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一种基于0.15um GaAs工艺21-35 GHz宽带低噪声放大器: 本文报道了一款Ka频段的低噪声放大器芯片,采用0.15um栅长GaAs pHEMT工艺技术,其覆盖频段范围是21-35GHz。该低噪放芯片具有两级递推结构。整体电路采用单供电焊盘供电,第一级栅极和漏极偏置分别采用自偏置和...; 张恒爽赵博超徐鑫; 关键词：GAAS 低噪放 MMIC 噪声系数

空间应用Ka频段MHEMT单片低噪声放大器设计被引量：1: 2012年; 文章介绍了一种空间用Ka频段MHEMT三级MIC低噪声放大器的设计,放大器最小噪声系数为1.5dB,增益为30 dB,回波损耗10 dB。该低噪声放大器成品率高,性能指标优于目前同类商业芯片指标。; 孙逸帆王婷霞徐鑫朱光耀和新阳; 关键词：KA频段 MMIC 低噪声放大器

基于LTCC技术的星载Ku频段接收机下变频通道被引量：4: 2015年; 利用低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramic,简称LTCC)技术,设计制作了一种可应用于星载Ku频段接收机的下变频通道。该通道将放大器、混频器、滤波器等芯片或器件利用LTCC基板集成技术集成在多层LTCC基板内,实现了接收机的下变频通道中各个模块电路间的紧凑连接与集成。测试结果表明,下变频通道电性能满足指标要求。其尺寸为65mm×43mm×8.5mm,重量仅为76g。; 黄齐波徐鑫孙树风张波

星载L波段宽带低噪声放大器芯片设计被引量：2: 2020年; 基于0.25μm砷化镓赝品高电子迁移率晶体管(GaAs pHEMT)工艺,设计了一款应用于星载微波接收机的L波段单片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA)。该低噪声放大器采用电流复用拓扑结构,降低了芯片的工作电流,节省了宝贵的卫星能量资源;通过两级负反馈方式优化了器件的稳定性和增益平坦度,提高了卫星通信质量;恒流源的偏置结构使得工作电流随工艺波动较小,芯片维持在稳定的工作状态下。测试结果表明:该放大器工作电流为35 mA,在频率范围0.9~1.8 GHz内,增益大于33 dB,噪声系数小于0.6 dB,增益平坦度小于0.5 dB;芯片尺寸为2.0 mm×1.3 mm,满足航天产品的高性能小型化应用需求。; 赵博超徐辉殷盼贺娟张大为徐鑫; 关键词：低噪声放大器单片微波集成电路负反馈噪声系数

基于0.18-μm锗硅BiCMOS工艺的60 GHz匹配型高隔离小型化变压器巴伦: 2022年; 介绍了一种工作在60 GHz频率的具有输出端口间高隔离和全端口匹配特性的小型化变压器巴伦芯片,该芯片采用0.18-μm锗硅BiCMOS工艺设计并加工。通过在60 GHz变压器巴伦的输出端口之间引入隔离电路,提高巴伦的隔离度性能并改善输出端口匹配性能;在此基础上,提出了一种基于左手材料传输线的隔离电路,能大大改善传统隔离电路中分布式传输线尺寸大的问题;为了进一步实现巴伦的小型化,在设计中采用了负载电容补偿技术,同时能改善变压器巴伦输入端口的匹配性能。设计的巴伦芯片经过电磁场仿真,其结果与在片测试结果有较高的一致性,验证了提出的设计方法,设计的巴伦芯片具有全端口匹配和输出端口间高隔离度的特性。基于实测结果,在60 GHz频率处,设计的巴伦芯片实现了超过25 dB的输出端口隔离度和优于18 dB的输出端口回波损耗,且占用尺寸极小,仅为0.022 mm^(2)。; 张大为徐鑫徐鑫李斌徐辉于洪喜李军THANGARASU Bharatha KumarYEO Kiat Seng; 关键词：隔离电路

S频段pHEMT双通道低噪声放大器芯片的设计被引量：7: 2015年; 采用GaAs 0.13μmp HEMT MMIC流片工艺设计和制作了一种S频段双通道低噪声放大器芯片,芯片内部集成了两个低噪声放大器通道、一级单刀双掷(SPDT)开关和一个晶体管-晶体管逻辑(TTL)电平转换电路。低噪声放大器电路采用一级共源共栅场效应管(Cascode FET)结构实现,使其具有比单管更高的增益,简化了芯片拓扑,降低了芯片设计难度。经流片测试,在1.9~2.1GHz的工作频带内,芯片噪声系数优于1.4dB,增益大于22.5dB,输入驻波优于1.8,输出驻波优于1.4,输出1dB压缩点(P1dB)为10dBm。大量芯片样本在片测试统计数据表明该低噪声放大器成品率大于90%,性能指标优于目前同类商业芯片指标。; 徐鑫张波徐辉王毅; 关键词：S频段双通道低噪声放大器单刀双掷开关

毫米波频段LTCC微带到带状线过渡结构设计(英文)被引量：4: 2014年; 文章研究了两种可应用于毫米波频段的LTCC微带到带状线的过渡结构,包括一种微带到带状线的垂直过渡和一种微带到带状线的同层过渡。利用三维电磁场仿真软件对这两种互连过渡结构进行仿真和优化,仿真结果表明在25GHz^40GHz的工作频带内微带到带状线垂直过渡的回波损耗大于22dB,在35GHz内端到端插损优于0.5dB,40GHz内插损优于1dB;微带到带状线同层过渡的回波损耗大于32dB,40GHz内端到端插损优于0.5dB。测试结果表明,在40GHz内两种过渡结构的性能优良,能很好地满足工程应用的要求。; 徐鑫黄齐波; 关键词：毫米波 LTCC 微带带状线

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徐鑫