李飞飞
- 作品数：16 被引量：14H指数：2
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>
- 基于双势垒隧道结共振隧穿效应的晶体管
- 本发明涉及基于双势垒隧道结共振隧穿效应的晶体管包括：衬底、发射极、基极、集电极和第一和第二隧道势垒层；其中第一隧道势垒层设置在发射极和基极之间，第二隧道势垒层在基极与集电极之间；并且发射极与基极间和基极与集电极间形成的隧...
- 曾中明韩秀峰杜关祥魏红祥李飞飞詹文山
- 文献传递
- 利用光刻法制备高磁电阻磁性隧道结
- 通过优化制备磁性隧道结的实验和光刻工艺条件,制备出具有室温高磁电阻和低电阻的高质量磁性隧道结,300℃退火前后其室温磁电阻比值、结电阻、结电阻和结面积的积矢及自由层的偏转场分别达到22﹪和50﹪、31和41Ω、3100和...
- 韩秀峰李飞飞张爱国赵素芬王伟宁詹文山
- 关键词：光刻法磁性隧道结磁电阻
- 文献传递
- 4英寸热氧化硅衬底上磁性隧道结的微制备被引量：13
- 2004年
- 就如何在 4英寸热氧化硅衬底上沉积高质量的磁性隧道结纳米多层薄膜材料和如何利用光刻方法微加工制备均匀性较好的磁性隧道结方面做了初步研究 ,并对磁性隧道结的磁电性质及其工作特性进行了初步测量和讨论 .利用现有的光刻设备和工艺条件在 4英寸热氧化硅衬底上直接制备出的磁性隧道结 ,其结电阻与面积的积矢的绝对误差在 10 %以内 ,隧穿磁电阻的绝对误差在 7%以内 ,样品的磁性隧道结性质具有较好的均匀性和一致性 。
- 王天兴魏红祥李飞飞张爱国曾中明詹文山韩秀峰
- 关键词：磁性隧道结隧穿磁电阻电性质硅衬底磁随机存储器热氧化
- 磁性隧道结的微制备及其隧穿磁电阻效应的研究
- 本论文对磁性隧道结的制备方法及CoFe/Al-O/CoFe磁性隧道结、CoFeB/Al-O/CoFeB磁性隧道结和MgO/Al-O复合势垒磁性隧道结中的隧穿磁电阻效应进行了系统的研究。
详细介绍了磁性隧道结的各...
- 李飞飞
- 关键词：磁性隧道结隧穿磁电阻
- 文献传递
- 利用金属掩膜法制备高磁电阻磁性隧道结
- 利用金属掩膜法,优化了制备磁性隧道结的实验和工艺条件,同时利用狭缝宽度为100μm的金属掩膜直接制备出室温磁电阻比值为41.5﹪的磁性隧道结,其结电阻为1.87Ω,结电阻和结面积的积矢为1.87×10<'4>Ωμm<'2...
- 韩秀峰王伟宁李飞飞赵素芬彭子龙詹文山
- 关键词：磁性隧道结磁电阻
- 文献传递
- 双势垒磁性隧道结中自由层的动态磁结构及反转磁性质
- 利用磁控溅射和光刻方法在Si/SiO热氧化硅衬底上制备了双势垒磁性隧道结(DBMTJ),其结构为Ta(5)/NiFe(40)/IrMn(10)/CoFe(4)/Al(1)-oxide/CoFe(8)/Al(1)-oxid...
- 韩秀峰赵素芬李飞飞魏红祥曾中明张谢群詹文山
- 文献传递
- 用于制备MRAM的高磁电阻磁性隧道结
- 利用金属掩膜法优化了制备磁性隧道结的实验和工艺条件,金属掩膜的狭缝宽度为100μm。采用4 nm厚的CoFe为铁磁电极和1 nm或0.8 nm厚的铝氧化物为势垒膜,可直接制备出室温磁电阻比值为30～48%的磁性隧道结。例...
- 韩秀峰李飞飞王伟宁彭子龙赵素芬詹文山
- 文献传递
- 高磁电阻磁性隧道结的几种微制备方法研究
- 2005年
- 利用金属掩模法优化了制备磁性隧道结的实验和工艺条件,金属掩模的狭缝宽度为100μm.采用4nm厚的Co75Fe25为铁磁电极和1·0或0·8nm厚的铝氧化物为势垒膜,直接制备出了室温隧穿磁电阻(TMR)为30%—48%的磁性隧道结,其结构为Ta(5nm)/Cu(25nm)/Ni79Fe21(5nm)/Ir22Mn78(10nm)/Co75Fe25(4nm)/Al(0·8nm)-O/Co75Fe25(4nm)/Ni79Fe21(20nm)/Ta(5nm).同时,利用刻槽打孔法和去胶掀离法两种光刻技术并结合Ar离子束刻蚀及化学反应刻蚀,制备出面积在4μm×8μm—20μm×40μm、具有室温高TMR和低电阻的高质量磁性隧道结.300℃退火前后其室温TMR可分别达到22%和50%.研究结果表明,采用光刻中的刻槽打孔或去胶掀离工艺方法制备的小尺寸磁性隧道结,可用于研制磁动态随机存储器和磁读出头及其他传感器件的磁敏单元.
- 李飞飞张谢群杜关祥王天兴曾中明魏红祥韩秀峰
- 关键词：磁性隧道结动态随机存储器隧穿磁电阻离子束刻蚀铁磁电极M-20
- 高灵敏度巨磁电阻和隧穿磁电阻生物传感器
- 本发明公开了一种高灵敏度巨磁电阻和隧穿磁电阻生物传感器，包括：GMR传感器或TMR传感器和保护层，保护层覆盖在所述GMR或TMR传感器上；其中，所述保护层由塑性材料制成，其厚度小于100nm。本发明采用聚二甲基硅氧烷等塑...
- 王磊王明李飞飞丰家峰韩秀峰
- 文献传递
- 线性磁场传感器及其制作方法
- 本发明公开了一种隧道结线性磁场传感器及其制作方法：在沉积非磁性层时在主溅射腔内原位更换掩膜，即在沉积时利用掩膜挡住第1、3自旋阀元件或第2、4自旋阀元件上非磁性层的溅射，造成第1、3自旋阀元件或第2、4自旋阀元件上非磁性...
- 王磊韩秀峰李飞飞姜丽仙张谢群詹文山
- 文献传递
