王文骐
- 作品数：43 被引量：144H指数：7
- 供职机构：上海大学通信与信息工程学院更多>>
- 发文基金：“上海－应用材料研究与发展”基金上海市科学技术发展基金上海市教育委员会重点学科基金更多>>
- 相关领域：电子电信交通运输工程电气工程自动化与计算机技术更多>>
- 基于硅衬底片上螺旋电感的研究
- 本文探讨了标准CMOS工艺条件下片上螺旋电感的物理模型和各种损耗机制,采用了若干简化的规则来设计电感的尺寸,从而在硅片的面积、自谐振频率和品质因子之间找到一种较好的平衡,并对应用在2.4 GHz低噪声放大器模块中的片上螺...
- 邓贇王文骐吴宾岳喜成
- 关键词：CMOS片上螺旋电感
- 文献传递
- 高性能S波段微波集成接收组件
- 本文报导了用于数字微波通信设备的高性能S波段微波集成接收组件的设计考虑和测试结果。该组件由HEMT低噪声放大器、高抑镜度带通滤波器、砷化镓双栅MESFET混频器、前中和主中组成。获得0.75dB噪声系数、90dB变频增益...
- 王文骐叶明李宏德杨新民唐秀花
- 文献传递
- 2.4GHz0.25μmCMOS集成低噪声放大器的设计被引量：11
- 2004年
- 采用TSMC 0.25mm CMOS工艺,设计了单端和差分两种工作在2.4GHz可应用于蓝牙的全集成低噪声放大器。详述了设计过程并给出了优化仿真结果。经比较得出,差分低噪声放大器为了取得和单端低噪声放大几乎同样的性能,要消耗双倍的功耗和面积,但因其对共模信号干扰的免疫力以及对衬底耦合的抑制作用而越来越受到青睐。
- 詹福春王文骐李长生
- 关键词：CMOS差分低噪声放大器射频集成电路射频接收机
- 1.8GHz 0.35mm CMOS低噪声放大器的实现被引量：5
- 2002年
- 介绍了一种频率为1.8GHz的低噪声放大器(LNA)的设计方案,采用TSMC 0.35μm CMOS工艺实现,增益为25dB,噪声系数2.56dB,功耗≤10mW,IIP3为-25dB或5dBm。
- 马晓民王文骐
- 关键词：低噪声放大器CMOS螺旋电感LNA
- 小型L波段GaAs双栅场效应管混频器的设计和性能
- 1995年
- 本文叙述了用于L波段微波接收机的砷化镓双栅场效应管混频器的设计考虑和实验结果.包括中频匹配网络,整个电路制作在30×40mm^2复合微波介质基片上.获得8.1dB的变频增益和5.9dB的噪声系数.研究了本振功率P_(Lo)、信号功率P_s和直流偏压V_(g1s)、V_(g2s)对变频增益G_c和噪声系数N_F的影响,并给示了最佳条件.
- 王文骐杨新民
- 关键词：双栅场效应管混频器砷化镓
- 基于BSIM3模型的毫米波MOS变容管建模
- 本文提出了应用于毫米波段的MOS变容管的建模方法。针对标准0.18μm CMOS工艺,采用2D器件仿真软件MINIMOS设计实现积累型MOS变容管,并提出和分析了基于标准BSIM3模型的MOS变容管的等效电路模型,通过M...
- 夏立诚王文骐胡嘉杰
- 关键词：毫米波CMOSMOS变容管
- 文献传递
- 2.4GHz 0.25μm CMOS集成低噪声放大器的设计
- 本文采用TSMC 0.25μm CMOS工艺设计单端和差分两种工作在2.4GHz可应用于蓝牙的全集成低噪声放大器。文章详述了其设计过程并给出了优化仿真结果。在2.5V电压下,取得转换电压增益(Gc)分别为15.18dB和...
- 詹福春王文骐李长生
- 关键词：差分低噪声放大器CMOS
- 一种用于GSM系统的多层平面有源滤波器
- 1999年
- 给出一种新颖可用于GSM系统手持机(MS)的甚小型多层平面有源滤波器的结构、等效电路模型、最优化的数学模型和实现方法。提出了提高程序运行效率的“优化筛选法”。计算并讨论了1.85GHz频率下该滤波器的结构参数值和等效电路元件值与射频参数的关系,由此获得了最佳结构参数和等效电路值,计算表明在通带范围内该滤波器具有低噪声性能。
- 柳珩王文骐
- 关键词：移动通信有源滤波器GSM
- WLAN应用的CMOS低噪声放大器设计被引量：4
- 2007年
- 采用TSMC0.25μmCMOS工艺设计了一个IEEE802.11a标准无线局域网(WLAN)应用的5.8GHz差分低噪声放大器(LNA)。阐述了LNA的噪声优化和设计过程。采用Agilent ADS仿真,结果显示:2.5V工作电压下,LNA增益为14.6dB,噪声系数为1.72dB,1dB压缩点为-10.2dBm,功耗16.5mW。
- 封春海唐学锋王文骐
- 关键词：低噪声放大器CMOS无线局域网
- 毫米波MOS场效应晶体管的建模
- 2007年
- 提出了针对毫米波CMOS应用的nMOS场效应晶体管的建模方法。对采用0.18μm标准CMOS工艺的nMOS场效应管进行了版图的优化设计,并提出和分析了基于标准BSIM3V3模型卡的nMOS场效应管的等效电路模型。通过仿真,直接从MOS场效应管的物理版图中提取出各个寄生元件的值,使该模型能预测nMOS管从100 MHz到40 GHz频率范围内的高频性能。
- 祝远渊王文骐夏立诚
- 关键词：MOS场效应晶体管
