构包括基底和位于所述基底上的若干相邻的相变存储单元；相变存储单元包括相变材料层、位于相变材料层两侧的第一电介质层、位于相变材料层及其两侧第一电介质层上表面上的上电...
闫未霞王良咏刘卫丽宋志棠
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用氧化铈化学机械抛光液抛光硫系化合物相变材料的方法
本发明提供一种硫系化合物相变材料氧化铈化学机械抛光液，其以抛光液总重量为基准，包含0.01-5wt％的氧化剂、0.01-4wt％的表面活性剂、0.01-3wt％的有机添加剂、0.2-30wt％的氧化铈抛光颗粒及pH调节剂...
王良咏宋志棠刘波封松林
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Ge2Sb2Te5抛光液的电化学及其化学机械抛光研究
Ge2Sb2Te5目前被公认为在相变存储器(PCRAM)中最好的材料.本文主要是从电化学角度考查Ge2Sb2Te5薄膜在化学机械抛光液中作用.我们研究了Ge2Sb2Te5薄膜在不同的PH值和H2O2浓度下的电化学特性.在...
刘奇斌张楷亮王良咏封松林宋志棠
关键词：相变存储器化学机械抛光电化学抛光液
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一种相变材料抛光后清洗液
本发明提供一种相变材料抛光后清洗液，此抛光后清洗液包含氧化剂、表面活性剂、金属防腐抑制剂及酸性介质。通过本发明提供的抛光后清洗液，对相变存储器件做抛光后处理，可大大减少相变存储器件在化学机械抛光工艺后产生的缺陷(微划痕、...
王良咏宋志棠刘波刘卫丽钟旻封松林
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一种二氧化硅介电材料用化学机械抛光液及其制备方法
本发明涉及一种二氧化硅介电材料用化学机械抛光液，以所述化学机械抛光液的总重量为基准计，包含以下重量百分比的组分：氧化物抛光颗粒1-50wt%；余量为pH调节剂和水性介质；其中所述氧化物抛光颗粒为胶体二氧化硅；制备过程中：...
梁晨亮王良咏宋志棠刘卫丽秦飞
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一种高性能水性无机涂料及其制备方法
本发明涉及化学工程领域，特别是涉及一种高性能水性无机涂料及其制备方法。本发明提供一种高性能水性无机涂料，所述高性能水性无机涂料的原料按重量份计，包括如下组分：硅溶胶20~35份；聚合物溶液5~15份；颜料5~15份；填充...
古双娜王良咏施鹰刘卫丽宋志棠
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