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王东林

作品数：15 被引量：0H指数：0
供职机构：国防科学技术大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 5篇晶体管
  • 5篇差分
  • 5篇充电
  • 4篇电路
  • 4篇整体性能
  • 4篇充电管
  • 3篇接口
  • 2篇电流源
  • 2篇电源电压
  • 2篇信号产生电路
  • 2篇选择性
  • 2篇压控
  • 2篇压控振荡器
  • 2篇振荡器
  • 2篇时间开销
  • 2篇时钟
  • 2篇时钟频率
  • 2篇时钟信号
  • 2篇输出电路
  • 2篇驱动电路

机构

  • 15篇国防科学技术...

作者

  • 15篇王东林
  • 14篇赵振宇
  • 14篇陈吉华
  • 14篇马剑武
  • 14篇李少青
  • 14篇张民选
  • 14篇陈怒兴
  • 12篇王建军
  • 10篇欧阳干
  • 9篇何小威
  • 9篇唐世民
  • 8篇刘征
  • 8篇王洪海
  • 7篇吴宏
  • 7篇邹金安
  • 6篇雷建武
  • 6篇乐大珩
  • 5篇陈亮
  • 4篇贺鹏
  • 4篇徐炜遐

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 3篇2009
  • 2篇2008
  • 6篇2007
  • 1篇2006
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
带充电补偿结构的存储器选择性预充电电路
本发明公开了一种带充电补偿结构的存储器选择性预充电电路，它的选择性预充电单元包括预充电管M<Sub>p1</Sub>和两个或两个以上的位线选择管M<Sub>ni</Sub>，充电补偿单元包括充电补偿管M<Sub>p2</...
张民选乐大珩李少青陈吉华赵振宇陈怒兴马剑武王东林高绍全贺鹏董兰飞刘婷喻仁峰雷建武刘征
文献传递
基于相位合成的时钟50%占空比调节方法
本发明公开了一种基于相位合成的时钟50％占空比调节方法，其步骤为：(1)、脉冲产生：通过脉冲产生电路，将输入的源时钟转化为窄脉冲信号，频率保持不变；(2)、半周期延迟：将步骤(1)中所得的窄脉冲信号延迟半周期；(3)、镜...
赵振宇何小威李少青张民选陈吉华陈怒兴马剑武徐炜遐吴宏陈亮王建军唐世民王东林欧阳干乐大珩
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可进行信号摆率修正的低电压差分驱动电路
本发明公开了一种可进行信号摆率修正的低电压差分信号驱动电路，它包括由第五晶体管M7和第六晶体管M8组成的镜像电流源、由第一CMOS晶体管M1和第二CMOS晶体管M2组成的控制单元以及互补电流开关单元，所述互补电流开关单元...
杨学军王建军李少青张民选陈吉华赵振宇陈怒兴马剑武邹金安何小威欧阳干王洪海刘征唐世民王东林
文献传递
基于相位合成的时钟50%占空比调节方法
本发明公开了一种基于相位合成的时钟50％占空比调节方法，其步骤为：(1)、脉冲产生：通过脉冲产生电路，将输入的源时钟转化为窄脉冲信号，频率保持不变；(2)、半周期延迟：将步骤(1)中所得的窄脉冲信号延迟半周期；(3)、镜...
赵振宇何小威李少青张民选陈吉华陈怒兴马剑武徐炜遐吴宏陈亮王建军唐世民王东林欧阳干乐大珩
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高速接口GTL Buffer研究与设计
GTL(射集收发器逻辑)接口制约着微处理器性能的发挥,是微处理器重要组成部分。全定制方法设计的GTL接口速度快、可靠性高、兼容性好,具有开创性意义和广泛的应用价值。 本文研究了高性能GTL接口的全定制设计方法。文章从原理...
王东林
关键词：GTLCOB全定制设计
最大电流选择器
本发明公开了一种最大电流选择器，它包括第一CMOS晶体管M26、第二CMOS晶体管M24、第三CMOS晶体管M23和第四CMOS晶体管M7，第一CMOS晶体管M26、第二CMOS晶体管M24、第三CMOS晶体管M23和第...
李少青王建军张民选陈吉华赵振宇陈怒兴马剑武何小威欧阳干唐世民王东林邹金安雷建武郑东裕王洪海
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用于高速压控振荡器的差分电路延迟单元
本发明公开了一种用于高速压控振荡器的差分电路延迟单元，其中第一NMOS管M1和第二NMOS管M2组成差分对管，其栅极分别接差分输入IN+和IN-，交叉耦合的MOS管M3和M4漏极分别接差分输出OUT-和OUT+，栅极分别...
陈吉华唐世民张民选李少青赵振宇陈怒兴马剑武何小威吴宏欧阳干王建军刘征陈亮王东林王洪海
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带充电补偿结构的存储器选择性预充电电路
本发明公开了一种带充电补偿结构的存储器选择性预充电电路，它的选择性预充电单元包括预充电管M<Sub>p1</Sub>和两个或两个以上的位线选择管M<Sub>pi</Sub>，充电补偿单元包括充电补偿管M<Sub>p2</...
张民选乐大珩李少青陈吉华赵振宇陈怒兴马剑武王东林高绍全贺鹏董兰飞刘婷喻仁峰雷建武刘征
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具有较小SSTL版图面积的输出接口电路
本发明公开了一种具有较小SSTL版图面积的输出接口电路，它包括第一NMOS管晶体管M1和第二NMOS晶体管M2，第一NMOS管晶体管M1和第二NMOS晶体管M2的漏极相连并与传输线连接。本发明是一种能够缩小整个SSTL接...
赵振宇王东林张民选李少青陈吉华陈怒兴马剑武吴宏高绍全陈亮雷建武欧阳干王建军王洪海高长平
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可进行信号摆率修正的LVDS驱动电路
本发明公开了一种可进行信号摆率修正的LVDS驱动电路，它包括由第五晶体管M7和第六晶体管M8组成的镜像电流源、由第一CMOS晶体管M1和第二CMOS晶体管M2组成的控制单元以及互补电流开关单元，所述互补电流开关单元包括第...
杨学军王建军李少青张民选陈吉华赵振宇陈怒兴马剑武邹金安何小威欧阳干王洪海刘征唐世民王东林
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