沈浩颋
- 作品数：8 被引量：13H指数：2
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：上海市教育委员会重点学科基金上海市科委纳米专项基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信更多>>
- 氧化铝模板辅助生长一维纳米线阵列及其电学性质研究
- TCNQ（tetracyanoquinodimethane）,全名7,7,8,8-四氰基对苯醌二甲烷,是一种良好的有机电子受体,可以与很多电子给体（如TTF,碱金属或碱金属卤化物,过渡金属,稀土金属等）形成稳定的简单或复...
- 沈浩颋
- 关键词：多孔氧化铝纳米线阵列铜纳米线
- 文献传递
- 氧化铝模板辅助生长-维纳米线阵列及其电学性质研究
- TCNQ(tetracyanoquinodimethane),全名7,7,8,8-四氰基对苯醌二甲烷,是一种良好的有机电子受体,可以与很多电子给体(如TTF,碱金属或碱金属卤化物,过渡金属,稀土金属等)形成稳定的简单或复...
- 沈浩颋
- 关键词：纳米材料铜纳米线电学性质
- 文献传递
- 金属有机配合物的纳米一维结构研究
- 陈国荣徐华华曹冠英余剑萍郑凯波叶春暖邢晓艳沈浩颋
- 纳米一维结构材料与器件是纳米技术中的研究热点。除众所周知的碳纳米管外，人们研制了许多碳化物、金属氧化物（如ZnO、MgO等），金属纳米线，半导体（Ⅲ-Ⅴ族及硅、锗）的纳米线。迄今，在纳米线的制备方法、尺寸和形貌的调控、选...
- 关键词：
- 关键词：金属有机配合物
- 一种纳米结构薄膜太阳能电池及其制备方法
- 本发明属于太阳能电池技术领域，具体为一种纳米结构的薄膜太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池以一维无机纳米线阵列作为N型材料，该N型材料与P型的铜－铟－硒等材料组成具有光电转换性能的纳米结构的异质结。具体结构依次为玻璃基底...
- 陈国荣郑凯波李静雷沈浩颋孙大林
- 文献传递
- 单根ZnO纳米线的室温气敏特性被引量：10
- 2008年
- 利用改进的CVD法制备了(002)面取向生长的ZnO纳米线,通过光刻/剥离的自下而上的组装技术制备了基于单根ZnO纳米线的气敏元件,其中的ZnO纳米线直径为50-300nm,有效长度为2-10μm.测试表明在室温条件下,元件对浓度为500μL·L-1的氧气和乙醇的灵敏度可以分别达到1.3和1.2,而气敏响应时间分别为10和5s,由于单根纳米线的一维小尺寸结构加剧了电流的自加热效应,因此元件在外界环境为室温的条件下的灵敏度才略有提高.
- 郑凯波李静雷沈浩颋孙大林陈国荣
- 关键词：氧化锌纳米线气敏
- 一种超快速、抗辐射纳米线过电压保护器
- 本发明属于纳米电子器件技术领域，具体是一种超快速、抗辐射纳米线过电压保护器。器件的功能部分由底电极、绝缘层和顶电极组成，绝缘层中由金属有机络合物M－TCNQ纳米线(阵列)将底电极与顶电极连接，这里M为Ag，Cu，K或Mg...
- 陈国荣郑凯波沈浩颋叶春暖莫晓亮姚彦孙大林
- 文献传递
- 一种超快速、抗辐射纳米线过电压保护器
- 本发明属于纳米电子器件技术领域，具体是一种超快速、抗辐射纳米线过电压保护器。器件的功能部分由底电极、绝缘层和顶电极组成，绝缘层中由金属有机络合物M-TCNQ纳米线(阵列)将底电极与顶电极连接，这里M为Ag，Cu，K或Mg...
- 陈国荣郑凯波沈浩颋叶春暖莫晓亮姚彦孙大林
- 文献传递
- 基于p^+-Si与n-ZnO纳米线的p-n异质结的制备及其性质研究被引量：3
- 2006年
- 利用CVD蒸汽俘获法,在p+硅片上制备了垂直生长的n型ZnO纳米线阵列,用XRD和SEM分析了样品的结构与形貌。测试发现样品的I-V曲线符合典型的p-n异质结特性,正向开启电压为0.5 V,反向饱和电流为0.02 mA。计算了异质结的理想因子η,发现当异质结两端偏压在0 V^0.3 V的低压区域,理想因子为1.85,而在0.3 V^0.8 V的高偏压区域,理想因子为8.36。解释了理想因子偏高的原因是由于金属-半导体接触以及ZnO纳米线与p+-Si界面存在缺陷。
- 郑凯波邢晓艳徐华华方方沈浩颋张晶朱健叶春暖孙大林陈国荣
- 关键词：氧化锌纳米线异质结
