汪浩
- 作品数：13 被引量：12H指数：2
- 供职机构：电子科技大学更多>>
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- 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术经济管理更多>>
- 一种抑制电路温度漂移影响的高温测量系统被引量：1
- 2014年
- 设计了一种耐155℃高温的井下测量系统,为了满足多通道信号的测量,其前置放大电路采用分时复用的工作机制,刻度信号与目标信号通过模拟开关分时送至前置放大器。发射电流经取样后得到参考信号,运用数字相敏检波算法计算其幅度和相位,为分时导通的刻度信号和目标信号提供相位基准。通过对模拟通道进行实时的刻度,确保测量结果不随电路的温度漂移而发生变化。实验结果表明,该方法能有效地抑制温漂对测量系统的影响。
- 管国云孙向阳汪浩
- 关键词：测井仪高温
- 手写字符识别应用系统的研究
- 汪浩
- 一种消除感应测井直耦信号的自动调节装置及调节方法
- 该发明公开了一种消除感应测井直耦信号的自动调节装置及调节方法，涉及感应测井仪中接收线圈直耦信号对消领域。该装置包括线圈骨架，发射线圈、匝数固定的基线圈和匝数可调的调节线圈。调节线圈基于多层印制电路板（PCB）设计，并从中...
- 管国云汪浩聂在平孙向阳邱玉杰
- 文献传递
- 金属诱导横向晶化非晶硅薄膜技术及新发展
- 2013年
- 金属诱导横向晶化技术(MILC)由于具有晶化温度低、晶化颗粒大等优点而获得了快速发展。阐述了金属诱导横向晶化非晶硅薄膜的晶化机理、晶化效果及影响晶化效果的主要参数,并介绍了基于多种辅助措施,如离子掺杂、电磁场辅助、微波退火、激光退火、氮硅化合物覆盖法和焦耳热升温法等方法,以优化金属诱导横向晶化非晶硅薄膜。辅助措施均有利于增强晶化效果,更易获得大面积无孪晶多晶硅薄膜,并具有较高的载流子迁移率。最后提出采用微纳金属阵列结构调控晶化能量,实现低温、高速、大晶粒直径的多晶硅薄膜制备新方法。
- 李冬雪汪浩夏委委刘超然李天昊段智勇
- 关键词：金属诱导活化能多晶硅薄膜
- A银行手机银行营销策略研究
- 伴随着中国经济的爆发式增长，移动通讯基础设施水平不断提高，移动智能终端设备的快速普及，移动互联网已成为大势所趋，已经渗透到企业和居民生活的多个领域，改变着信息时代居民社会生活和企业的生产运作，并将开创新的行业领域、商业模...
- 汪浩
- 关键词：商业银行手机银行营销策略移动金融
- 基于FPGA的DPSD算法实现新方法被引量：1
- 2015年
- 针对当前测井仪器接收电路多通道、小体积、低功耗、高效率的设计要求,提出了一种基于FPGA的DPSD算法实现新方法。该方法采用一种简化的正交DPSD处理方法,方便电路和算法的实现;串行ADC采样数据直接进入运算,无需串并转换,在节省FPGA引脚的同时保证了算法效率;用移位累加操作代替乘法操作,极大地降低了算法对FPGA逻辑资源的消耗。在具体FPGA器件上的实现结果表明,该方法能够在不影响算法效率的情况下减少对FPGA引脚占用和近一半的逻辑资源消耗,满足预先的设计要求。
- 汪浩管国云陈学英
- 关键词：测井仪器串行ADC
- 感应测井仪与电磁波传播测井仪中收发系统的关键技术研究
- 石油作为当前世界上最重要的资源之一，一直以来对其勘探技术的探索从未停止过。随着电子技术的进步，特别是半导体器件工艺的发展，电磁波测井和感应测井等电法测井技术越来越成为当前测井领域的核心技术。 我国的电法测井研究起步较晚...
- 汪浩
- 关键词：电磁波测井感应测井零中频
- 文献传递
- 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管
- 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，属于半导体器件技术领域。本发明通过在传统GaNHEMT器件的栅极与漏极之间形成具有整流作用的横向肖特基二极管，以此作为耐压结构来调制器件表面电场，优化横向电场分布，从而达到提高器件击穿电压...
- 杜江锋汪浩刘勇白智元辛奇于奇
- 文献传递
- 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管
- 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，属于半导体器件技术领域。本发明通过在传统GaNHEMT器件的栅极与漏极之间形成具有整流作用的横向肖特基二极管，以此作为耐压结构来调制器件表面电场，优化横向电场分布，从而达到提高器件击穿电压...
- 杜江锋汪浩刘勇白智元辛奇于奇
- 文献传递
- 高耐压GaN基功率器件新结构优化设计
- 随着科技的进步，氮化镓（GaN）材料以优异的特性在全世界范围内引起大量的关注和研究。本文简要介绍了GaN材料的基本特性，介绍了GaN基功率二极管和HEMT的研究进展和热点。总结了国内外学者所采用提高耐压的技术手段，但基本...
- 汪浩
- 关键词：优化设计电场分布开关特性
- 文献传递
