方频阳
- 作品数：31 被引量：10H指数：2
- 供职机构：西安工业大学材料与化工学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划陕西省教育厅科研计划项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程理学化学工程更多>>
- Er^(3+)掺杂68Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-32PbTiO_3弛豫铁电晶体光学性能的研究
- 2016年
- 为了改善弛豫铁电单晶的光学性能,实验采用稀土离子掺杂的方式,使用高温溶液法生长了Er^(3+)掺杂68Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-32PbTiO_3(PMN-32PT)弛豫铁电晶体,利用红外分光光度计和荧光/磷光/发光分光光度计研究了晶体的光学性能.实验结果表明:Er^(3+)掺杂PMN-32PT晶体在红外波段(3~12μm)的透过率达到66%;在491nm激发光作用下,得到中心波长为530nm和550nm的绿光及650nm红光发光带,晶体具有下转换发光特性;在800nm激发光作用下,产生中心波长为530nm和543nm的绿光发光带,晶体呈现出Er^(3+)离子特有的上转换荧光发射,具有上转换发光特性.
- 楚兴惠增哲龙伟李晓娟方频阳
- 关键词：稀土离子红外透过率发光性能
- 锂和镧掺杂取代对SrBi_(2)Nb_(2)O_(9)铁电陶瓷结构及电学性能影响
- 2023年
- 为探究掺杂离子尺寸失配诱导材料晶格畸变,实现对铋层状基铁电陶瓷电学性能的精准调控,文中以传统固相法制备Sr_(1-x)(LiLa)x/2 Bi_(2)Nb_(2)O_(9)(SBN-x LiLa,x=0,0.1,0.3,0.5)陶瓷。采用X射线衍射分析仪、扫描电子显微镜对结构及形貌表征;SBN-x LiLa为正交单相结构且晶粒均为典型片状结构。采用Agilent 4294A阻抗分析仪、准静态测试仪和铁电分析仪等进行电学性能测试;当x=0.3时综合性能达到最佳:Pr=9.04μC·cm^(-2),d^(33)=29pC/N,且居里温度可达471℃;掺杂离子含量引起晶格畸变,导致晶胞参数改变,是SBN-x LiLa陶瓷电学性能提高的重要原因。
- 寻宝琛佐晓帅徐力郭菲菲方频阳
- 关键词：晶格畸变
- Mg/W掺杂和预成型压力对K_(0.5)Bi_(4.5)Ti_(4)O_(15)陶瓷取向生长和电学性能影响
- 2023年
- 为了探究Mg/W掺杂和预成型压力对K_(0.5)Bi_(4.5)Ti_(4)O_(15)(KBT)陶瓷晶粒取向生长和电学性能的影响,文中采用固相反应法,在20 MPa的预成型压力下制备了K_(0.5)Bi_(4.5)Ti_(4-x)(Mg_(1/2)W_(1/2))x O_(15)(KBT MgW_(x),x=0.05,0.10,0.15,0.20)陶瓷,随后分别沿垂直(Per)和平行(Par)预成型压电对陶瓷进行切割。采用X射线衍射分析仪表征陶瓷的相结构,扫描电子显微镜分析陶瓷的显微组织形貌,利用精密阻抗分析仪测试陶瓷的介电频谱和变温阻抗,使用d_(33)测试仪(ZJ-6A型准静态)来测量压电性能。研究结果表明:随着Mg^(2+)和W^(6+)含量的增加,KBT MgW陶瓷晶粒择优取向生长逐渐增强;切割方向平行预成型压力的陶瓷样品具有更高的取向度和电学性能,其最大取向度可以达到58.6%,相应的压电常数和电阻率分别为12 pC·N^(-1)和2.31×10^(6)Ω·cm^(-1)。研究结果可为采用传统固相法制备取向的铋层状结构铁电陶瓷提供理论参考。
- 佐晓帅寻宝琛宋刚刚惠增哲方频阳
- 铌钪酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅铁电单晶及其制备方法
- 本发明涉及一种铌钪酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅铁电单晶材料及其制备方法。本发明单晶材料为钙钛矿型结构，其化学通式为xPb(Sc<Sub>1/2</Sub>Nb<Sub>1/2</Sub>)O<Sub>3</Sub>-yPb(M...
- 惠增哲龙伟李晓娟方频阳常芳娥
- 文献传递
- 一种Cu取代SrBi<Sub>2</Sub>Nb<Sub>2</Sub>O<Sub>9</Sub>铁电陶瓷的制备方法
- 本发明涉及一种Cu取代SrBi<Sub>2</Sub>Nb<Sub>2</Sub>O<Sub>9</Sub>铁电陶瓷的制备方法，其特征在于步骤如下：以分析醇级的Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、Nb...
