李兴隆
- 作品数：29 被引量：16H指数：3
- 供职机构：中国原子能科学研究院更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金国家自然科学基金中国原子能科学研究院院长基金更多>>
- 相关领域：核科学技术自动化与计算机技术理学电子电信更多>>
- 一种抗总剂量效应的三线转八线芯片
- 本实用新型涉及一种抗总剂量效应的三线转八线芯片，包括输入端的3个反相器以及输出端的8个反相器，在所述输入端的3个反相器与输出端的8个反相器之间设置8个三输入与非门；11个反相器的PMOS管和NMOS管的漏极，以及8个三输...
- 李兴隆张莉刘阳吴建华洪雅楠骆志平
- 基于APV25读出电子学系统的GEM探测器的位置分辨与X射线成像研究被引量：2
- 2016年
- 采用3层GEM膜制作了有效面积为10cm×10cm的GEM探测器,该探测器采用二维条读出方式,条间距为400μm,每个维度有256个读出通道。探测器的读出采用APV25读出电子学系统,根据GEM探测器的需要,设计并改进了电子学系统使用的背板连接器。实验测得GEM探测器空间分辨为76μm。进行了X射线二维成像研究,获得了清晰的二维图像,探测器与电子学运行稳定可靠。
- 蹇司玉胡守扬周静李兴隆梁浩周意祁辉荣李笑梅
- 基于中值滤波改进的辐射图像降噪算法
- 2024年
- 为了解决核废物处置热室等辐照场中图像的降噪问题,本研究基于中值滤波,针对辐射噪点对算法进行相应改进,提出适用于强辐照场下图像降噪的算法。算法流程为噪点识别、噪点处理、细节保护。噪点识别从视觉观感出发,将像素值高出其周围并达到一定数值的标记为可疑点,并根据辐射噪点设定最大面积阈值,将大于面积阈值的区域排除;噪点处理基于中值滤波,自适应调整滤波窗口的大小;通过图像融合进行细节保护。通过与其他降噪算法进行比较可见,本算法对于辐射噪点的识别准确,降噪效果明显,并且最大程度地保护了画面的细节。本算法对于不同剂量率条件的辐射环境下具有较好的鲁棒性,在100 Gy/h的强辐照场下仍具有较好的去噪效果,可为核废物处置的智能化应用提供技术支持。
- 王俊霖桂海峰李兴隆刘阳吴建华
- 关键词：图像降噪中值滤波
- 智能拆卸机器人
- 1.本外观设计产品的名称：智能拆卸机器人。;2.本外观设计产品的用途：用于拆卸螺钉的智能机器人。;3.本外观设计产品的设计要点：在于形状、图案与色彩的结合。;4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。;5.请求保护的外...
- 刘阳骆志平庞洪超吴建华郭庐阵李兴隆
- CMOS集成电路总剂量效应加固技术研究现状
- 2024年
- 在核设施运行、乏燃料后处理、可控核聚变、航天卫星与太空探索、核军工、γ辐照站等存在强辐射的场景下,高能粒子、射线会与器件中的半导体材料相互作用产生辐射效应,对信号的完整性和精度产生较大影响。本文首先介绍了总剂量效应(TID)的作用机制,及其在MOS器件中的主要影响:总剂量效应会导致MOS管阈值电压漂移、跨导下降、载流子迁移率降低和电流额外泄漏等问题。其次,按照时间顺序依次阐述了近代以来总剂量效应在半导体器件特别是是CMOS器件中的具体影响,尤其对浅槽隔离氧化物(Shallow Trench Isolation, STI)受到总剂量效应的影响做了着重描述。最后,分析了在电路级中的总剂量效应,以及目前流行的几种抗辐射加固技术。
- 梁泽宇庞洪超李兴隆骆志平
- 关键词：CMOS集成电路总剂量效应
- 一种基于中值滤波改进的辐射图像降噪算法
- 本发明涉及一种基于中值滤波改进的辐射图像降噪算法，属于图像处理技术领域，该算法包括以下步骤：S1、设定引起视觉变化的阈值Dif和最大辐射噪点面积阈值Smax，通过对噪声图像中点的像素值和辐射噪点面积进行分析，从而识别出噪...
- 刘阳桂海峰李兴隆黄晓鹏吴建华袁国军张莉肖思敏
- 一种用于硅光电倍增管的微型温度补偿电路
- 本发明涉及一种用于硅光电倍增管的微型温度补偿电路，包括为硅光电倍增管提供偏置电压的升压电路，在所述升压电路上设置由线性热敏电阻和普通电阻构成的分压电路，对升压电路芯片输出的参考电压进行分压，从而产生随温度变化的参考电压，...
- 李兴隆刘阳肖思敏吴建华骆志平庞洪超刘森林
- 文献传递
- 基于PXI标准的功率器件总剂量效应测试系统研制
- 2024年
- 设计了一款针对功率器件的总剂量效应测试系统。该系统基于外围组件互连(PXI)扩展主机系统,设计了测试板卡,并通过设计不同工艺的半导体功率器件测试工装,实现功率器件的批量自动化测试。结果表明,氮化镓工艺的功率器件的耐总剂量效应优于硅和碳化硅工艺的功率器件的。
- 袁国军李兴隆肖思敏张莉黄晓鹏吴建华刘阳
- 关键词：功率器件PXI总剂量效应
- 一种基于BOOST升压电路的辐射剂量率量程扩展方法及电路
- 本发明涉及一种基于BOOST升压电路的辐射剂量率量程扩展方法及电路，由BOOST升压电路芯片将供电电源电压升压稳压后给探测器的SiPM提供偏置电压，探测器的SiPM和CsI(Tl)晶体产生的脉冲信号通过第一电容交流耦合至...
- 肖思敏李兴隆刘阳吴建华袁国军黄晓鹏李世垚张莉
- 康普顿成像系统角分辨影响因素的理论及模拟研究被引量：6
- 2019年
- 为了对康普顿成像系统的结构设计提供参考,本文提出了一种理论与模拟计算相结合的对双层位置灵敏CZT晶体组成的康普顿成像系统散射角误差进行估算的方法,并利用该方法对康普顿成像系统散射角误差进行了研究。结果表明,对662 keV、1.33 MeV和2 MeV的入射光子,该成像系统的康普顿散射角误差分别为5.54°、4.82°和4.52°,散射角误差主要来自于探测系统位置分辨本领和能量分辨本领,探测材料多普勒效应引起的角误差相对较小。合理地限制康普顿散射角范围可有效改善成像系统角分辨能力,优化成像效果。
- 王薇李传龙吴建华李兴隆
