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王世伟

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：上海大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 3篇导体
  • 3篇室温铁磁性
  • 3篇铁磁
  • 3篇铁磁性
  • 3篇稀磁半导体
  • 3篇锌盐
  • 3篇脉冲磁场
  • 3篇半导体
  • 3篇ZNO稀磁半...
  • 2篇高压反应釜
  • 2篇共掺
  • 2篇共掺杂
  • 2篇反应釜
  • 2篇掺杂
  • 1篇铬
  • 1篇锰

机构

  • 3篇上海大学

作者

  • 3篇朱明原
  • 3篇薄伟强
  • 3篇刘聪
  • 3篇金红明
  • 3篇姚俊
  • 3篇李瑛
  • 3篇王世伟
  • 3篇胡业旻
  • 2篇舒佳武

年份

  • 3篇2012
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
铬铜共掺杂ZnO稀磁半导体材料的制备方法与装置
本发明涉及脉冲磁场下铬铜共掺杂ZnO稀磁半导体材料的制备方法与装置，属于磁性半导体材料工艺技术领域。本发明方法是采用锌盐，沉淀剂及共掺杂金属盐溶液为原材料；按照沉淀剂与锌盐的摩尔比为4:1~6:1，共掺杂金属盐与锌盐的摩...
朱明原刘聪姚俊舒佳武薄伟强王世伟李瑛胡业旻金红明
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锰铜共掺杂ZnO稀磁半导体材料的制备方法与装置
本发明涉及脉冲磁场下锰铜共掺杂ZnO稀磁半导体材料的制备方法与装置，属于磁性半导体材料工艺技术领域。本发明方法是采用锌盐，沉淀剂及共掺杂金属盐溶液为原材料；按照沉淀剂与锌盐的摩尔比为4:1~6:1，共掺杂金属盐与锌盐的摩...
李瑛刘聪姚俊舒佳武薄伟强王世伟胡业旻朱明原金红明
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铬锰共掺杂ZnO稀磁半导体材料的制备方法与装置
本发明涉及脉冲磁场下铬锰共掺杂ZnO稀磁半导体材料的制备方法与装置，属于磁性半导体材料工艺技术领域。本发明方法是采用锌盐，沉淀剂及共掺杂金属盐溶液为原材料；按照沉淀剂与锌盐的摩尔比为4:1~6:1，共掺杂金属盐与锌盐的摩...
李瑛刘聪王世伟薄伟强姚俊朱明原胡业旻金红明
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