- 樊慧庆方频阳
- 文献传递
- ZnO掺杂KNN陶瓷烧结行为与性能研究被引量：2
- 2012年
- 采用固相烧结工艺制备了钙钛矿结构的(K0.5Na0.5)NbO3+xwt%ZnO(x=0,0.5,1.0,2.0)无铅压电陶瓷。研究了ZnO掺杂对(K0.5Na0.5)NbO3陶瓷体系烧结行为和电学性能的影响。结果表明:ZnO掺杂能够有效地降低陶瓷烧结温度,抑制K和Na的挥发,提高陶瓷的致密性。当掺杂量为0.5 wt%、烧结温度为1115℃时,陶瓷的体积密度最大ρ=4.41 g/cm3。所有样品的晶粒形态均为层状堆垛结构,晶粒尺寸越大,层状堆垛形态越明显。晶粒形态和尺寸的变化与(K0.5Na0.5)NbO3陶瓷烧结过程中液相的形成和晶粒生长机制有关。适量的液相能够有效地提高陶瓷的致密性,获得均匀的微结构。当x=0.5、烧结温度为1115℃时,陶瓷具有最佳的电学性能:d33=118pC/N,kp=0.36,Pr=15.6μC/cm2。
- 李晓娟惠增哲龙伟方频阳
- 关键词：铌酸钾钠电性能
- 一种铌钪酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅‑锆酸铅铁电单晶材料
- 本发明公开了一种铌钪酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅‑锆酸铅铁电单晶材料，该材料化学式为xPb(Sc<Sub>1/2</Sub>Nb<Sub>1/2</Sub>)O<Sub>3</Sub>‑yPb(Mg<Sub>1/3</Sub>...
- 惠增哲龙伟李晓娟方频阳赵金
- 文献传递
- Ho_2O_3对PZN-9PT相结构和介电性能的影响
- 2016年
- 为了研究Ho_2O_3对PZN-9PT单晶相结构、相变温度及弛豫特性的影响,通过高温溶液法生长了PZN-9PT单晶和Ho_2O_3改性PZN-9PT单晶.采用X射线衍射仪分析了所生长的单晶的相结构,通过测定介电常数和温度之间的关系确定了单晶的相变温度,利用洛伦兹公式和Vogel-Fulcher公式表征了Ho_2O_3改性PZN-9PT单晶的弥散相变和频率色散特性.研究结果表明:PZN-9PT单晶和Ho_2O_3改性的PZN-9PT单晶具有纯的钙钛矿结构相,PZN-9PT单晶和Ho_2O_3改性的PZN-9PT单晶的居里温度接近(约为175℃),但是Ho_2O_3改性的PZN-9PT单晶的三方-四方相变温度为102.3℃,其高于PZN-9PT单晶(约为90℃).通过洛伦兹公式和Vogel-Fulcher公式拟合结果得出Ho_2O_3改性的PZN-9PT单晶具有典型的弥散相变和频率色散特性.
- 韩阿敏惠增哲龙伟方频阳李晓娟
- 关键词：相结构介电性能
- Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3弛豫铁电晶体的生长形貌和生长机理
- 2014年
- 以PbO作助熔剂采用高温溶液法生长出Pb(Mg1/3Nb2/3)O3弛豫铁电晶体,利用X线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析了晶体相结构和生长形貌。研究结果表明,采用高温溶液法生长出纯钙钛矿相结构的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3弛豫铁电晶体,晶体多为淡黄色,较小的呈赝立方形态,较大晶体逐渐趋于不规则形态,最大尺寸达4mm×4mm×3mm。晶体中存在位错蚀坑和PbO包裹等生长缺陷,生长过程中的温度波动和成分起伏等因素导致这些缺陷的出现。晶体{100}面生长速率最慢能成为热力学上稳定存在的自然显露晶面,晶体的生长机制为二维成核层状生长。
- 胡万辉惠增哲龙伟李晓娟方频阳吴浩
- 关键词：相结构
- Ca_(2)SnO_(4):Eu3+陶瓷的光致变色及光强调控特性研究被引量：1
- 2024年
- 开发光辐射响应好、稳定性强的光致变色材料是无机光致变色材料研究的一大目标。研究采用高温固相反应法制备了稀土离子Eu^(3+)掺杂的光致变色陶瓷Ca_(2.02-x)SnO_(4):xEu^(3+)。对陶瓷的光致变色行为展开研究,发现在290 nm光照下着色效果最好,陶瓷由白色变为灰色。440 nm光照8 min后着色陶瓷颜色基本恢复,或者将着色陶瓷加热至623 K后灰色完全消失。光致发光性能研究表明395、466和534 nm可激发出以617 nm为主的红色光发射。研究了陶瓷的光强调控特性,发现290 nm光照射能使陶瓷的发射光谱强度显著降低,617 nm处有最高着色光强调制率86.9%。经过10个循环的着色-漂白实验,陶瓷光强调控性能保持稳定,表现出良好的可逆性。陶瓷的光致变色行为和光强调控行为表现出明显的特征UV波长响应和UV光辐射累积响应特点,表明该材料有望应用于光辐射剂量探测领域。
- 陈浩惠增哲郭菲菲龙伟张小丽方频阳李晓娟
- 关键词：光致变色光强度光致发光可逆性
