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梁宗存

作品数：107 被引量：238H指数：8
供职机构：中山大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划广东省科技计划工业攻关项目更多>>
相关领域：电气工程电子电信动力工程及工程热物理一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 45篇专利
  • 30篇会议论文
  • 28篇期刊文章
  • 3篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 46篇电气工程
  • 11篇动力工程及工...
  • 11篇电子电信
  • 3篇化学工程
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇经济管理
  • 1篇机械工程
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 86篇电池
  • 65篇太阳电池
  • 35篇晶体硅
  • 32篇硅太阳电池
  • 26篇晶体硅太阳电...
  • 19篇多晶
  • 19篇多晶硅
  • 19篇硅薄膜
  • 17篇太阳能电池
  • 17篇颗粒硅带
  • 17篇发射极
  • 15篇多晶硅薄膜
  • 12篇太阳能
  • 12篇硅太阳能电池
  • 9篇硅薄膜太阳电...
  • 9篇薄膜太阳电池
  • 8篇多晶硅薄膜太...
  • 7篇电极
  • 7篇选择性发射极
  • 7篇丝网印刷

机构

  • 88篇中山大学
  • 29篇中国科学院
  • 3篇华南理工大学
  • 2篇北京太阳能研...
  • 2篇中国电子科技...
  • 2篇深圳先行电子...

作者

  • 107篇梁宗存
  • 79篇沈辉
  • 12篇陈达明
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  • 9篇白路
  • 7篇李戬洪
  • 7篇赵汝强
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  • 6篇李军勇
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  • 5篇张陆成
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  • 4篇包杰
  • 4篇郑庆琳
  • 3篇林文杰
  • 3篇金井升

传媒

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  • 6篇材料导报
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年份

