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超薄栅氧化层n-MOSFET软击穿后的导电机制被引量：15: 2005年; 研究了恒压应力下超薄栅氧化层n型金属-氧化物-半导体场效应晶体管(n-MOSFET)软击穿后的导电机制.发现在一定的栅电压Vg范围内,软击穿后的栅电流Ig符合Fowler-Nordheim隧穿公式,但室温下隧穿势垒b的平均值仅为0·936eV,远小于Si/SiO2界面的势垒高度3·15eV.研究表明,软击穿后,处于Si/SiO2界面量子化能级上的电子不隧穿到氧化层的导带,而是隧穿到氧化层内的缺陷带上.b与缺陷带能级和电子所处的量子能级相关;高温下,激发态电子对隧穿电流贡献的增大导致b逐渐降低.; 王彦刚许铭真谭长华段小蓉; 关键词：超薄栅氧化层 N-MOSFET 导电机制软击穿 SI/SIO2 栅电流

超薄栅介质(SiO<,2>)TDDB的非阿尔赫留斯温度特性模型: 在早期的温度加速研究中,广泛采用阿尔赫留斯(Arrhenius)方程来描述介质的时变相关击穿时间(TDDB),随着超大规模集成电路集成度的迅速增大,当SiO<,2>厚度小于7nm以后,人们发现,t<,BD>不仅与应力电压...; 许铭真谭长华何燕冬段小蓉; 关键词：超薄栅介质; 文献传递

4-9nm n-MOSFETs热载流子退化及寿命预测: 本文对4-9nm n-MOSFETs进行了沟道热载流子应力加速寿命实验,在饱和漏电流退化特性的基础上提出了适用不同氧化层厚度器件的寿命预测模型,并进行了寿命预测.; 穆甫臣许铭真谭长华段小蓉; 关键词：MOS器件热载流子氧化层厚度; 文献传递

恒压应力下超薄栅nMOSFET软击穿后的衬底电流特性被引量：4: 2005年; 研究了在恒压应力下超薄栅nMOSFET软击穿后的衬底电流特性.软击穿时间由衬底电流随时间的弛豫特性和器件输出特性测量时监测的衬底电流突变确定.发现软击穿时间的威布尔斜率和衬底特征击穿电流随温度的升高而增大.用类渗流模型模拟了软击穿后衬底电流与栅电压的关系.利用变频光泵效应讨论了超薄栅MOSFET低电压应力下衬底电流的来源,并解释了软击穿后衬底电流和栅电流之间的线性关系.; 王彦刚许铭真谭长华段小蓉; 关键词：衬底电流软击穿超薄栅氧化层

超薄栅n-MOSFETs热载流子寿命预测模型被引量：1: 2001年; 对氧化层厚度为 4和 5 nm的 n- MOSFETs进行了沟道热载流子应力加速寿命实验 ,研究了饱和漏电流在热载流子应力下的退化 .在饱和漏电流退化特性的基础上提出了电子流量模型 ,此模型适用于氧化层厚度为 4— 5; 穆甫臣许铭真谭长华段小蓉; 关键词：热载流子效应 N-MOSFET 场效应晶体管

基于类渗流导电的超薄栅氧化层软击穿后的电流模拟被引量：1: 2006年; 研究了超薄栅氧化层(≤3.0nm)软击穿(softbreakdown,SBD)后的栅电流和衬底电流特性.提出了一个基于类渗流导电的SBD后栅电流和衬底电流的解析公式———类渗流导电公式.该公式能够在较大的电压范围(-4～+3V)模拟氧化层SBD后的栅电流和衬底电流的电流电压特性,为超薄栅氧化层可靠性的研究提供了一个较为简便的公式.; 王彦刚许铭真谭长华段小蓉; 关键词：软击穿超薄栅氧化层

差值取样数对氧化层电流弛豫谱分辨率与灵敏度的影响被引量：1: 1993年; 本文讨论了差值取样数对氧化层电流弛豫谱(OCRS)分辨率与灵敏度的影响,给出了差值取样数七在实际分析过程中的最佳选择原则,研究了用计算机技术改善氧化层电流弛豫谱的灵敏度问题。; 许铭真谭长华刘晓卫何燕冬段小蓉王阳元; 关键词：分辨率灵敏度 MOS器件

Investigation of Gate Defects in Ultrathin MOS Structures Using DTRS Technique: 2002年; s:A detailed description of relaxation spectroscopy technique under direct tunneling stress is given.A double peak phenomena by applied relaxation spectroscopy on ultra thin (<3nm) gate oxide is found.It suggests that two kinds of traps exist in the degradation of gate oxide.It is also observed that both the trap density and the generation/capture cross section of oxide trap and interface trap are smaller in ultra thin gate oxide (<3nm) under DT stress than those in the thicker oxide (>4nm) under FN stress,and the centroid of oxide trap is closer to anode interface than in the center of oxide.; 霍宗亮杨国勇许铭真谭长华段小蓉; 关键词：TUNNELING

在直接隧道应力下2nm超薄氧化膜体缺陷的产生特性: 随着ULSI集成度的迅速提高,MOS器件尺寸已进入0.1微米量级.按等比例缩小规则,栅氧化层厚度已小于4nm.在MOS器件的正常工作电压下,超薄氧化膜的电流传导机制已由直接隧道电流代替F-N隧道电流,成为MOS器件和EE...; 许铭真谭长华段小蓉; 关键词：二氧化硅薄膜晶体缺陷 MOS器件; 文献传递

软击穿后的MOS器件的微分电导谱及其应用: 软击穿后的MOS器件的微分电导谱已用于研究软击穿后的超薄SiO2的电导性质，结果表明：软击穿后的超薄SiO2的栅电流－栅电压特性的微分电导谱具有两个谱峰，低电压的谱峰源于隧道电子流隧穿单势垒，而高电压的谱峰源于隧道电子流...; 许铭真谭长华段小蓉; 关键词：软击穿微分电导超薄栅氧化层金属氧化物半导体; 文献传递

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段小蓉