王淑芳
- 作品数：199 被引量：90H指数：5
- 供职机构：河北大学更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>
- 一种制备硼掺杂的n型高硬度透明导电氧化锌薄膜的方法
- 本发明涉及一种用硼掺杂制备高硬度的n型透明导电氧化锌薄膜的方法，该方法包括用脉冲激光沉积设备，采用氧化锌和单质硼的复合马赛克靶，将真空室的真空度抽到压强小于10<Sup>－3</Sup>Pa，同时将基片加热到温度为350...
- 赵嵩卿周岳亮刘震王淑芳韩鹏赵昆相文峰陈正豪吕惠宾程波林金奎娟何萌杨国桢
- 文献传递
- SrTi_(0.8)Nb_(0.2)O_3/Au纳米复合薄膜的制备及热电性能被引量：1
- 2017年
- 利用脉冲激光沉积技术制备了SrTi_(0.8)Nb_(0.2)O_3/Au纳米复合热电薄膜并研究了Au纳米颗粒的含量对薄膜热电性能的影响.实验结果表明,随着薄膜中Au纳米颗粒含量的增加,复合薄膜的载流子浓度和迁移率同时减小,导致复合薄膜的电阻率增大;此外,随着Au纳米颗粒含量的增加,复合薄膜的塞贝克系数绝对值因载流子浓度的增大及Au和SrTi_(0.8)Nb_(0.2)O_3界面势垒的能量过滤效应而增大.当Au原子百分比为0.94%时,复合薄膜的功率因子达到最大值,表明少量的纳米Au颗粒掺入可以有效地提升SrTi_(0.8)Nb_(0.2)O_3薄膜的热电性能.
- 郭双付念吴晓琳王江龙王淑芳
- 关键词：脉冲激光沉积纳米复合薄膜热电性能
- 一种探测波长在红外至远远红外光的探测器及制法
- 本发明提供了一种基于纳米银颗粒掺杂的ZnO薄膜制作的探测器，包括：一基底，在基底上生长一层纳米银颗粒掺杂的ZnO薄膜，其特征在于，还包括尺寸大小为纳米量级的银颗粒，该银颗粒镶嵌在ZnO膜上；其中ZnO膜厚度在10纳米～1...
- 赵嵩卿周岳亮赵昆王淑芳刘震韩鹏金奎娟陈正豪吕惠宾程波林何萌杨国桢
- 文献传递
- 利用电流直接加热靶材蒸发制备大面积薄膜的装置
- 本实用新型涉及利用电流直接加热靶材蒸发制备大面积薄膜的装置，该装置在已有的镀膜设备中安装至少一套蒸发靶组件：该蒸发靶组件由一设置在基片加热器下方的支撑架，其上固定一对蒸积出来的靶材进行导流作用的靶管，该支撑架固定在真空室...
- 刘震周岳亮朱亚彬王淑芳陈正豪吕惠宾杨国桢
- 文献传递
- 一种锆钛酸铅/氧化镍铁电超晶格薄膜材料及其制备方法
- 本发明提供了一种锆钛酸铅/氧化镍铁电超晶格薄膜材料及其制备方法，所述铁电超晶格薄膜材料包括锆钛酸铅薄膜和氧化镍薄膜，所述锆钛酸铅薄膜与氧化镍薄膜逐层交替外延生长，锆钛酸铅层的单层厚度为10 u.c.，氧化镍层的单层厚度为...
- 宁兴坤伞星源陈明敬赵国庆刘鹏王江龙王淑芳傅广生
- 文献传递
- Ca^(2+)掺杂对CdO多晶热电性能的影响被引量：1
- 2015年
- 以CaCO3作为Ca2+源,利用传统固相烧结法制备了Cd1-xCaxO(x=0,0.01,0.03,0.05)多晶块体样品并研究了Ca2+掺杂对CdO高温热电性能的影响.CaCO3的掺入会导致CdO多晶载流子浓度降低,使Cd1-xCaxO的电阻率ρ和塞贝克系数的绝对值|S|增大、电子热导率κe减小.同时,在CdO中掺入CaCO3会引入点缺陷和气孔并可抑制CdO晶粒长大、晶界增多,从而增加了对声子的散射,使样品的声子热导率κp减小.由于总热导率的大幅降低,Cd0.99Ca0.01O多晶样品在1000 K时的热电优值ZT可达0.42,比本征CdO提高了约27%,为迄今n型氧化物热电材料报道的最好结果之一.
- 刘冉高琳洁李龙江翟胜军王江龙傅广生王淑芳
- 关键词：热电热导率ZT
- 一种氧化镍-锆酸铅反铁电复合薄膜及其制备方法
- 本发明提供了一种氧化镍‑锆酸铅反铁电复合薄膜及其制备方法，所述氧化镍‑锆酸铅反铁电复合薄膜材料包括锆酸铅薄膜和氧化镍，所述氧化镍呈纳米柱结构且分布在所述锆酸铅中，所述氧化镍的体积为所述复合薄膜材料的1~20%；所述氧化镍...
- 宁兴坤陈明敬孟庆刚王淑芳李晓苇杨昆傅广生
- 一种P型透明导电钴氧化物金属纳米复合薄膜的制备方法
- 本发明公开一种P型透明导电钴氧化物金属纳米复合薄膜的制备方法，属于功能薄膜材料技术领域，本方法步骤中包括：A、陶瓷靶材的制备：利用高温固相反应法烧结钴氧化物陶瓷靶材；B、脉冲激光沉积薄膜：在钴氧化物陶瓷靶材上贴上扇形金属...
- 王淑芳孙丽卿闫国英傅广生李晓苇
- 文献传递
- 一种p-n异质结光探测器
- 本发明提供一种p-n异质结光探测器，属于薄膜光探测器技术领域，所要解决的技术问题是提供一种在掺铌钛酸锶单晶基底上外延生长一层错配层钴氧化合物薄膜的p-n异质结光探测器，其技术方案是：它由掺铌钛酸锶单晶基底和错配层钴氧化合...
- 王淑芳陈明敬傅广生陈景春何立平于威李晓苇
- 文献传递
- 基于PbSe薄膜的自供电光位置灵敏探测器
- 本发明提供了一种基于PbSe薄膜的自供电光位置灵敏探测器，属于位置探测器的技术领域。其结构包括单晶Si基片和生长在单晶Si基片上的PbSe薄膜层，在PbSe薄膜层上制作第一电极和第二电极，通过导线连接第一电极和第二电极并...
- 马继奎乔双陈明敬闫国英王淑芳
- 文献传递
