王伟宁
- 作品数：12 被引量：6H指数：1
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程更多>>
- 用于制备MRAM的高磁电阻磁性隧道结
- 利用金属掩膜法优化了制备磁性隧道结的实验和工艺条件,金属掩膜的狭缝宽度为100μm。采用4 nm厚的CoFe为铁磁电极和1 nm或0.8 nm厚的铝氧化物为势垒膜,可直接制备出室温磁电阻比值为30～48%的磁性隧道结。例...
- 韩秀峰李飞飞王伟宁彭子龙赵素芬詹文山
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- 利用光刻去胶法制备高磁电阻磁性隧道结
- 利用磁控溅射和光刻去胶法制备了结区面积为20x40μm的磁性隧道结(MTJ),室温下隧穿磁电阻(TMR)比值为28.7%,结电阻和结面积的积矢(RS)为4068 Ωμm。经过退火处理后,室温磁电阻达到49.1%,RS为6...
- 李飞飞王天兴丰家峰冯玉清王伟宁韩秀峰
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- 磁随机存取存储器
- 本实用新型公开了一种磁随机存取存储器(MRAM)，MRAM单元中的位线BL和写字线WWL位于其中磁性薄膜存储单元的相同一侧，磁性薄膜存储单元通过接触孔与晶体管ATR的漏极相连接，并且MRAM单元中的地线GND与写字线WW...
- 彭子龙王伟宁韩秀峰朱涛詹文山
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- 利用光刻法制备高磁电阻磁性隧道结
- 通过优化制备磁性隧道结的实验和光刻工艺条件,制备出具有室温高磁电阻和低电阻的高质量磁性隧道结,300℃退火前后其室温磁电阻比值、结电阻、结电阻和结面积的积矢及自由层的偏转场分别达到22﹪和50﹪、31和41Ω、3100和...
- 韩秀峰李飞飞张爱国赵素芬王伟宁詹文山
- 关键词：光刻法磁性隧道结磁电阻
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- Co/FeMn体系的交换偏置效应和Co/Al<,2>O<,3>/Co隧道结输运特性的研究
- 该论文系统地研究了Co/FeMn体系的交换偏置效应,对铁磁(FM)-反铁磁(AFM)交换偏置效应有了深入的了解;并利用交换偏置效应制备了钉扎型磁性隧道结,探索了磁性隧道结阵列的制备工艺,为磁性隧道结器件的开发打下了基础.
- 王伟宁
- 关键词：自旋电子学磁性隧道结磁电阻
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- 磁随机存取存储器
- 本发明公开了一种磁随机存取存储器(MRAM)，MRAM单元中的位线BL和写字线WWL位于其中磁性薄膜存储单元的相同一侧，磁性薄膜存储单元通过接触孔与晶体管ATR的漏极相连接，并且MRAM单元中的地线GND与写字线WWL布...
- 彭子龙王伟宁韩秀峰朱涛詹文山
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- 磁随机存取存储器
- 本发明公开了一种磁随机存取存储器(MRAM)，MRAM单元中的位线BL和写字线WWL位于其中磁性薄膜存储单元的相同一侧，磁性薄膜存储单元通过接触孔与晶体管ATR的漏极相连接，并且MRAM单元中的地线GND与写字线WWL布...
- 彭子龙王伟宁韩秀峰朱涛詹文山
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- 磁隧道结中自由层退磁张量分布的计算
- 本文在考虑磁隧道结单元中被钉轧磁性层的静磁作用基础上,对其自由层三个退磁张量元的分布进行了微磁学计算,表明被钉扎层的静磁作用不可忽略,同时计算了它们随绝缘层厚度的变化关系,并基于立体角对此作了定性的解释.
- 彭子龙朱涛王伟宁韩秀峰詹文山
- 关键词：微磁学磁隧道结
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- 利用金属掩膜法制备高磁电阻磁性隧道结
- 利用金属掩膜法,优化了制备磁性隧道结的实验和工艺条件,同时利用狭缝宽度为100μm的金属掩膜直接制备出室温磁电阻比值为41.5﹪的磁性隧道结,其结电阻为1.87Ω,结电阻和结面积的积矢为1.87×10<'4>Ωμm<'2...
- 韩秀峰王伟宁李飞飞赵素芬彭子龙詹文山
- 关键词：磁性隧道结磁电阻
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- 一种基于垂直电流写入的磁随机存取存储器及其控制方法
- 本发明公开了一种基于垂直电流写入的磁随机存取存储器及其控制方法，该MRAM单元中的信息写入操作由一个平行于磁性薄膜存储单元MFC的电流以及另一个垂直于磁性薄膜存储单元MFC并流经该单元的电流所产生的磁场的共同作用来完成。...
- 彭子龙韩秀峰赵素芬王伟宁詹文山
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