樊龙
- 作品数：18 被引量：14H指数：3
- 供职机构：四川大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信金属学及工艺更多>>
- 可调压合成容器
- 一种可调压合成容器，由内层坩埚和外层坩埚组合而成，内层坩埚的初始状态为一端开口、一端封闭的石英管，其封闭端端部设置有支撑杆，外层坩埚的初始状态为一端开口、一端由支撑套封闭的石英管，其内径大于内层坩埚的外径，其长度大于内层...
- 赵北君朱世富樊龙何知宇陈宝军
- 文献传递
- 一种用于单晶生长的石英防爆容器
- 一种用于单晶生长的石英防爆容器，由内层坩埚和外层坩埚组成；内层坩埚为内壁镀有碳膜的石英管，其初始状态由单晶生长段和分别位于单晶生长段两端的进料段、籽晶淘汰段组成，进料段的端部为进料口，单晶生长段的外壁设置有定位突起，籽晶...
- 赵北君朱世富樊龙杨辉何知宇陈宝军
- 文献传递
- 中远红外非线性光学晶体AgGaS2、AgGaSe2和AgGa1-xInxSe2研究进展
- ＜正＞AgGaS2晶体,是Ⅰ-Ⅲ-VI2三元化合物半导体,空间群I4 2d,常温下呈黄色,熔点996℃,禁带宽度2.76eV;AgGaSe2是与AgGaS2同系列的黄铜矿类晶体,常温下呈深灰色,熔点860℃,禁带宽度1....
- 赵北君朱世富何知宇陈宝军赵玲樊龙黄巍刘维佳
- 一种磷硅镉多晶体的合成方法与合成容器
- 一种磷硅镉多晶体的合成方法，以高纯度的磷、硅、镉为原料，配料的摩尔比为硅∶镉∶磷＝1∶1∶2，并适当富磷。工艺步骤如下：(1)合成容器的清洗与干燥；(2)装料；(3)采用两区域适时温度监控、低温气相输运分离原料和高温熔体...
- 朱世富赵北君樊龙何知宇陈宝军
- 文献传递
- 硫镓银晶体(112)面蚀坑形貌研究被引量：3
- 2009年
- 本文报道了一种能在室温下对硫镓银晶体(112)面进行择优腐蚀的新腐蚀液配方,采用新腐蚀液对改进的Bridgman法生长的AgGaS2晶体进行腐蚀,用扫描电镜对蚀坑进行了观察,得到了清晰的(112)面蚀坑形貌,形状为三角锥形。初步解释了蚀坑的形成原因。AgGaS2晶体低指数的{100}面的腐蚀速度较慢,在腐蚀过程中逐渐显露出来,最终使晶体(112)面呈现出三角锥形蚀坑形貌。
- 杨胜伟朱世富赵北君陈宝军袁泽锐樊龙
- 关键词：单晶体
- CdSiP_2多晶杂相分析与合成工艺改进被引量：1
- 2012年
- 以高纯(6N)Cd、Si、P单质为原料,按CdSiP2化学计量比并适当富磷配料,采用传统气相输运法合成出CdSiP2多晶。X射线衍射(XRD)分析及Rietveld全谱拟合精修结果表明合成产物中含有微量SiP和CdP2杂相,分析了杂相产生的原因。针对存在的问题改进合成工艺,引入高温熔体机械和温度振荡以及分步控温冷却等新工艺,获得了外观完整、内部致密均匀的CdSiP2多晶。XRD及能量色散谱仪(EDS)分析结果表明,合成产物为高纯单相CdSiP2多晶,为高质量单晶体的生长奠定了可靠基础。以改进工艺获得的CdSiP2多晶为原料生长出质量较好的单晶体,厚度为2 mm的晶片样品在1500～7000 cm-1范围内的红外透过率在45%以上,计算出晶体的禁带宽度为2.09 eV。
- 王小元朱世富赵北君陈宝军何知宇樊龙杨辉刘光耀
- 关键词：多晶合成红外透过率
- 一种磷硅镉单晶体的生长方法与生长容器
- 一种磷硅镉单晶体的制备方法，以富磷CdSiP<Sub>2</Sub>多晶粉末为原料，工艺步骤为：（1）生长容器的清洗与干燥；（2）装料；（3）将装有生长原料并封结的双层坩埚放入三温区管式晶体生长炉，然后将生长炉的高温区和...
- 朱世富赵北君樊龙杨辉何知宇陈宝军
- 文献传递
- 黄铜矿结构中红外高功率非线性光学晶体及器件研究
- 朱世富赵北君陈宝军何知宇樊龙黄巍杨辉王志超
- 一种磷硅镉多晶体的合成方法与合成容器
- 一种磷硅镉多晶体的合成方法，以高纯度的磷、硅、镉为原料，配料的摩尔比为硅∶镉∶磷＝1∶1∶2，并适当富磷。工艺步骤如下：(1)合成容器的清洗与干燥；(2)装料；(3)采用两区域适时温度监控、低温气相输运分离原料和高温熔体...
- 朱世富赵北君樊龙何知宇陈宝军
- 硫镓银晶体的化学腐蚀研究被引量：2
- 2012年
- 采用改进的垂直布里奇曼(Bridgman)法自发成核生长AgGaS2晶体,在生长初期对生长安瓿籽晶袋进行上提回熔,生长出外观完整、无裂纹的大尺寸AgGaS2单晶体。采用XRD对晶体进行分析,获得了(112)、(001)和(101)面的高强度尖锐衍射峰。采用不同配比的腐蚀剂对晶体(101)、(112)及(001)晶面进行化学腐蚀,然后采用金相显微镜和扫描电镜观察,结果显示,(101)晶面蚀坑为清晰的近似三角形的四边形蚀坑,(112)晶面蚀坑为清晰的近似三角锥形,(001)晶面则呈现互相垂直的腐蚀线。初步分析了不同蚀坑的形成原因,计算出(101)和(112)面蚀坑密度约为105/cm2数量级。结果表明,改进方法生长出的大尺寸AgGaS2单晶体结构完整、位错密度低,质量较好。
- 于鹏飞朱世富赵北君陈宝军何知宇樊龙
- 关键词：化学腐蚀
