王晓磊
- 作品数：8 被引量：5H指数：1
- 供职机构：重庆邮电大学更多>>
- 发文基金：重庆市自然科学基金教育部重点实验室开放基金国家电子信息产业发展基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学交通运输工程自动化与计算机技术更多>>
- 耗尽型4H-SiC埋沟MOSFET器件解析模型研究被引量：1
- 2010年
- 建立了基于漂移扩散理论的4H-SiC埋沟MOSFET器件的物理解析模型。SiC/SiO_2界面处的界面态密度及各种散射机制都会导致器件载流子迁移率的下降,采用平均迁移率模型,分析散射机制对载流子迁移率的影响,讨论了界面态对阈值电压的影响。考虑到器件处在不同工作模式下,沟道电容会随栅压的变化而改变,采用了平均电容概念。器件仿真结果表明:界面态的存在导致漏极电流减小;采用平均迁移率模型得到的计算结果与实验测试结果较为一致。
- 王巍秘俊杰曾勇王晓磊唐政维彭能
- 关键词：SIC埋沟MOSFET界面态
- 基于SiC的MOSFET的汽车发动机用氧传感器
- 本发明公开了一种基于SiC材料的MOSFET的汽车发动机用氧传感器及其制备方法。利用了碳化硅材料的禁带宽度大、击穿电场高、电子饱和漂移速度高、热导率大等良好特性，将其作为N型沟道MOSFET的P型衬底，满足高温工作的要求...
- 王巍彭能罗元王晓磊代作海唐政维冯世娟李银国徐洋
- 文献传递
- 掺Fe^(3+)TiO_2薄膜型氧气传感器研究被引量：4
- 2011年
- 讨论了TiO2对氧气的吸附过程及敏感机理,重点分析了掺铁对氧敏特性的影响。设计出了基于TiO2薄膜结构氧气传感器,通过硅工艺制作了Fe3+掺杂的TiO2薄膜型氧气传感器、并在400℃下对传感器的氧敏特性进行了测试。实验结果表明,该氧气传感器在高温条件下对氧气含量的变化有明显的响应,且具有低电阻的特性。
- 王巍王晓磊代作海唐政维李银国徐洋白晨旭
- 关键词：TIO2FE^3+氧气传感器
- 一种高线性的UWB接收机下变频混频器设计
- 2010年
- 该文介绍了一种UWB下变频混频器的设计思路和技术。在TSMC0.18μmCMOS工艺下,使用Agilent公司的ADS软件设计出一种3~5GHz的CMOS混频器电路。仿真结果表明,工作电压3V时,RF频率为3.169GHz,本振频率为3.434GHz,中频频率为265MHz,转换增益为15.4dB,双边带噪声系数低于13.3dB,P1dB压缩点为-13dBm,工作电流为4.6mA。
- 王巍王颖彭能王晓磊
- 关键词：混频器转换增益
- 基于碳化硅的肖特基势垒二极管氧传感器及制造方法
- 本发明公开了一种基于碳化硅的肖特基势垒二极管氧传感器，包括SiC衬底层、TiO<Sub>2</Sub>氧气敏感层、金属铂电极I、n+高掺杂层和钛-铂金属复合层电极；SiC衬底层一侧溅射TiO<Sub>2</Sub>氧气敏...
- 王巍代作海罗元王晓磊白晨旭唐政维李银国
- 文献传递
- 杂质不完全离化对MISiC气体传感器的影响
- 2010年
- 研究了杂质不完全离化对金属—绝缘体—碳化硅(MISiC)传感器性能的影响。考虑到Pool-Frenkel效应和外加电场的作用,建立了MISiC器件空间电荷区泊松方程。运用准中性近似,对所建立的泊松方程进行数值计算,得到了空间电荷区的电势分布,进而得到MISiC传感器的I-V与C-V特性。实验结果表明:室温下SiC器件中杂质不完全离化,随着温度的升高,杂质离化率增大。在外加电场的作用下,杂质的离化率增加,并最终导致MISiC器件I-V与C-V曲线的移动。
- 王巍代作海王晓磊唐政维徐洋王平
- 关键词：泊松方程气体传感器
- 基于SiC的半导体氧气传感器研究
- 随着国家和社会对环境保护的要求越来越高，控制汽车尾气污染日益被重视。为了控制汽车尾气中排出有害成分，必须控制汽车发动机空燃比，检测汽车尾气中的氧浓度是控制空燃比的重要一环。传统的ZrO2氧气传感需要参比气体、成本高、体积...
- 王晓磊
- 关键词：汽车发动机尾气检测
- 文献传递
- 不同金属掺杂对TiO_2薄膜氧敏性能影响
- 2011年
- 该文讨论了TiO2对氧气的吸附过程及敏感机理、重点分析了掺铁和掺钨对氧敏特性的影响,并比较了两者的异同。制作了掺铁和掺钨的TiO2薄膜,并在400℃下对薄膜氧敏特性进行了测试。结果表明,TiO2具有低电阻的特点,在高温下能够有效感应氧气浓度的变化。
- 王巍王晓磊代作海王颖
- 关键词：TIO2FEW氧敏特性
