段焕涛
- 作品数：6 被引量：20H指数：3
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- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 背势垒层结构对AlGaN/GaN双异质结载流子分布特性的影响被引量：5
- 2009年
- 首先通过一维自洽求解薛定谔/泊松方程,研究了AlGaN/GaN双异质结构中AlGaN背势垒层Al组分和厚度对载流子分布特性的影响.其次利用低压MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长出具有不同背势垒层的AlGaN/GaN双异质结构材料,通过汞探针CV测试验证了理论计算的正确性.理论计算和实验结果均表明,随着背势垒层Al组分的提高和厚度的增加,主沟道中的二维电子气面密度逐渐减小,寄生沟道的二维电子气密度逐渐增加;背势垒层Al组分的提高和厚度的增加能有效的增强主沟道的二维电子气限域性,但是却带来了较高的寄生沟道载流子密度,因此,在AlGaN/GaN双异质结构的设计时,需要在主沟道二维电子气限域性的提高和寄生沟道载流子密度抑制之间进行折中考虑.
- 张进成郑鹏天董作典段焕涛倪金玉张金凤郝跃
- 关键词：ALGAN/GAN双异质结构
- (1■02)r面蓝宝石生长的(11■0)a面氮化镓研究被引量：3
- 2009年
- 自发极化和压电极化是氮化镓制作光电器件没有解决的问题,对非极性GaN材料的研究解决了极化现象.采用低温AlN作为缓冲层,在(1■02)r面蓝宝石和(0001)c面蓝宝石上分别生长了(11■0)非极性a面和(0001)极性c面GaN,用原子力显微镜和高分辨X射线衍射、光致发光谱比较了生长在r面蓝宝石上的a面GaN和c面蓝宝石上的c面GaN,a面GaN材料质量和c面GaN相差较大,在a面GaN上发现了三角坑的表面形貌,这和传统的c面生长的极性GaN截然不同.对a面GaN的缺陷形成原因进行了讨论,并且确定了三角坑缺陷的晶向.
- 许晟瑞段焕涛郝跃张进城张金凤倪金玉胡仕刚李志明
- 关键词：氮化镓X射线衍射非极性
- MOCVD反应室喷淋头的改进与材料均匀性优化
- 本文主要通过MOCVD反应室喷淋头的改进和生长工艺参数的优化,将GaN外延薄膜的厚度均匀性由9.9％提高到1.39％,同时明显提高了生长速率,节约MO源60％以上。
- 张进城倪金玉段焕涛郝跃
- 关键词：半导体薄膜MOCVD
- 文献传递
- 高温AlN插入层对AlGaN/GaN异质结材料和HEMTs器件电学特性的影响被引量：8
- 2009年
- 研究了在GaN缓冲层中插入40 nm厚高温AlN层的GaN外延层和AlGaN/GaN异质结材料,AlN插入层可以增加GaN层的面内压应力并提高AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)的电学特性.在精确测量布拉格衍射角的基础上定量计算了压应力的大小.增加的压应力一方面通过增强GaN层的压电极化电场,提高了AlGaN/GaN异质结二维电子气(2DEG)面密度,另一方面使AlGaN势垒层对2DEG面密度产生的两方面影响相互抵消.同时,这种AlN插入层的采用降低了GaN与AlGaN层之间的晶格失配,改善了AlGaN/GaN异质结界面特性,有利于减弱界面粗糙度散射,提高2DEG迁移率.利用这种插入层结构的AlGaN/GaN异质结材料研制了栅长为1μm的HEMTs器件,其最大漏电流和最大跨导比常规HEMTs器件分别提高了42%和20%.
- 倪金玉郝跃张进成段焕涛张金风
- 关键词：ALGAN/GAN异质结二维电子气
- GaN薄膜大型V形表面坑的形成和光学性质(英文)被引量：1
- 2008年
- 研究了用MOCVD设备在高温和低Ⅴ/Ⅲ条件下生长的GaN薄膜表面存在的与位错相连的大型Ⅴ形表面坑,并提出了一个有关质量疏运机制的模型以解释其形成机理.由衬底扩散上出来的Al原子对大型坑的形成具有辅助作用,并阻止了深能级杂质或空位缀饰与坑相连的位错.GaN内的位错是非辐射复合中心,但对深能级发光不起作用.
- 高志远段焕涛郝跃李培咸张金凤
- 关键词：无机非金属材料半导体材料
- 基于高温AIN成核层的GaN基异质结构材料生长研究
- GaN基宽禁带半导体是目前发展高温、高频、大功率电子器件的最重要也是最基本的材料,深受国际上的关注。因此,GaN和AlxGa,-xN//GaN异质结构材料的研究已成为当前半导体科学技术的前沿领域和热点。本文结合GaN基异...
- 段焕涛
- 关键词：高电子迁移率晶体管二维电子气
- 文献传递
