李明扬
- 作品数：4 被引量：30H指数：3
- 供职机构：东北大学理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：金属学及工艺理学一般工业技术更多>>
- Cu单晶体驻留滑移带的形成与消失被引量：9
- 2004年
- 在循环加载条件下,单滑移取向的Cu单晶体首先出现驻留滑移线(PSL),然后随着循环周次的增加转变为驻留滑移带(PSB),在不同温度、不同时间条件下对疲劳Cu单晶进行真空退火处理,观察PSB结构在热激活条件下的变化情况,结果表明,退火处理过程中由于空位浓度差异所产生的渗透力促使位错运动,并使PSB的某些部位逐步细化,以至消失,实现了PSB的分段相消,在退火过程中由于应变能的逐步释放,未观察到再结晶现象。
- 朱荣李守新李勇李明扬晁月盛
- 关键词：驻留滑移带渗透力
- 疲劳态铜单晶高速形变下绝热剪切带的形成被引量：7
- 2005年
- 采用分离式Hopkinson压杆(SHPB)实验装置和SEM研究了原始态和疲劳态铜单晶在高应变率下形变的组织演变.实验结果表明:原始态铜单晶在高应变率下很难产生绝热剪切带(ASB),而疲劳态铜单晶容易产生绝热剪切带.驻留滑移带(PSBs)和冲击波引起的应力集中是疲劳态铜单晶高应变率形变下绝热剪切带形成的重要原因,绝热剪切带的间距和宽度随应变率的增大而减小.
- 李军伟李明扬郭小龙李守新
- 关键词：绝热剪切带HOPKINSON压杆单晶铜驻留滑移带
- 中温回复下疲劳Cu单晶体驻留滑移带的演变被引量：3
- 2009年
- 恒塑性应变幅循环加载条件下,单滑移取向的Cu单晶体出现驻留带(Persistent Slip Bands,PSBs)。在铜的(0.3～0.5)TmK中温回复区内,对疲劳Cu单晶进行不同温度和时间的真空保温处理,观察PSBs结构在热激活条件下的变化及材料的寿命估计。结果显示,中温回复过程中,由于弹性力、渗透力与林位错阻碍力的交互作用促使PSBs中的位错通过空位的放出和湮灭而运动,并使PSBs的位错墙由弯曲到变细最后分段消失,位错密度快速下降。中温回复后材料寿命得到延长。
- 张修丽孙晓慧李明扬
- 关键词：驻留滑移带
- 铁基非晶的低频脉冲磁场处理效应被引量：14
- 2004年
- 对非晶合金Fe78Si9B1 3进行了低频脉冲磁场处理 ,用穆斯堡尔谱学、透射电镜等方法观察处理试样的微观结构变化 .研究发现 ,当脉冲频率 2 0— 2 5Hz,磁场 16— 32kA m ,作用时间≤ 2min ,合金发生了纳米晶化 ,纳米相α Fe(Si)晶粒尺寸为 10nm .而且 ,在低频脉冲磁场处理过程中 ,非晶试样的温升≤ 2
- 晁月盛李明扬耿岩刘吉刚
- 关键词：FE78SI9B13磁场处理纳米晶化低频脉冲