  • 2篇2023
  • 2篇2022
  • 3篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 5篇2016
  • 7篇2015
  • 10篇2014
  • 12篇2013
  • 5篇2012
  • 6篇2011
  • 9篇2010
  • 7篇2009
  • 7篇2008
  • 4篇2006
  • 3篇2005
  • 6篇2004
  • 3篇2003
  • 6篇2002
  • 1篇2001
共 107 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
单晶硅太阳电池技术分析
2014年
简要叙述太阳电池的发展历程及当前的状况,针对目前单晶硅太阳电池研究热点,从单晶硅材料、制绒、扩散、钝化、浆料、印刷、烧结、高效电池的工艺及设备等方面分别进行了深入分析,对其提高阳光的吸收能和光电转换效能的技术发展做出预测。
白路梁宗存孙韵琳沈辉姜辰明
关键词：单晶硅太阳电池扩散钝化浆料印刷
一种尺寸可控的金属纳米颗粒的制备方法
一种尺寸可控的金属纳米颗粒的制备方法：S1.在清洗过基底上平铺一层食盐细粒；S2.用物理或化学沉积方法在基底上沉积5-20nm厚金属薄膜；S3.将样品于惰性气氛中退火处理：280~300℃保温10~20min，升温至43...
沈辉赵晓霞梁宗存
文献传递
低成本衬底上快热CVD法制备晶体硅薄膜电池
以RTCVD方法在低成本衬底—颗粒硅带(SSP)上制备了外延晶体硅薄膜电池.在20×20mm<'2>上得到的最高转换效率为7.4﹪,开路电压488mV,短路电流21.91mA/cm<'2>,填充因子0.697.外延晶体硅...
梁宗存中山大学物理系(广州)沈辉胡芸菲许宁生
关键词：颗粒硅带化学气相沉积薄膜电池
文献传递
太阳能材料的研究和发展被引量：6
2000年
太阳能的光热、光电利用已经显示了很好的发展势头。太阳能利用的关键问题是需要发展新材料。本文主要对近年来国内外太阳能材料的研究和发展状况进行综述和评估 ,主要涉及光热利用、光电转换及控光变色材料的研究动态和发展前景。
沈辉梁宗存李戬洪
关键词：太阳能材料气致变色光电转换太阳能光热转换
背面蒸镀铝金属化N型PERT太阳电池退火过程的研究
2016年
在N型PERT太阳电池制备过程中,蒸镀铝可作为太阳电池背面的金属电极,但是由于背面激光开膜所引起的氧化层会影响太阳电池的串联电阻(R_s),所以必须在蒸镀铝工序完成后对太阳电池进行退火处理以减少Rs。文章重点研究了以蒸镀铝为背电极的N型PERT太阳电池在不同退火工艺下的性能差异,研究结果表明,退火温度不变,随着退火时间的增加,Rs逐渐降低,填充因子(FF)和短路电流密度(J_(sc))迅速升高,开路电压(V_(oc))则缓慢升高,如果退火时间恰当,R_s会降得很低,V_(oc)也会处于峰值,此时电池效率(E_(ta))最大,最终在退火温度为380℃,且退火时间为40 s时,太阳电池的E_(ta)可达到20.77%。通过研究发现:太阳电池的退火过程可用阿伦尼乌斯公式来表达,通过此方程得出了铝和氧化硅退火反应的表观活化能为91.89 k J/mol。
徐冠群梁宗存
关键词：退火
一种晶体硅太阳电池背接触电极结构的制备方法
本发明公开了一种晶体硅太阳电池背接触电极结构的制备方法，该方法是在沉积有SiNx薄膜钝化层的晶体硅片上，对SiNx薄膜钝化层先进行含玻璃料的铝浆丝网印刷，再进行全铝浆丝网印刷，高温烧结后即制备得背接触电极结构。本发明方法...
梁宗存沈辉陈达明
文献传递
一种局域前表面场N型太阳电池的制作方法
本发明公开了一种局域前表面场N型太阳电池的制作方法，该方法利用铝硅合金化过程或高温硼扩散过程形成背表面p-n结，激光掺杂形成前表面局域重掺杂N型区域作为前表面场，并用化学镀或电镀方法在上述重掺杂N型区域上制作前电极。本发...
沈辉杨灼坚洪瑞江梁宗存陶龙忠
文献传递
利用金属辅助化学腐蚀法在硅表面获得纳米绒面结构以提升多晶硅太阳电池效率
2016年
在硅片表面制备绒面结构能够有效降低太阳光在硅片表面的反射损失，是提高太阳能电池转换效率的一条重要途径。通过真空热蒸发法在多晶硅片上沉积纳米银颗粒，利用金属辅助化学腐蚀（MACE）法，制备了不同腐蚀时间下的纳米绒面结构，其中，腐蚀时间为60 s 的纳米绒面的平均反射率低至4.66%（300～1100 nm）。同时，对腐蚀时间为60 s的纳米绒面用KOH 溶液进行优化处理，将KOH 处理前后的多晶硅片采用常规电池工艺进行电池制备研究。对比发现，经过KOH 处理后的电池效率比未经KOH 处理的电池效率提高了0.43%。
陈森荣梁宗存
关键词：多晶硅太阳电池
RTCVD沉积轻掺和不掺硼多晶硅薄膜结构和电学性能的研究
使用快速加热化学气相沉积(RTCVD)系统在石英衬底上制备了轻掺和不掺硼的多晶硅薄膜.分别利用XRD SEM、高阻Hall测量和光电导谱测量了它们的结构和电学性能.结果表明,1150℃在石英衬底上生长的征多晶硅薄膜具有[...
艾斌沈辉班群王晓晶梁宗存廖显伯
关键词：化学气相沉积多晶硅薄膜电学性能薄膜太阳能电池
文献传递
MWT太阳电池研究
主要探究在大面积(156mm×156mm)p型单晶硅片上,制备一种适合工业化生产的MWT(Metal Wrap Through)太阳电池结构.文中主要利用背面抛光隔离电极工艺,制得具有铝背场结构的MWT电池,并对制备过程...
何帆王学孟刘文峰梁宗存
关键词：太阳电池
文献传递
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