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武建民

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：无锡职业技术学院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇功率器件
  • 1篇LDMOS
  • 1篇LDMOS器...
  • 1篇MOSFET
  • 1篇LATERA...

机构

  • 1篇无锡职业技术...

作者

  • 1篇李丽
  • 1篇祝伟
  • 1篇马士让
  • 1篇武建民

传媒

  • 1篇科技资讯

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
LDMOS器件的几种新技术及其发展趋势被引量：1
2011年
LDMOS(Lateral Double-Diffused MOSFET)是一种横向功率器件,易于与低压信号以及其他器件单片集成。且有高耐压、高增益、低失真等优点,被广泛应用于功率集成电路中。LDMOS器件本身性能的优劣及其工作的可靠性决定了整个功率集成电路的性能的优劣,因此LDMOS的设计在整个工艺开发中显的尤为重要。
武建民祝伟马士让李丽
关键词：功率器件
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