李健
- 作品数：5 被引量：18H指数：3
- 供职机构：北京科技大学材料科学与工程学院新金属材料国家重点实验室更多>>
- 相关领域：理学动力工程及工程热物理电气工程更多>>
- 恒电流电沉积法制备Cu-In薄膜被引量：6
- 2006年
- 以金属Ti为阳极,不锈钢薄片和镀Mo玻璃为阴极,采用恒电流电沉积的方法制备了化学计量比为1:1、厚度为 1 μm且致密均匀的Cu-In薄膜．分析了镀液离子浓度、电流密度、络合剂含量及添加剂种类对薄膜成分及形貌的影响．在除电流密度外其它工艺条件相同的情况下,采用不同阴极材料为衬底沉积Cu-In薄膜时,薄膜形貌、成分无差别,且电流密度对薄膜的形貌和成分控制起着关键的作用．此外,在镀液离子低浓度范围内,及Cu／In离子浓度比不变的前提下,镀液中金属离子总浓度的改变不会影响镀层的成分和形貌;十二烷基硫酸钠和苯亚磺酸钠可作为理想的辅助添加剂,能改善薄膜形貌,使其表面均匀、规整．由该方法制备的Cu-In预置膜可以进一步硒化得到理想的CuInSe2薄膜．
- 李健朱洁
- 关键词：电沉积表面形貌合金成分
- 低功率共溅射再硒化法制备CuInSe_2薄膜
- 2008年
- 采用Cu、In双靶,直流磁控溅射的方法制备Cu-In薄膜,然后采用固态源硒化的方法形成CuInSe_2(CIS)薄膜。采用SEM和EDX观察和分析了样品的表面形貌和成分,用XRD表征了薄膜的组织结构。分析了硒化中的反应过程并研究了热处理对改善薄膜质量的影响。结果表明,Cu-In预制膜主要以CuIn相形式存在。由CuIn相为主相的预制膜制成的CIS薄膜具有单一的CuInSe_2相黄铜矿结构,且其成分接近CuInSe_2化学计量比。
- 李健朱洁何建平
- 溅射Cu/In叠层预置膜再硒化法制备CuInSe_2薄膜被引量：6
- 2008年
- 采用Cu、In双靶,低功率直流磁控溅射的方法沉积Cu-In双层预置膜,然后采用固态源硒化法生成CuInSe_2 (CIS)薄膜。采用SEM和EDX观察和分析薄膜的表面形貌与成分,用XRD表征薄膜的组织结构。重点分析了不同衬底,不同铜、铟溅射顺序对Cu-In双层预置膜与CuInSe_2半导体薄膜成分、形貌和相结构的影响,分析了不同溅射顺序下薄膜的生长机制。以镀Mo玻璃为衬底生长的薄膜具有更理想的形貌;在Cu-In膜制备过程中采用先溅射Cu后溅射In的沉积顺序,能有效地利用元素In润湿能力强的特点,使Cu、In充分结合形成均匀致密的Cu-In预置膜,经硒化处理得到了具有单一黄铜矿结构的CuInSe_2半导体薄膜。
- 李健朱洁
- 关键词：磁控溅射
- 太阳电池中CuIn合金膜电沉积被引量：1
- 2005年
- 对以柠檬酸为络合剂,不锈钢为电极,在不同条件下电沉积CuIn膜的成分和形貌特征进行了分析。并系统讨论了温度、电流密度、pH值、络合剂、浓度、搅拌等条件对成分、形貌的影响。分析了镀层成分与工艺条件的关系,从而能根据预制膜的成分和形貌采用不同的工艺条件,得到理想的结果。
- 李健朱洁何建平
- 关键词：电沉积表面形貌合金成分
- 硒化技术对CuInSe_2薄膜表面形貌和晶相的影响被引量：6
- 2007年
- 以共溅射法制备的Cu-In预制膜为衬底材料,以硒粉为原料,尝试了几种特殊的硒化方案,包括单源硒化法、双源硒化法、表面喷粉硒化法、分步硒化退火和同步硒化退火等5种具有代表性和创新性的方案,研究了硒源的摆放方式、升温方法对薄膜质量的影响,比较了不同方法制备的CuInSe2(CIS)薄膜在形貌、成分、相结构等方面的异同.系统地分析了硒化温度、退火温度和退火时间对CuInSe2薄膜成分的影响,研究了各元素的百分含量随硒化退火条件的变化规律,为更准确地把握CIS薄膜的成分和相结构提供有益的借鉴.
- 李健朱洁
