徐学俊
- 作品数：15 被引量：10H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- SOI亚微米波导光栅的设计与制作被引量：1
- 2010年
- 报道了SOI基亚微米小尺寸波导光栅器件的设计、制作与测试结果。提出了波导与光栅同步制作的方案,避免了套刻,节约了成本。实验中采用电子束光刻(EBL)、感应耦合等离子体(ICP)刻蚀等先进半导体工艺技术,结合图形补偿等技术手段,完成了亚微米波导光栅的制作。光栅周期为350nm,占空比16∶19。采用该光栅做反射镜,制作了法布里-珀罗(F-P)谐振腔,经测试得到了与模拟相吻合的结果,峰谷比达到11dB。
- 孙阳徐学俊屠晓光陈少武
- 关键词：电子束光刻光子集成
- 基于半导体材料微纳波导全光逻辑门的研究进展被引量：3
- 2010年
- 全光逻辑门是全光计算以及全光信号处理系统中关键的光子器件.随着互补金属氧化物半导体(COMS)工艺的发展,基于半导体材料微纳波导全光逻辑门已经成为集成光学领域中的重要方向;尤其是硅基光子集成器件在近些年成为了国际研究热点.文章主要对基于绝缘体上的硅(SOI)和Ⅲ-Ⅴ族化合物材料不同波导结构(马赫-曾德尔干涉仪(Mach-Zehnder interferometer)微环谐振腔和条形波导结构)的全光逻辑门的研究进展进行了介绍,并且在器件的工作速率和功耗方面,分别对上述基于SOI和Ⅲ-Ⅴ族化合物材料三种不同波导结构的全光逻辑门进行了分析和比较.
- 翟耀孙阳徐学俊陈少武
- 关键词：全光逻辑微环谐振腔非线性光学双光子吸收
- 硅基微纳光子器件制备工艺问题及解决方案
- 2007年
- 讨论了硅基微纳光子器件制备过程中涉及的几个关键工艺问题,包括:电子束/光学光刻的电子束/光学邻近效应;纳米线光波导ICP-RIE刻蚀的侧壁粗糙问题;光栅及MOS绝缘栅氧化硅填充致密度问题.这些问题可影响器件的结构均匀性、波导传输损耗、光栅的散射损耗以及MOS绝缘栅的绝缘性能.在分析实验结果的基础上,提出了一些解决方案.
- 陈少武屠晓光余和军樊中朝徐学俊余金中
- 关键词：CVD
- 硅基微纳光子器件制备工艺问题及解决方案
- 本文讨论硅基微钠光子器件制备过程中涉及的几个导ICP-RIE刻蚀的侧壁粗糙问题;光栅及MOS绝缘栅氧化硅填充致密问题.这些问题影响器件的结构均匀性、波导传输损耗、光栅的散射损耗以及MOS绝缘栅的绝缘性能.在分析实验结果的...
- 陈少武屠晓光余和军樊中朝徐学俊余金中
- 关键词：CVD
- 文献传递
- 硅基微纳波导载流子注入高速电光开关的设计制备
- 硅基微纳波导高速电光开关是实现芯片光互连的关键性光子器件，PIN载流子注入型电光开关具有调制效率高、制备工艺相对简单的优点。本文报道在SOI材料上设计制备的微纳波导MZI结构载流子注入高速电光开关，开关响应时间为几纳秒，...
- 陈少武徐学俊屠晓光
- 关键词：电光开关载流子注入
- 文献传递
- 提高电光调制器调制带宽的可集成化方法
- 一种提高电光调制器调制带宽的可集成化方法，该方法包括如下制作步骤：步骤1：在高速电路板上制作高通滤波器，高通滤波器输入端电极与高速电路板边缘靠齐；步骤2：将同轴射频转接头与高速电路板上的高通滤波器的输入端电极焊接在一起；...
- 徐海华徐学俊俞育德余金中
- 文献传递
- SOI亚微米尺寸光波导和PIN-MZI型电光调制器/光开关研究
- 光通信、光互连和光计算等技术的飞速发展对光子器件的集成度和响应速度提出了越来越高的要求。硅基光子器件具有与CMOS工艺兼容、尺寸紧凑、潜在速度高等优点，因而成为光子集成芯片中最有前途的解决方案之一。其中，SOI光波导和高...
- 徐学俊
- 关键词：电光调制
- 硅基微纳光波导损耗特性的表征技术
- 微纳光波导的基本功能是实现光波的低损耗传输,是芯片光互连的基础,其传输损耗是评价微纳光波导加工质量和传输性能的基本指标。微纳光波导由于其尺寸比常规光波导小1～2个数量级,光耦合的难度和不确定性都很大,造成传输损耗的测量相...
- 陈少武徐学俊屠晓光
- 关键词：传输损耗
- 文献传递
- 载流子寿命对Si基光电子器件性能的影响被引量：1
- 2009年
- 研究了载流子寿命对SOI有源光波导器件工作性能的限制及影响,分析了制约载流子寿命减小的若干因素,综述了采用合理设计减小波导截面尺寸参数、脊区内植入He离子、加入pin结构施加反向偏压等几种有效减少载流子寿命的方法,并给出了它们各自的理论基础和文献报道的理论模拟与实验结果。经过对各种方法的利弊进行分析比较,作者认为在提高光电子器件性能的研究中,采用减小波导截面尺寸参数的方法要同时兼顾传输损耗的变化;采用离子植入法可以在不改变波导尺寸的情况下减小载流子的寿命,但引入了附加损耗且与CMOS工艺不相兼容;而外加pin结构的方法不适用于已经存在电学结构的器件。
- 孙阳徐学俊陈少武
- 关键词：载流子寿命双光子吸收离子植入PIN结构
- 硅基级联谐振腔结构的低功耗电光调制器
- 本发明公开了一种硅基级联谐振腔结构的低功耗电光调制器，该电光调制器由制作在绝缘体上硅SOI衬底上的两个法布里－珀罗谐振腔(4)串联而成，该两个法布里－珀罗谐振腔(4)采用游标式级联的形式串联形成级联谐振腔结构的低功耗电光...
- 孙阳陈少武徐学俊
- 文献传递
