杨基南
- 作品数：10 被引量：32H指数：2
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- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- GaN-MOCVD设备产业化发展战略研究——Ⅲ族氮化物半导体的热点、难点、机遇和挑战被引量：8
- 2003年
- 以氮化镓(GaN)为代表的Ⅲ族氮化物半导体材料已经成为世界范围的研究热点。但是,采用异质外延法生长的GaN,由于衬底材料晶格失配和热失配而存在高密度的位错缺陷和产生龟裂;外延生长所用的源材料之间存在严重的气相预反应以及MO源对氧和水份等杂质十分敏感,因而外延质量和成品率强烈依赖于设备性能和工艺条件。无论是设备还是工艺,都还存在很大的发展空间和机遇,预料3年～5年内国外将推出每批几十片的商用机型,我国相关设备制造和器件开发面临严峻挑战。
- 杨基南刘亚红
- 关键词：氮化镓半导体材料产业氮化物半导体MOCVD设备
- 液态源化学气相淀积制备SiO_2薄膜的设备研制被引量：1
- 2003年
- 采用液态有机硅源的等离子体增强化学气相淀积设备是通向深亚微米时代的桥梁。介绍研制的液态源化学气相淀积设备的工作原理、结构特点和工艺结果,制备的SiO2薄膜膜厚均匀性±2%,折射率1.452±0.014,生长速率40nm?min。
- 廖佐昇范迎新任伟王萍李学文杨基南
- 关键词：等离子体化学气相沉积
- 液晶显示器的工艺设备和检测仪器
- 1992年
- 液晶显示器(LCD)的市场销售额正以年增长率30％的速度发展,将成为电子工业的重大产业部门。本文根据LCD制造工艺要求,介绍LCD制造设备和检测仪器的现状和发展动向。
- 杨基南
- 关键词：液晶显示器检测仪器
- 用于金刚石薄膜低压气相合成的ECR—PECVD装置
- 1990年
- 低压气相合成金刚石薄膜是目前的热门课题。本文介绍用于金刚石薄膜生长而开发的ECR—PECVD装置的工作原理、基本构成、结构特点及其主要技术指标。
- 杨基南廖佐升吴京波魏庆生
- 关键词：金刚石气相合成
- 用于GaN生长的生产型MOCVD设备控制系统设计被引量：2
- 2005年
- MOCVD法外延生长GaN基材料作为新世纪的核心技术之一受到全世界的高度重视。MOCVD技术涉及面广,控制对象复杂,且对控制对象的精度、重复性、可靠性要求较高。主要介绍了用于GaN基材料生长的生产型MOCVD(2″×6)设备控制系统的组成与特点。设备运行一年来的结果表明,该系统可靠性高、抗干扰性好、运行效果良好。
- 宋玲李学文廖炼斌刘亚红杨基南
- 关键词：MOCVDGAN自动控制系统
- 太阳能电池产业的现状和发展被引量：21
- 2005年
- 为了应对能源危机和环境污染,太阳能电池产业以平均年增长率为30%的速度飞速发展。摆在人们面前的课题是如何进一步提高转换效率、扩大生产规模和降低制造成本,使太阳能发电的成本降低到与常规发电相当的水平。介绍了太阳能电池的种类、制造方法、产业瓶颈和发展方向。
- 杨基南
- 关键词：太阳能电池
- 碳的另一种同素异形体－笼状碳
- 1995年
- Ｃ＿（６０）的发现刷新了人们对碳元素结晶形态的认识：除金刚石和石墨外，还存在第三种晶态──笼状碳。对于笼状碳的理论探讨与实验研究己成为化学和材料科学的一个热点，本文综述这方面的研究进展。
- 杨基南
- 关键词：同素异形体碳
- M42150-1/UM型等离子体刻蚀机
- 王萍范迎新廖佐升任伟彭志坚杨基南
- 本产品为M42150-1/UM型等离子体刻蚀机，等离子体刻蚀机是采用高频辉光放电，使反应气体分子激活成活性粒子，如原子、离子或游离基，这些活性粒子扩散到需刻蚀部位，在那里与被刻蚀材料进行反应，形成挥发性生成物而被除去。该...
- 关键词：
- 关键词：等离子体刻蚀机
- M8020-1/UM型液态源化学气相淀积设备
- 廖佐升范迎新李学文任伟王萍刘亚红肖益波杨琦张军杨基南
- 本产品为M8020-1/UM型液态源化学气相淀积设备，主要技术原理是液态源经载气鼓泡或恒温蒸发汽化后，经多孔电极形成均匀的喷淋式气流，喷淋到置于下电极上的基片表面。上下电极间的气体在高频电磁场的作用下，激发辉光放电形成低...
- 关键词：
- 关键词：气相淀积
- M80100-1/UM型低压化学气相淀积设备
- 李学文宋玲任伟廖佐升范迎新陈特超王萍杨基南肖信
- 该产品为M80100-1/UM型低压化学气相淀积设备，它使用控温精确的电阻加热炉提供热能，通过真空泵和压力闭环自动控制装置实现反应所需压力，质量流量控制器精确控制工艺气体流量和组分，在一定的温度、气体流量和反应压力条件下...
- 关键词：
- 关键词：气相淀积
