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曾颖秋

作品数:4 被引量:4H指数:1
供职机构:四川大学化学工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 2篇离子注入
  • 2篇光致
  • 2篇光致发光
  • 2篇发光
  • 1篇氧化硅
  • 1篇荧光
  • 1篇荧光传感
  • 1篇荧光传感器
  • 1篇射线衍射
  • 1篇室温
  • 1篇水分
  • 1篇水分传感器
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米晶
  • 1篇晶态
  • 1篇光传感器
  • 1篇硅胶
  • 1篇二氧化硅
  • 1篇非晶
  • 1篇非晶态

机构

  • 4篇四川大学
  • 1篇中国工程物理...
  • 1篇中国核工业集...

作者

  • 4篇曾颖秋
  • 2篇卢铁城
  • 1篇杨经国
  • 1篇李恒
  • 1篇沈丽如
  • 1篇肖丹
  • 1篇唐彬
  • 1篇代君龙
  • 1篇张松宝
  • 1篇敦少博
  • 1篇胡又文
  • 1篇邹萍
  • 1篇林理彬
  • 1篇胡强
  • 1篇于晓林
  • 1篇舒晓红

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇四川大学学报...
  • 1篇化学研究与应...

年份

  • 2篇2007
  • 1篇2005
  • 1篇2004
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
高剂量Ge离子注入直接形成nc-Ge的研究被引量:3
2004年
报道了分别采用剂量为 1× 1 0 1 6 ,1× 1 0 1 7,5× 1 0 1 7和 1× 1 0 1 8cm- 2的高剂量 Ge离子注入 ,不需退火即可在 Si O2中直接形成 Ge纳米晶的新现象 .采用掠入射 X射线衍射和激光喇曼谱等实验手段对样品进行了物相分析 .结果表明 ,高剂量 Ge离子注入可在 Si O2 薄膜中直接形成 Ge纳米晶 (nc- Ge) ;非晶态 Ge向晶态 Ge发生相变的阈值剂量约为 1× 1 0 1 7cm- 2 ,离子注入直接形成的 nc- Ge内部具有较大压应力 ,随着注入剂量的提高 ,nc- Ge的尺寸和含量均有提高 .对纳米晶形成机理的研究认为 ,在 Ge离子注入剂量达到阈值 ,此时膜中 Ge非晶态团簇浓度达到饱和甚至过饱和 ,新入射的 Ge离子把动能传递给膜中的非晶态 Ge原子 ,使其部分析出并团聚形成能量最低且最稳定的
曾颖秋卢铁城沈丽如李恒杨经国邹萍林理彬
关键词:离子注入
以二氧化硅为基体的新型传感材料的制备、表征和应用研究
对于被掺杂、吸附或镶嵌的传感物质而言二氧化硅是一个优良的基体材料,它具有较高的热稳定性和化学稳定性、高绝缘性、对可见光透明等优点,目前已成为重要的催化剂载体和高化学活性的纳米材料的承载基体,在研究和生产中有广泛的应用。 ...
曾颖秋
关键词:二氧化硅水分传感器荧光传感器
室温光致发光含钒硅胶的制备和研究
2007年
The silica containing vanadium oxide which can emit phosphorescence at room temperature was prepared by sol-gel method with tetraethyl orthosilicate,ammonium metavanadate.V2O5 nanocrystals were found to be embedded in the silica first time.The mechanism of phosphorescence emission is attributed to V2O5 nanocrystals.The redshift of phosphorescence was explained with the size effect of V2O5 nanocrystal.The phosphorescence quenching by aether,hyposulphite and hydrofluoric acid was observed,indicating the potential application of the silica to chemical sensor.
曾颖秋舒晓红肖丹
关键词:V2O5硅胶光致发光纳米晶室温
嵌入SiO_2薄膜中的GeO和Ge纳米晶光致发光的研究被引量:1
2005年
作者通过离子注入法得到了镶嵌于SiO2薄膜中的Ge纳米晶,并通过系统的氧化性或还原性退火处理,以改变样品中Ge的氧化物成分组成.分析了不同样品在室温下的光致发光(PL)特性,并结合XRD分析表明:300与400nm附近的荧光峰的发光机制是GeO(nc GeO)纳米晶发光,而不是GeO的缺陷发光;570nm附近的荧光峰的发光机制为Ge纳米晶(nc Ge)发光,而不是Ge及Si界面的缺陷发光.
敦少博卢铁城胡强于晓林胡又文曾颖秋张松宝唐彬代君龙
关键词:离子注入光致发光X射线衍射
共1页<1>
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