武俊齐
- 作品数：3 被引量：18H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 发文基金：模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 硅基异质集成技术发展趋势与进展被引量：7
- 2020年
- 目前主流的异质集成技术有单片异质外延生长、外延层转移和小芯片微米级组装。硅基异质集成主要是指以硅材料为衬底集成异质材料(器件)所形成的集成电路技术。它首先在军用微电子研究中得到重视,并逐渐在民用领域扩展。硅基异质集成技术正处于芯片级集成向晶体管级集成的发展初期,已有关于晶体管级和亚晶体管级集成的报道。本文重点研究了单片三维集成电路(3D SoC)、太赫兹SiGe HBT器件、超高速光互连封装级系统(SiP)、单片集成电磁微系统等硅基异质集成技术前沿,展现了硅基异质集成技术的发展趋势,及其在军用和民用通信、智能传感技术发展中所具有的重要意义。
- 武俊齐赖凡
- 关键词：HBT器件
- 微型传感器及纳米传感器被引量：9
- 1998年
- 综述了微型传感器及纳米传感器的发展现状，叙述了微型传感器技术的发展趋势及其关键技术，并介绍了微型传感器技术在军事领域中的应用情况。
- 武俊齐
- 关键词：微型传感器纳米传感器
- 后摩尔时代新兴计算芯片进展被引量：2
- 2020年
- 信息处理系统由于基础半导体技术遭遇"摩尔定律接近终结"和现行计算架构(冯·诺依曼架构)缺陷所导致的瓶颈,其发展受到严重挑战。为克服这些制约因素,一方面,集成电路开始沿着由技术内生动力和应用拉动的趋势,即"超越摩尔定律"和"超越CMOS"的方向,逐步发展,包括对单片3D系统和碳纳米管场效应晶体管芯片等新兴计算芯片技术的研究;另一方面,计算范式变革推动了以"神经形态计算"类脑芯片等构建的非冯·诺依曼架构的芯片迅速发展。本文从以上两个方面研究了后摩尔时代新计算芯片技术发展的脉络,分析了数字计算芯片、模拟计算芯片、神经形态计算芯片等新兴计算芯片技术的新进展。
- 武俊齐赖凡
- 关键词：碳纳米管场效应晶体管量子计算
