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方磊

作品数：13 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 8篇光刻
  • 6篇衍射
  • 5篇掩模
  • 5篇光刻胶
  • 5篇光栅
  • 4篇电子束直写
  • 4篇旋涂
  • 3篇电子束光刻
  • 3篇掩模板
  • 3篇衍射光学
  • 3篇刻蚀
  • 3篇光学
  • 3篇高宽比
  • 3篇波带片
  • 3篇大高宽比
  • 2篇电镀
  • 2篇电子束
  • 2篇对准标记
  • 2篇衍射光学元件
  • 2篇衍射光栅

机构

  • 13篇中国科学院微...

作者

  • 13篇李冬梅
  • 13篇朱效立
  • 13篇谢常青
  • 13篇方磊
  • 13篇刘明

年份

  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 7篇2012
  • 3篇2011
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种对纳米尺度元件进行套刻的方法
本发明公开了一种对纳米尺度元件进行套刻的方法，该方法包括：制作波带片所需镂空衬底；采用第一次电子束直写在该镂空衬底上形成所需的对准标记和图形A，显影之后电镀形成对准标记和图形A的金层，然后去除电子束光刻胶形成所需图形；以...
谢常青方磊朱效立李冬梅刘明
一种制作大高宽比X射线衍射光栅的方法
本发明公开了一种制作大高宽比X射线衍射光栅的方法，包括：将硅片制作成掩模；在该掩模正面中心部分形成由多个光刻胶线条构成的第一光刻胶图形；在该第一光刻胶图形的光刻胶线条之间形成金层，并用丙酮去除光刻胶线条，形成第一掩模板；...
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一种制作大高宽比X射线衍射光栅的方法
本发明公开了一种制作大高宽比X射线衍射光栅的方法，包括：制作掩模A；制作X射线光刻的基底B；以及将掩模板A与基底B进行键合，形成大高宽比的X射线衍射光栅。相对于普通的光栅，本发明提供的制作大高宽比X射线衍射光栅的方法，能...
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一种对纳米尺度元件进行套刻的方法
本发明公开了一种对纳米尺度元件进行套刻的方法，该方法包括：制作波带片所需镂空衬底；采用第一次电子束直写在该镂空衬底上形成所需的对准标记和图形A，显影之后电镀形成对准标记和图形A的金层，然后去除电子束光刻胶形成所需图形；以...
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一种阶梯型位相光栅的制作方法
本发明公开了一种阶梯型位相光栅的制作方法，包括：步骤1：在半导体基片上旋涂一层厚度为500nm的电子束光刻胶；步骤2：对该电子束光刻胶进行光刻和显影，形成一系列周期性的包含第0级至第五级的光刻胶台阶；步骤3：刻蚀第0级光...
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一种制作凹面型X射线聚焦小孔的方法
本发明公开了一种制作凹面型X射线聚焦小孔的方法，该方法包括：制作基片；在基片上涂光刻胶，用不同剂量的电子束对该光刻胶进行光刻，形成中心具有圆柱的凸面的光刻胶图形；在形成的光刻胶图形上电镀金层；从基片的背面进行刻蚀，直至穿...
谢常青方磊朱效立李冬梅刘明
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一种四台阶光栅及其制备方法
本发明公开了一种四台阶光栅及其制备方法。该四台阶光栅包括：衬底，在其上表面形成有光栅凹槽；光栅台阶，由折射率不同于所述衬底折射率的透明材料构成，呈台阶状，其台阶面与衬底的上表面平齐；其下半部形成于光栅凹槽内的一侧，其上半...
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一种制作位相型波带片的方法
本发明公开了一种制作位相型波带片的方法，包括：制作基片；在该基片上旋涂光刻胶，对该光刻胶进行光刻、曝光和显影，形成波带片的光刻胶图形；在形成波带片的光刻胶图形的基片上沉积氮化硅层；去除光刻胶并刻蚀基片，形成位相型波带片。...
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制备X射线衍射光学元件的方法
本发明公开了一种制备X射线衍射光学元件的方法。该方法包括：制备掩模基片A，掩模基片A上具有对应待制备X射线衍射光学元件形状的分离的多个条纹状凸起；在纳米压印基底B上旋涂感光光刻胶；以掩膜基片A为掩膜，在感光光刻胶中压印形...
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一种制作凹面型X射线聚焦小孔的方法
本发明公开了一种制作凹面型X射线聚焦小孔的方法，该方法包括：制作基片；在基片上涂光刻胶，用不同剂量的电子束对该光刻胶进行光刻，形成中心具有圆柱的凸面的光刻胶图形；在形成的光刻胶图形上电镀金层；从基片的背面进行刻蚀，直至穿...
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