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徐冬娣

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：无锡微电子科研中心更多>>
发文基金：江苏省自然科学基金国防科技重点实验室基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电路
  • 1篇集成电路
  • 1篇CMOS
  • 1篇CMOS集成
  • 1篇CMOS集成...

机构

  • 1篇无锡微电子科...

作者

  • 1篇于宗光
  • 1篇徐冬娣

传媒

  • 1篇微电子技术

年份

  • 1篇2002
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
CMOS集成电路静电泄漏实验分析被引量：2
2002年
CMOS集成电路的静电损伤一直是影响其可靠性的一个重要因素。当器件尺寸缩小到1μm以下时 ,在减小芯片I/OPAD尺寸、提高工作频率的同时 ,保证较高的抗静电能力就显得尤为重要。本文首先对两种 1μmMOS集成电路进行静电击穿实验 ,并对实验结果分析 。
于宗光徐冬娣
关键词：CMOS集成电路
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